與其它存儲(chǔ)器" title="存儲(chǔ)器">存儲(chǔ)器技術(shù)相比,，DDR" title="DDR">DDRSDRAM" title="SDRAM">SDRAM具有出眾性能,、很低的功耗以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本?？膳c以前的SDRAM技術(shù)相比,，DDRx存儲(chǔ)器需要一個(gè)更復(fù)雜的電源管理新架構(gòu)。本文探討了DDR電源管理架構(gòu)的理想選擇,。

　　雙PWM控制器

　　現(xiàn)在市面上有各種DDR電源IC,，如集成MOSFET的ML6553/4/5、適用于大功率系統(tǒng)的FAN5066和FAN5068,、DDRx和先進(jìn)配置及電源接口(ACPI)的組合等,。另一種器件FAN5236是專門為DDRx存儲(chǔ)器系統(tǒng)的一體化供電要求而設(shè)計(jì)的器件，這個(gè)單片IC集成了一個(gè)VDDQ開關(guān)控制器,，一個(gè)VTT開關(guān)控制器和一個(gè)VREF線性緩沖器,。

　　VDDQ開關(guān)可以輸出5~24V范圍內(nèi)的任何電壓，但VTT的開關(guān)則不同,，它由VDDQ電源供電,，并與VDDQ開關(guān)同步動(dòng)作。這兩個(gè)開關(guān)的輸出都可在0。9~5,。5V范圍內(nèi)變化,。由于VDDQ總線信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)電壓為2。5V(DDR)或1,。8V電壓(DDR2),，VTT的端接電壓為1。25V(DDR)或0,。9V(DDR2),，所以在VTT和VDDQ之間存在一定程度的功率循環(huán)。將VTT與VDDQ分離,，就可以將其間的功率循環(huán)以及由此產(chǎn)生的損耗降到最低,。VTT開關(guān)在待機(jī)模式下也可以關(guān)閉。

　　雙PWM控制器的應(yīng)用

　　圖2中給出了一個(gè)連續(xù)電流為4A,、峰值電流為6A的VDDQ典型應(yīng)用,，表中也列出了其材料清單。請(qǐng)注意,，在圖2中,，外部的矩形代表FAN5236雙脈寬調(diào)制器(PWM)，其中標(biāo)有PWM1和PWM2的小矩形代表IC內(nèi)部的兩個(gè)轉(zhuǎn)換開關(guān),。另外還需要注意的是,，在表中FAN5236被稱為DDR控制器，元件名為U1,?？梢院苋菀椎貙?duì)這個(gè)電路進(jìn)行修改，通過分壓器R5/R6,，將VDDQ設(shè)置為1.8V，將VTT設(shè)置到0.9V,，以適用DDR2應(yīng)用,。

　　設(shè)置輸出電壓FAN5236PWM控制器的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為0。9V,，其輸出由分壓器分壓到VSEN腳(R5和R6),，因此輸出電壓為：0。9V/R6=(VDDQ×0,。9V)/R5,。