固態(tài)硬盤是未來主流,，雖然現(xiàn)在對(duì)固態(tài)硬盤的壽命問題還有擔(dān)憂。但無論是固態(tài)硬盤還是機(jī)械硬盤都有所謂的損耗,，只不過固態(tài)硬盤初期尚未完全成熟,，所展 現(xiàn)出來的損耗較大，隨著技術(shù)的成熟固態(tài)硬盤必然成為主流,。目前固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)容量及價(jià)格卻似乎成為了它最大的“硬傷”,，不過通過所謂的“3D NAND”方案可以解決這個(gè)問題（在存儲(chǔ)芯片的核心上堆疊更多的層位），三星已經(jīng)能夠在U盤大小的外殼中封裝下120GB,，但還有什么更好地解決方案么？

       除了3D NAND還有另一種技術(shù)可以解決存儲(chǔ)容量的問題,，成立于2010年的Crossbar專注于另一種解決方案——“電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體” (resistive random access memory,簡稱RRAM),。雖然叫RAM,，但這是一種“非易失性”的隨機(jī)存取器，可以在切斷外接供電的情況下保存信息,。Crossbar的解決方案是 將RRAM堆成一個(gè)立方體狀的結(jié)構(gòu),，在三個(gè)維度上展開。這樣單芯片上提供1TB的存儲(chǔ)容量也在理論上有了可能,，雖然說起來簡單但在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)有點(diǎn)問題,， “電流泄露”會(huì)讓功耗大幅增加，甚至導(dǎo)致“硬盤”根本無法使用,。

       不過Crossbar也找到了相應(yīng)的解決方案,，“采用多個(gè)并行傳導(dǎo)路徑來控制電流泄露，以限制陣列的最大規(guī)模和增加的功耗”,。該技術(shù)被稱作“單晶體管驅(qū)動(dòng) 電子存儲(chǔ)單元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell),，簡稱“1TnR”，可以將高達(dá)2000個(gè)存儲(chǔ)單元連結(jié)到一起,。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,，而且這種設(shè)計(jì)可承受上億次的使用周期，開關(guān)狀態(tài)切 換的延時(shí)也只有50ns不到,，在性能和耐用性上相比較現(xiàn)在的固態(tài)硬盤會(huì)有很大的提升,。不過該公司并未透露有哪些客戶對(duì)這項(xiàng)技術(shù)感興趣，在2015年年末之 前,，我們還無法在消費(fèi)級(jí)零售市場見到相關(guān)產(chǎn)品,。