因應(yīng)高通(Qualcomm),、聯(lián)發(fā)科近期在LTE SoC市場猛烈攻勢,,Marvell也積極與臺(tái)積電合作開發(fā)獨(dú)家芯片互連技術(shù),期以2.5D封裝堆疊16和28納米晶圓,,實(shí)現(xiàn)業(yè)界首創(chuàng)模組化,、 VSoC(Virtual SoC)設(shè)計(jì)架構(gòu)--MoChi(Modular Chip),,從而打造成本效益與功能整合度更佳的移動(dòng)處理器SoC,預(yù)計(jì)今年底新產(chǎn)品即可問世,。
Marvell全球業(yè)務(wù)副總裁Sean Keohane認(rèn)為,,具備較低成本、高整合度設(shè)計(jì)優(yōu)勢,,將是Marvell在未來移動(dòng)處理器戰(zhàn)場勝出關(guān)鍵。
Marvell 全球業(yè)務(wù)副總裁Sean Keohane表示,,1x納米鰭式電晶體(FinFET)制程絕對是移動(dòng)處理器業(yè)者當(dāng)前的研發(fā)焦點(diǎn),;然而,16/14納米FinFET系統(tǒng)單芯片 (SoC)除復(fù)雜度遽增外,,成本也令人望之卻步,,光是光罩(Mask)開支就上看500萬美元,一旦設(shè)計(jì)出錯(cuò)還要重開一次,,在在加重芯片商投資風(fēng)險(xiǎn)和壓 力,,更難以滿足終端產(chǎn)品開發(fā)與制造商殷切追求的高效能、親民價(jià)格需求。這促使業(yè)界須顛覆傳統(tǒng)設(shè)計(jì)框架,,以截然不同的思維打造SoC,。
事實(shí)上,高通,、聯(lián)發(fā)科近來積極較勁,,皆重兵部署祭出20納米7模LTE Cat. 6處理器,而高通更推進(jìn)至LTE Cat. 9規(guī)格,,聯(lián)發(fā)科則將CPU競賽門檻拉高至十核心,,因而讓身為第三勢力,產(chǎn)品規(guī)格仍停留八核心,、5模LTE的Marvell備感壓力,。為保衛(wèi)國際品牌市占, 并持續(xù)開拓中國大陸4G市場,,Marvell已開始押寶下一代16納米FinFET制程,,醞釀反擊攻勢。
Keohane強(qiáng)調(diào),,未來,,處理 器效能、整合度和成本優(yōu)勢缺一不可,,Marvell于今年世界移動(dòng)通訊大會(huì)(MWC)搶先發(fā)表VSoC架構(gòu)--MoChi,,正是應(yīng)運(yùn)如今高投資、高風(fēng)險(xiǎn)與 高復(fù)雜度的16納米FinFET設(shè)計(jì)而生,。MoChi可將SoC中最主要的CPU/GPU,,以及LTE、Wi-Fi Combo等周邊關(guān)鍵通訊元件各視為一個(gè)模組,,靈活運(yùn)用16納米或28/20納米制程,,再透過獨(dú)家定義的晶圓互連(Interconnect)介面、虛擬 化架構(gòu)和2.5D封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)新時(shí)代SoC,。
Keohane分析,,移動(dòng)SoC全面邁向64位元架構(gòu),并整合應(yīng)用處理器,、多頻多模LTE數(shù) 據(jù)機(jī),,以及無線區(qū)域網(wǎng)路(Wi-Fi)802.11ac加藍(lán)牙(Bluetooth)4.1多功能整合(Combo)芯片已是時(shí)勢所趨,但隨著SoC牽涉 更多技術(shù)層面,,設(shè)計(jì)出錯(cuò)風(fēng)險(xiǎn)難免攀升,。因此,Marvell與臺(tái)積電全力發(fā)展MoChi,,將仿效PC處理器南北橋芯片組概念,,以16納米FinFET開發(fā) 多核心CPU/GPU,,追求更高邏輯運(yùn)算能力;再以成熟的28/20納米打造LTE數(shù)據(jù)機(jī)和Wi-Fi Combo,,達(dá)成較高經(jīng)濟(jì)效益,,最終透過2.5D矽中介層(Interposer)或3D矽穿孔(TSV)堆疊封裝成SoC。
如此一來,, 處理器廠不僅能將雞蛋分散至多個(gè)籃子上,,還能加速先進(jìn)制程設(shè)計(jì)流程,同時(shí)提升產(chǎn)品性價(jià)比,,進(jìn)一步滿足系統(tǒng)廠要求,。Keohane更透露,由于移動(dòng)裝置擴(kuò)增 電源管理芯片(PMIC),、射頻芯片(RF IC)等類比方案的需求高漲,,因此該公司也計(jì)畫在2016年將MoChi SoC架構(gòu)推向類比/數(shù)位制程整合的層次。