東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布，該公司將拆除四日市業(yè)務(wù)部(Yokkaichi Operations)生產(chǎn)基地的2號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(Fab 2)，并在同一地點(diǎn)新建晶圓廠,。Fab 2是該公司位于日本三重縣的NAND閃存制造廠。為共同投資新廠房,，東芝還與閃迪公司(SanDisk, NASDAQ: SNDK)簽署了一份不具約束力的諒解備忘錄,。新建晶圓廠的主要目的旨在提供生產(chǎn)空間，以便將現(xiàn)有的東芝和閃迪2D NAND產(chǎn)能從2016年開(kāi)始向3D NAND進(jìn)行轉(zhuǎn)化,。

現(xiàn)有Fab 2的拆除工作將于今年5月啟動(dòng),，而新廠將于2014年9月開(kāi)始施工，并預(yù)計(jì)于2015年夏季竣工,。新晶圓廠內(nèi)的無(wú)塵室將分階段進(jìn)行建設(shè),，以便與2D NAND產(chǎn)能向3D NAND轉(zhuǎn)化的時(shí)間安排相吻合。第一階段無(wú)塵室建設(shè)將按時(shí)完成,，以配合2016年產(chǎn)出,。產(chǎn)能轉(zhuǎn)化加速和設(shè)備投資、生產(chǎn)啟動(dòng),，以及新晶圓廠的產(chǎn)量水平方面的決策將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)作出,。

新晶圓廠將提供工藝配套設(shè)施，主要用于3D NAND存儲(chǔ)器的生產(chǎn),，并將與四日市的其他設(shè)施密切配合使用,。東芝和閃迪將通過(guò)合資企業(yè)，利用其最先進(jìn)的光刻,、沉積和蝕刻制造設(shè)備支持3D存儲(chǔ)器生產(chǎn),。

東芝公司企業(yè)高級(jí)副總裁、半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司總裁兼首席執(zhí)行官Yasuo Naruke表示：“我們決心開(kāi)發(fā)先進(jìn)的技術(shù)彰顯出我們響應(yīng)對(duì)NAND閃存持續(xù)需求的承諾,。我們相信,，東芝與閃迪在四日市成立的合資企業(yè)將使我們能夠生產(chǎn)具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的下一代存儲(chǔ)器產(chǎn)品。”

閃迪公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“我們很高興能夠與東芝在這一新的晶圓廠繼續(xù)我們的長(zhǎng)期合作,，這將推動(dòng)我們?cè)诖鎯?chǔ)器技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位跨入3D NAND領(lǐng)域,。”

該新晶圓廠將采用減震結(jié)構(gòu)和環(huán)保設(shè)計(jì)，包括整棟建筑的LED照明,。它還將配備最先進(jìn)的節(jié)能生產(chǎn)設(shè)備,，從而確保提高生產(chǎn)力，同時(shí)降低功耗,。高效利用廢熱將有助于降低燃料消耗和減少二氧化碳排放量,，相比Fab 5可減少15％,。而Fab 5是目前四日市生產(chǎn)基地中最先進(jìn)的晶圓廠。

在向3D NAND過(guò)渡期間,，東芝和閃迪將通過(guò)合資企業(yè),，充分利用四日市生產(chǎn)基地資源，以最大化投資效率,。展望未來(lái),，兩家公司將繼續(xù)共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)，并進(jìn)行投資以滿足市場(chǎng)需求,。