2022年,，智能手機(jī),、PC等消費電子市場需求放緩，供需失衡之下,，庫存持續(xù)上升,，存儲芯片市場不可避免受到嚴(yán)重影響。
TrendForce表示,，DRAM價格自年初以來就一路走跌,，下半年合約價每季跌幅更超過10%，顯見需求市場的嚴(yán)峻,；閃存市場同樣呈現(xiàn)供過于求的狀態(tài),，導(dǎo)致第三季wafer價格跌幅達(dá)30%-35%，預(yù)計第四季NAND價格持續(xù)下探,。
Gartner此前觀點表示,，全球半導(dǎo)體市場疲軟期至少將持續(xù)到2023 年，預(yù)計明年的半導(dǎo)體收入將下降2.5%左右,。而存儲芯片市場的下滑勢頭會更大,，可能突破10%,。
世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）給出的預(yù)測更為悲觀。其表示,，受到存儲芯片市場急劇冷凍所拖累,，2023年的全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將萎縮4.1%至5570億美元，存儲芯片市場則將出現(xiàn)17%的降幅,。
市場的供過于求強烈推動了存儲市場進(jìn)入下行周期,，存儲芯片的頭部廠商正努力跨越“寒冬”。
在存儲產(chǎn)業(yè)陣陣寒意再次涌上心頭之際,，我們來回顧一下存儲行業(yè)的發(fā)展歷程,，以求從中汲取經(jīng)驗，反哺行業(yè)發(fā)展,。
以史為鏡,，可以知興替。
存儲行業(yè)興起于上實際60年代,，是半導(dǎo)體行業(yè)重要的細(xì)分領(lǐng)域,，約占整個半導(dǎo)體行業(yè)的25%。DRAM和NAND閃存為存儲芯片行業(yè)中占比最高的兩個分支,，銷售總額占據(jù)了整個存儲芯片行業(yè)90%以上的市場份額,。
存儲行業(yè)的發(fā)展歷程大致可分為3個階段。1990年以前,，DRAM為存儲芯片市場上主要的產(chǎn)品,，且伴隨少量的EPROM和EEPROM；1990年至2000年,，NOF Flash開始逐步占據(jù)一定比例的市場份額,；2000年以后，NAND Flash開始爆發(fā)式增長,，其市場規(guī)模直逼DRAM, 而NOF Flash的市場規(guī)模于2006年達(dá)到頂峰后開始逐漸下滑,，但于近兩年又開始有微小上升趨勢。
存儲行業(yè)的主要玩家伴隨歷史發(fā)展發(fā)生了顯著的變化,，霸主地位由一開始的美國企業(yè)（1969-1984年）逐步轉(zhuǎn)移到日本（1985-1996年）,，最后再轉(zhuǎn)移到韓國企業(yè)（1996-現(xiàn)在）,。
據(jù)WSTS統(tǒng)計,，目前在DRAM市場，三星,、美光,、SK海力士合計占比約94%；NAND Flash領(lǐng)域,，三星,、鎧俠,、SK海力士、西部數(shù)據(jù),、美光,、英特爾合計占比約98%。
DRAM產(chǎn)業(yè)“第六次大蕭條”
相比于過去兩年的“一芯難求”,，隨著消費電子市場進(jìn)入下滑周期,，以DRAM為代表的芯片需求正在快速下滑。
DRAM產(chǎn)業(yè)正在被貼上“第六次大蕭條”,、“產(chǎn)業(yè)下行”,、“市場寒冬”的標(biāo)簽?？v觀內(nèi)存芯片全球發(fā)展史,，圍繞DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展而產(chǎn)生的激烈競爭此起彼伏。
1966年,，來自IBM的羅伯特·登納德成功研發(fā)出MOS型晶體管+電容結(jié)構(gòu),，半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展從此開啟。
行業(yè)發(fā)展早期,，Intel依靠DRAM量產(chǎn)實現(xiàn)一家獨大,。由于當(dāng)時大中型計算機(jī)使用的磁鼓存儲器笨重昂貴，Intel向計算機(jī)用戶大力宣傳DRAM,，1972 年憑借 1K DRAM 取得巨大成功,。服務(wù)于HP、DEC等重要客戶,，IBM在新推出的S370/158大型計算機(jī)上,，也開始使用DRAM內(nèi)存。
