導讀：3月25日，三星電子宣布開發(fā)出512 GB DDR5內存模塊，并將與英特爾合作開發(fā)相關技術和產品。

　　圖：三星512 GB DDR5內存模塊

　　BusinessKorea報道稱，三星電子正在擴大與英特爾的合作，以領導下一代DRAM芯片領域。而英特爾最近決定在晶圓代工領域進行大規(guī)模投資，所以兩家公司正在同時合作和競爭。

　　三星發(fā)布的第五代DDR產品可以提供的最大數(shù)據(jù)傳輸速率為7,200 Mbps，是DDR4速率的兩倍以上。此外，該產品還具有八層16 Gb硅通孔，可堆疊以實現(xiàn)容量最大化，而四層主要用于DDR4。

　　此外，高k金屬柵極工藝已首次應用。該技術是基于快速而牢固的電流輸出口閉合功能來最大程度地降低功耗，以減少泄漏電流。根據(jù)三星電子的數(shù)據(jù)，該產品在功耗方面的效率提高了約13％。

　　DDR5可能會在提高其性能的同時成為市場的主流。據(jù)市場研究公司Omdia稱，從今年到2024年，DDR5的出貨量預計將從DRAM市場的0.6％增長到53.2％。

　　增長需要與設計和制造CPU的英特爾合作。預計該公司將在今年下半年發(fā)布與DDR5兼容的產品。三星電子正計劃逐步將大容量DDR5產品商業(yè)化。

　　英特爾解釋說：“隨著需要處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，下一代DDR5內存芯片在云數(shù)據(jù)中心，網絡和邊緣計算等方面變得越來越重要……三星電子將開發(fā)與我們服務器CPU兼容的的DDR5存儲芯片。”