DIGITIMES Research觀察2015年兩大韓國半導(dǎo)體業(yè)者資本支出規(guī)劃,，三星電子（Samsung Electronics）將創(chuàng)新高紀(jì)錄,，達(dá)150億美元水平，SK海力士（SK Hynix）則將與2014年持平,，維持在51億美元,。2015年三星半導(dǎo)體事業(yè)資本支出將連續(xù)6年居全球之冠，其中,，含晶圓代工在內(nèi)的系統(tǒng)IC資本支出將自2014年29億美元增加至近40億美元,，除啟用韓國華城廠第17產(chǎn)線外，2015年將持續(xù)在美國奧斯丁等廠房建構(gòu)14納米先進制程產(chǎn)能,，以和臺積電 及英特爾（Intel）展開16/14納米以下先進微縮制程競賽,。

　　2015年三星與SK海力士于DRAM皆有擴產(chǎn)計劃，其DRAM資本支出分別將 為64億美元與38億美元,，三星主要用于擴充韓國華城廠第17產(chǎn)線DRAM產(chǎn)能,，SK海力士則將重點放在2015年下半啟用韓國京畿道利川市M14新產(chǎn) 線，將量產(chǎn)20納米級DRAM,。2015年兩家韓廠合計資本支出占全球DRAM廠總資本支出比重達(dá)75%,。

　　在NAND Flash資本支出方面,，2015年三星規(guī)劃47億美元，主要用于建構(gòu)大陸地區(qū)西安廠3D NAND Flash產(chǎn)能,，其于3D NAND Flash進展較美光（Micron）,、東芝（Toshiba）等業(yè)者快。SK海力士NAND Flash資本支出為13億美元,，主要用于10納米級TLC（Triple Level Cell） NAND Flash研發(fā)與產(chǎn)能布建,，2015年兩家韓廠合計資本支出占全球NAND Flash廠總資本支出比重為64%。

　　三星目前在韓國,，以京畿道器興廠與華城廠為其主要生產(chǎn)據(jù)點,，2015年三星將在京畿道平澤市興建半導(dǎo)體園區(qū),，其規(guī)劃投資金額將達(dá)到15.6兆韓元（約153億美元）,，三星計劃 2017年下半啟用平澤半導(dǎo)體園區(qū)，將涵蓋存儲器與系統(tǒng)IC產(chǎn)線,，由于SK海力士也將啟用利川廠M14產(chǎn)線,，將使得京畿道于三星與SK海力士的半導(dǎo)體生產(chǎn) 上扮演更重要的地位。

　　DIGITIMES整理,，2015/4