1974年,，英特爾DRAM產(chǎn)品的全球市場份額達(dá)到驚人的82.9%,。就在英特爾在DRAM領(lǐng)域賺得盆滿缽滿的同時，競爭對手也在迅速崛起,。1973年,，美國德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）,、日本NEC等廠商先后進(jìn)入DRAM市場,。
其中，Mostek利用技術(shù)升級成為市場霸主,，70年代后期,，Mostek一度占據(jù)了全球DRAM市場85%的份額。可惜,，沒過多久,，因遭遇資本市場的惡意收購，公司發(fā)展遭遇較大障礙,。Mostek被UTC收購,，后來又轉(zhuǎn)賣給了意法半導(dǎo)體。1978年,，幾位從Mostek公司離職的技術(shù)人員,，在愛達(dá)荷州一家牙科診所的地下室，共同創(chuàng)立了一家新的存儲技術(shù)公司,，也就是后來的存儲巨頭——Micron（美光）,。
Mostek是內(nèi)存界第一個敗退的巨頭，也為美國群雄接下來的連續(xù)崩潰埋下了伏筆,。
除了國內(nèi)競爭對手之外,，英特爾面臨的更大威脅來自國外。1970年代,，經(jīng)濟(jì)高速崛起的日本看到DRAM市場潛力后,，在70年代末期以舉國體制發(fā)展DRAM技術(shù)，成立了VLSI聯(lián)合研發(fā)體,。在VLSI項目的幫助下,，1977年日本成功研制出了64K DRAM，追平了美國公司的研發(fā)進(jìn)度,。
隨后日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入增長爆發(fā)期,。到了1980年代中期，富士通,、日立,、三菱、 NEC,、東芝等一眾日本廠商繼續(xù)發(fā)力,，憑借質(zhì)量和價格優(yōu)勢，快速占領(lǐng)全球市場,，開始反超美國公司,。
1984年，日立生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存已開始采用1.5um生產(chǎn)工藝,，三菱甚至公開4M DRAM關(guān)鍵技術(shù),。到1986年，僅東芝一家,，每月1M DRAM產(chǎn)量就超過100萬塊,。
由于日本廉價DRAM的大量傾銷，美光被迫裁員一半,，只得向美國政府尋求幫助,；Intel也深陷泥潭，無奈退出DRAM市場,。
另外,，1983-1985年游戲機(jī)市場的崩盤，市場銷量下降到只有之前的10%不到,，也是導(dǎo)致內(nèi)存嚴(yán)重過剩,，導(dǎo)致了Intel和國家半導(dǎo)體等美國廠商退出DRAM領(lǐng)域的一個重要原因。
1986年,，日本存儲器產(chǎn)品的全球市場占有率上升至65%,，而美國則降低至30%。
然而,，就在日本半導(dǎo)體廠商橫掃存儲市場的時候,，外部政治環(huán)境開始發(fā)生了微妙的變化。1985年日美關(guān)系發(fā)生轉(zhuǎn)變,，美國主導(dǎo)的《廣場協(xié)議》以及對日本半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)起反傾銷訴訟,，致使日本產(chǎn)品性價比極速下降。
在接二連三的打擊下,，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品市場份額一落千丈,，很快喪失了主導(dǎo)權(quán)。
此時產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)會轉(zhuǎn)向了韓國,，韓國三星,、LG、現(xiàn)代,、大宇等財閥集團(tuán)也看中了半導(dǎo)體技術(shù)的市場前景,，通過購買、引進(jìn)技術(shù)專利及加工設(shè)備,，對其進(jìn)行消化吸收,，積蓄技術(shù)力量。其中,，三星通過購買專利疊加自研的方法迅速崛起,，隨后在 DRAM領(lǐng)域繼續(xù)保持著高投入研發(fā)，最終實現(xiàn)技術(shù)超越成為新巨頭,。
1998年韓企在DRAM份額超過日本企業(yè),。
DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了幾十多年的發(fā)展，如果用一個詞來形容這四十年,，那就是——“腥風(fēng)血雨”,。
2001年,，因為現(xiàn)代電子從現(xiàn)代集團(tuán)中拆分，公司改名為海力士,。同年美光完成收購德州儀器的內(nèi)存部門,，隨著1999年到2001年內(nèi)存行業(yè)整合結(jié)束，三星,、美光,、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的DRAM市場份額,。
在經(jīng)過日韓兩國之間不斷的價格戰(zhàn),，激烈競爭的大浪淘沙后，DRAM市場玩家剩下三星,、SK海力士,、奇夢達(dá)、美光,、爾必達(dá)這五家,。
2007年微軟推出Vista系統(tǒng)，提高了對內(nèi)存的消耗,，各大廠商紛紛擴(kuò)大產(chǎn)能以應(yīng)對市場需求,，結(jié)果Vista銷量平淡，供過于求的DRAM價格便一路下滑,，并在2008年全球金融危機(jī)中跌破材料成本,。
此時的三星為了提高市場占有率，不惜虧本擴(kuò)大產(chǎn)能加劇行業(yè)虧損,，導(dǎo)致奇夢達(dá)和爾必達(dá)接連被淘汰,。在歷經(jīng)多年搏殺后，全球DRAM廠商逐漸從“群雄逐鹿”變成“三足鼎立”,。
2016年手機(jī)內(nèi)存需求的快速增長導(dǎo)致全球內(nèi)存芯片缺貨,，而內(nèi)存條價格也跟著水漲船高。據(jù)Business korea報道,，內(nèi)存價格大漲的背后可能不全是市場因素,，是三星、美光等存儲公司通過削減產(chǎn)量,、減少供應(yīng)的方式,，抬高了DRAM的價格。
可見,，商業(yè)世界里,，一個行業(yè)高度壟斷可能造成的結(jié)果是：頭部廠商有可能操縱產(chǎn)量和價格，用低價來擠垮競爭對手,，或用漲價來謀取暴利,。
DRAM產(chǎn)業(yè)最大的特點就是其周期性規(guī)律,。業(yè)內(nèi)人士曾指出：DRAM存儲，每賺錢一年,，就要虧錢兩年,，所謂“賺一虧二”。
在這種強烈的周期性規(guī)律下,，想要長期生存下去，是一件非常困難的事情,。DRAM廠商需要有強大的現(xiàn)金流和融資能力,，能夠維持高強度的研發(fā)支出，保持團(tuán)隊的穩(wěn)定,。
在虧損周期,，DRAM廠商需要更多的錢，才能夠活下去,。在繁榮周期,，也不能大意。廠商在選擇擴(kuò)充產(chǎn)能時機(jī)時,，需要非常謹(jǐn)慎,。不然就可能導(dǎo)致供大于求，盈利變虧損,。
“逆周期投資”法寶
四十年前,，全球大概有幾十家DRAM廠商。如今,，只剩下三家,，競爭之殘酷，由此可見一斑,。這四十年里,，有一家企業(yè)不僅堅持活了下來，還干掉無數(shù)對手,，長期占據(jù)霸主地位,。這家企業(yè)，就是前面提到的三星,。
三星這家公司,，就是靠著韓國的舉國之力，接二連三地采用“逆周期投資”策略,，干掉了無數(shù)對手,，成為了半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的老大。
第一次“逆周期投資”
三星的第一次“反周期投入”,，就發(fā)生在前文所說的1980年代中期,。
彼時,，日美激戰(zhàn)正酣，DRAM市場普遍不景氣,，價格大跌,，從1984年初的每片4美元下降到1985年的30美分。而三星推出64K DRAM時,，生產(chǎn)成本是1.3美元/片,。
面對行業(yè)寒冬，三星不僅沒有收縮投資,，反而開始逆向投資,，擴(kuò)大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM,。到1986年底,，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空,，接近破產(chǎn),。
關(guān)鍵時期，韓國政府出手“救市”,，總共投入近3.5億美金,，并且以政府名義背書，給三星拉來了20億美元的個體募資,。并且趕上日本半導(dǎo)體被美國壓制,，加上PC電腦進(jìn)入熱銷期帶來的行業(yè)繁榮，使得三星順利翻盤,，迎來業(yè)績增長,。
不久后，以三星為代表的韓系DRAM廠商,，逐漸蠶食了日本半導(dǎo)體企業(yè)讓出的市場份額,，占據(jù)了市場的主導(dǎo)地位。
第二次“逆周期投資”
1992年,，日本住友樹脂廠發(fā)生爆炸,，導(dǎo)致原材料供應(yīng)緊張，內(nèi)存價格暴漲,。這一年,，三星率先推出世界上第一個64M DRAM。
1993年,，全球半導(dǎo)體市場又開始轉(zhuǎn)弱,。這時，三星故技重施,，采取了第二次“反周期投入”,，投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM,。
1995年，微軟公司W(wǎng)indows95視窗操作系統(tǒng)發(fā)布,，極大地刺激了內(nèi)存的需求,，帶動內(nèi)存價格大幅上揚，三星的投資獲得回報,。全球各大廠商后知后覺,，紛紛投資擴(kuò)大產(chǎn)能。
然而,，到了1995年底,，各廠商8英寸晶圓廠投產(chǎn)后，導(dǎo)致產(chǎn)能急劇增加,，使得DRAM供大于求,。于是,，賣方市場又變成了買方市場,，價格又開始下跌。在此情況下,，廠商們被迫削減產(chǎn)量,，減小投資規(guī)模。
三星繼續(xù)擴(kuò)大投資,。1996年,，三星推出世界上第一個1GB DRAM，奠定了行業(yè)領(lǐng)軍地位,。
直到1999年,，DRAM價格下跌的趨勢有所緩解。因為互聯(lián)網(wǎng)泡沫的出現(xiàn),，DRAM行業(yè)進(jìn)入了短暫的繁榮階段,。
同年，在激烈的競爭環(huán)境下,，DRAM行業(yè)發(fā)生了若干重大變化：
韓國現(xiàn)代內(nèi)存與LG半導(dǎo)體合并,，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體，后來,，又從現(xiàn)代集團(tuán)拆分（2001年）,，改名海力士（Hynix）；美國存儲廠商美光收購德州儀器內(nèi)存部門,；日本方面,，日立、NEC,、三菱電機(jī)的DRAM業(yè)務(wù)整合,，抱團(tuán)成立了爾必達(dá),。
歐洲方面，西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門獨立,，成立了億恒科技,，2002年改名為英飛凌。再后來,，2006年英飛凌科技存儲器事業(yè)部拆分獨立,，變成了奇夢達(dá)。
然而好景不長,，隨著互聯(lián)網(wǎng)泡沫破碎,，2000年全球遭遇互聯(lián)網(wǎng)危機(jī)。PC市場遭受重創(chuàng),，DRAM的市場需求也急速下降,，而三星、美光,、海力士,、英飛凌等龍頭企業(yè)剛經(jīng)歷擴(kuò)產(chǎn)，價格又迎來了跳水,，DRAM市場規(guī)模從288億美元腰斬至110億美元,。
經(jīng)濟(jì)危機(jī)過后，DRAM市場從低谷中逐漸恢復(fù),。2006年,，三星開發(fā)出世界上第一個50nm工藝的1GB DRAM；海力士則開發(fā)出當(dāng)時世界上最高速的200MHz 512MB Mobile DRAM,。
那一時期,，DRAM市場逐漸形成了五強格局：三星（韓）、SK海力士（韓）,、奇夢達(dá)（德）,、美光（美）和爾必達(dá)（日）。
第三次“逆周期投資”
2007年,，微軟推出Vista系統(tǒng),。該系統(tǒng)對內(nèi)存消耗較大，DRAM廠商預(yù)期內(nèi)存需求大增,，于是紛紛增加產(chǎn)能,。但實際上，Vista銷量很差,，沒有帶動內(nèi)存市場,，導(dǎo)致產(chǎn)能再次過剩。
更殘酷的是，2008年金融危機(jī)爆發(fā),，導(dǎo)致DRAM市場雪上加霜,。內(nèi)存價格一路下跌，甚至跌破材料成本,，行業(yè)面臨洗牌,。
就在眾廠商哀鴻遍野時，三星第三次舉起了“反周期”屠刀,，決定將三星電子總利潤的118%投入DRAM擴(kuò)張業(yè)務(wù),，進(jìn)而加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對手們壓上最后一根稻草,。
當(dāng)年排名第三的德系廠商奇夢達(dá)成為倒在2009年春天的第一個大廠,。自此，歐洲玩家正式退出DRAM 市場,。2012年初,，曾經(jīng)的DRAM頭部廠商爾必達(dá)也支撐不下去了，宣布破產(chǎn),，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本,，也輸?shù)袅俗詈笠粡埖着啤?/p>
總結(jié)來看，三星充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點,，在價格下跌,，生產(chǎn)過剩,，其他企業(yè)削減投資的時候,，逆勢瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步下殺產(chǎn)品價格,，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn),，世人稱之為“逆周期投資”。
三星的逆周期投資已經(jīng)成為半導(dǎo)體界的一段傳奇故事,。
至此,，DRAM領(lǐng)域形成了三星、SK海力士,、美光“三足鼎立”的局面,。2011年之后，DRAM內(nèi)存的市場格局沒有發(fā)生什么重大變化,。但是,，DRAM的用戶需求和市場環(huán)境，變化很大,。
之后,，三大DRAM廠商為提高自身市占率 ，繼續(xù)大打價格戰(zhàn),，DRAM價格不斷下跌,。2017-2018年,，受益于數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)市場需求,，DRAM市場迎來增長,。服務(wù)器DRAM、移動DRAM需求成長,，DRAM廠商的供應(yīng)量增長低于市場需求量,，DRAM價格一路上揚。此外,，運算加密貨幣所需的繪圖型DRAM推動了市場供不應(yīng)求加劇,。
2019 年，由于前期產(chǎn)能擴(kuò)張和去庫存因素,，存儲芯片價格下跌較多,。加密貨幣市場價格崩塌、智能手機(jī)市場進(jìn)入成熟期,，驅(qū)動市場進(jìn)一步需求疲軟,，DRAM價格跌幅最高達(dá)37%。
1994年以來,，DRAM江湖經(jīng)歷了五次大蕭條,。目前，DRAM行業(yè)又處于多周期疊加下的“寒冬”,，DRAM產(chǎn)業(yè)的第六次蕭條或許正在路上,。
DRAM江湖：從群雄割據(jù)，到三分天下
總體上來說,，DRAM產(chǎn)業(yè)每3-5年都經(jīng)歷“需求提出-供不應(yīng)求-價格上漲-擴(kuò)充產(chǎn)能-產(chǎn)能過剩-價格下跌-重新洗牌”的過山車,，如此不斷循環(huán)。
縱觀 DRAM發(fā)展歷史,，DRAM產(chǎn)業(yè)具備成長和周期雙重屬性,，圍繞成本、技術(shù),、品質(zhì)等為核心競爭要素,，而背后需要企業(yè)在融資能力、產(chǎn)業(yè)鏈配套及人才梯隊等全方位儲備,，考驗企業(yè)系統(tǒng)性的資源調(diào)動能力,。
DRAM行業(yè)早期競爭激烈，參與者眾多,，70 年代是市場分水嶺,。1972 年，Intel 憑借 1K DRAM研發(fā)取得成功，迅速占領(lǐng)市場,。同時期,，IBM 和德州儀器也開始入局。1973 年,，PC 需求放緩對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成沖擊,。德州儀器和各大日本廠商抓住時機(jī)進(jìn)入內(nèi)存市場，Intel 市場份額快速下降,。80 年代,，日本廠商憑借低價的優(yōu)勢份額持續(xù)提升，韓國三星也在此時開始布局DRAM,。1984 年,，Intel 開始退出市場；1998 年,，德州儀器將存儲業(yè)務(wù)出售給美光,；1999年 IBM 也將合資工廠出售給東芝并退出市場。
過去50多年的發(fā)展歷程中,，存儲企業(yè)間搏殺慘烈,，王朝幾經(jīng)更替。美國,、日本,、德國、韓國,、中國臺灣的選手,，懷揣巨額籌碼，興高采烈地走進(jìn)來,，卻在輸光之后黯然離場,。無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地,，就連開創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾,、德州儀器和IBM，也在商業(yè)廝殺中含恨退出了DRAM市場,。
經(jīng)過大浪淘沙后,，英特爾、IBM,、英飛凌,、Motorola、德州儀器,、日立,、三菱、東芝、松下,、現(xiàn)代,、LG等廠商紛紛退出了DRAM江湖。
近10年來DRAM市場集中度逐漸上升,，當(dāng)前全球DRAM廠商的數(shù)量不到10家,，形成了三星電子、SK海力士,、美光三足鼎立的格局,，在DRAM市場呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿,。2021年,，三巨頭總共占有94%的DRAM市場份額。
NAND閃存,，35年跌宕起伏
另一邊,，NAND閃存市場同樣激烈。
在日美激戰(zhàn)正酣的1984年,，東芝（2017年4月東芝存儲器集團(tuán)從東芝公司剝離,，并于2019年10月正式更名為KIOXIA，中文名為鎧俠）跨時代地提出了“閃存”概念,，宣告一個新時代的到來,。
遺憾的是，F(xiàn)lash閃存并沒有得到東芝公司的充分重視,。相比已經(jīng)開跑多年的DRAM,，以及日本DRAM正強勢碾壓美國，剛面世的NAND閃存在東芝眼里瞬間黯然失色,。
直到三年之后,，東芝才根據(jù)閃存的概念發(fā)明出了全球第一塊NAND閃存芯片，為之后的電腦,、智能手機(jī),、數(shù)據(jù)中心等許多新應(yīng)用奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。
整個90年代末,，受益于手機(jī),、數(shù)碼相機(jī)、便攜式攝像機(jī),、MP3播放器等消費數(shù)碼產(chǎn)品的爆發(fā),，F(xiàn)lash市場規(guī)模迅猛提升。當(dāng)時,，市場一片繁榮,，參與的企業(yè)也數(shù)量眾多,。
此時的閃存市場，競爭開始加劇,，英特爾,、三星、東芝等廠商互不相讓地追逐NAND閃存的制高點,。
進(jìn)入21世紀(jì),，NAND Flash崛起的勢頭更加迅猛。
在互聯(lián)網(wǎng)泡沫與美國的圍追堵截之下,，2001財年,，東芝在巨額虧損之下徹底剔除DRAM，將DRAM業(yè)務(wù)賣給了美光,。之后便決意重拾此前不被自己重視的NAND閃存業(yè)務(wù),。
三星則一路披荊斬棘，將NAND閃存的容量從1G升到2GB,、4Gb,、8Gb、16Gb,、32Gb,、64Gb，在工藝方面,，三星成功開發(fā)出90nm,、70nm、50nm,、40nm,、30nm。
雖然退出DRAM市場,，但在閃存領(lǐng)域,，英特爾并未放棄。1992年,，英特爾第一款NAND閃存產(chǎn)品姍姍來遲,，容量為12MB。
在這場技術(shù)競賽中,，單打獨斗不是市場的主旋律,。東芝聯(lián)手閃迪，英特爾則選擇了美光,。
在DRAM爭霸賽中發(fā)展良好的美光，在NAND閃存領(lǐng)域比其余幾家存儲企業(yè)出發(fā)都晚,。2005年,，英特爾與美光成立合資公司IM Flash,，珠聯(lián)璧合一方面是抵御三星與東芝的沖擊，另一方面則是押注未來,，全力進(jìn)軍3D NAND,。
2007年，手機(jī)進(jìn)入智能機(jī)時代,，喬布斯在舊金山的馬士孔尼會展中心,，從口袋中掏出了那款影響世界的iPhone，再次對閃存市場技術(shù)格局造成影響,。
基于芯片性能和應(yīng)用需求,，NOR Flash的市場份額開始被NAND Flash大量取代。NAND閃存迎來黃金期,，同時各家企業(yè)在新技術(shù)上的競賽也更加激烈,。
也是在這一年，2D NAND走到頭,。這一次東芝又引領(lǐng)了潮頭,，獨辟蹊徑發(fā)布基于BiCS技術(shù)的3D NAND。而三星并沒有借鑒東芝的結(jié)構(gòu),，反而另辟蹊徑選擇了VG垂直柵極結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存,。
閃存行業(yè)進(jìn)入3D時代。此后數(shù)年,，英特爾與美光,、東芝（鎧俠）、SK海力士以及三星走在在追逐更高密度,，更高層數(shù)的道路上,。
產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，朝氣蓬勃,，各家企業(yè)都能找到屬于自己的生態(tài)位,，產(chǎn)業(yè)一旦進(jìn)入成熟期，并購加劇,，馬太效應(yīng)之下生態(tài)位要么擴(kuò)張,，要么被蠶食。2010年之后,，整個閃存行業(yè)動蕩不安,，收購事件此起彼伏，一方面鞏固自身優(yōu)勢,，另一方面彌補短板,。
LSI收購Sandforce、閃迪收購IMFT,、 蘋果收購Anobit,、Fusion-io收購IO Turbine,。其中美光與SK海力士是最為活躍的兩家企業(yè)。
據(jù)統(tǒng)計,，美光在2010完成對閃存制造商Numonyx的并購,，2012年收購PCle虛擬化解決方案供應(yīng)商Virtensys，2015年收購SSD控制器初創(chuàng)公司Tidal,，2019年正式收購IM Flash,。SK海力士則在2012年收購意大利NAND閃存開發(fā)商Ideaflash，并在2021年拿下英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù),。
而英特爾與美光這一對戰(zhàn)友對技術(shù)路線出現(xiàn)了分歧,。2019年，英特爾與美光正式結(jié)束了在NAND Flash技術(shù)方面長達(dá)14年的合作關(guān)系,。最終美光收購了IM Flash,，英特爾則獨自建立了NAND Flash和3D XPoint存儲器研發(fā)團(tuán)隊，但沒多久,，英特爾就徹底放下了NAND Flash,，如同其當(dāng)年放下DRAM一樣。這一決定算是宣告英特爾對NAND閃存的告別,，同時也切斷了基于3D XPoint技術(shù)打造出傲騰（Optane）產(chǎn)品線,，同時也為英特爾的存儲之路徹底地畫上句號。
英特爾告別賽場之后,，將一部分財產(chǎn)留給了昔日戰(zhàn)友美光,，另外的場地留給了后起之秀SK海力士。2021年12月底,，SK海力士以90億美元的價格接手了英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)及SSD業(yè)務(wù),，后在美國成立NAND閃存解決方案提供商Solidigm。2021年第四季度,，海力士加上Solidigm的市場總份額來到了全球第二,，僅次于三星。
通過市場博弈和整合并購,，NAND Flash領(lǐng)域的玩家數(shù)量越來越少,。最終，形成了由三星,、SK海力士,、鎧俠、西部數(shù)據(jù),、美光等巨頭為主導(dǎo)的集中型市場,。
NAND的江湖春秋
自1987年發(fā)明NAND閃存以來，經(jīng)過了35年的跌宕起伏,，有前浪退出,，也有后浪涌進(jìn),。東芝雄霸市場,、三星一躍龍門,、美光與SK海力士強勢突圍，以及退出賽場的英特爾,，都為NAND Flash市場演繹了一場橫跨時空的精彩劇情,，并創(chuàng)寫了屬于自己的江湖春秋。
從WSTS公布的出貨量數(shù)據(jù)來看,，NAND閃存的發(fā)展大致可以分為三個階段,。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現(xiàn)線性增長趨勢,；2016年至2018年,，出貨量相對穩(wěn)定；2018年之后,，受益于數(shù)據(jù)中心市場增長,，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看,，隨著2001年以后音樂播放器,、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等領(lǐng)域疾速增長,，NAND閃存市場需求持續(xù)上揚,，出貨量以線性趨勢持續(xù)增加。
發(fā)展至今,，大數(shù)據(jù),、云計算、元宇宙等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展,，對NAND產(chǎn)品的容量,、性能、功耗提出了更高的要求,。在技術(shù)沒有代際差異的情況下,，NAND產(chǎn)品趨于標(biāo)準(zhǔn)化同質(zhì)化，成本,、堆疊層數(shù)和市場規(guī)模正在成為NAND產(chǎn)業(yè)接下來的競爭焦點,。一系列閃存廠商再次紛紛加速技術(shù)演進(jìn)和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán),。
寫在最后
回顧存儲行業(yè)的發(fā)展歷史,，應(yīng)用市場的更迭、供需關(guān)系的改變和存儲芯片的價格波動主導(dǎo)了眾多存儲公司的命運,，催生了市場新格局,。
行業(yè)廠商的起起伏伏也展示了市場判斷對于企業(yè)經(jīng)營的重要性,。存儲芯片市場由于其周期性和產(chǎn)線投產(chǎn)時間長等緣故，扎堆投資,，就容易造成供過于求,，進(jìn)而使半導(dǎo)體公司出現(xiàn)虧損、生產(chǎn)線荒廢,、人員解散,，又會導(dǎo)致市場緊缺，價格上升,，又開始建立新的或者改善原生產(chǎn)線,。這種情況下，如何對市場周期進(jìn)行預(yù)判,，又如何度過低迷期,，都對各家存儲企業(yè)提出了極高的要求。
當(dāng)前,，存儲市場再次吹起下行的寒風(fēng),，存儲廠商在先進(jìn)技術(shù)方面的競爭不見頹靡。
無論是第五代10nm級DRAM技術(shù),，還是更高層數(shù)堆疊的NAND Flash,，存儲大廠都在積極發(fā)力，以保持市場領(lǐng)先地位,，并滿足市場對高容量,、高性能產(chǎn)品需求，呈現(xiàn)出持續(xù)發(fā)展的潛能,。
與此同時,，存儲廠商們也在布局未來的潛力市場。雖然移動,、PC等消費市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢,，但云、服務(wù)器,、高性能運算,、車用與工控等領(lǐng)域結(jié)構(gòu)性增長需求不減，半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)化增長的特征,，為存儲原廠的增長提供了堅實后盾,。
盡管存儲市場需求近期疲軟，但長期需求趨勢依然強勁,，數(shù)字化的浪潮已經(jīng)不可逆轉(zhuǎn),，存儲市場長久來看必然是向更高更大的格局邁進(jìn)。
回顧過往幾十年存儲行業(yè)發(fā)展脈絡(luò)，起起伏伏正如傳奇投資人John Templeton所言：“牛市在悲觀中萌生,，在懷疑里成長,，在樂觀中登頂，在亢奮里寂滅”,。
存儲市場的興衰也大抵如此,。
