上海，2015年7月8日 –富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布,，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT,。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm,，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的,、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

       MB85RS1MT為智能可穿戴設(shè)備提供了理想的內(nèi)存器件的選擇,，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體體積變小之外,，更可讓整個系統(tǒng)在寫入數(shù)據(jù)時將功耗降至最低，以延長系統(tǒng)工作時間,。

       智能可穿戴設(shè)備是當(dāng)下的市場熱點(diǎn),，并以驚人的速度快速滲透和發(fā)展。智能可穿戴設(shè)備應(yīng)用涵蓋范圍廣闊且種類繁多,，包括智能眼鏡,、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計等,，以及可記錄卡路里消耗量和運(yùn)算數(shù)據(jù)的活動記錄器如智能手環(huán)等,。而在這些眾多智能可穿戴設(shè)備當(dāng)中，持續(xù)的實(shí)時記錄數(shù)據(jù)亦是必備的,。

                    圖一：SOP封裝及WL-CSP外觀

       與一般的非揮發(fā)性內(nèi)存如EEPROM和閃存（Flash）等相比,，富士通FRAM可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期，它的寫入速度為前者的1000倍以上,，而功耗僅為其1/1000-1/100000,，F(xiàn)RAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash10000倍以上，是實(shí)時存儲數(shù)據(jù)的理想選擇,。

                 圖二：SOP封裝及WL-CSP封裝體積比較

      為了在更廣泛的應(yīng)用中進(jìn)一步擴(kuò)大FRAM快速讀寫,、高可靠性和低功耗的特點(diǎn),，富士通半導(dǎo)體在為1MB FRAM器件采用SOP封裝之后,，更推出了其全新WL-CSP封裝版本（見圖一）。在采用WL-CSP封裝后,，MB85RS1MT的體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm,，比SOP封裝體積小了95%（見圖二）---其面積比SOP封裝小了77%（見圖三），其厚度僅相當(dāng)于信用卡厚度的一半（見圖四）,。

                圖三：SOP封裝及WL-CSP封裝面積比較

                 圖四：SOP封裝及WL-CSP封裝厚度比較

       低功耗作業(yè)是FRAM眾多優(yōu)點(diǎn)之一,。相較于一般使用的EEPROM非揮發(fā)性內(nèi)存，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)的速度也比較快,，因此可在寫入數(shù)據(jù)時大幅降低功耗（如圖五）,。基于此原因，為了實(shí)時記錄而需經(jīng)常性寫入數(shù)據(jù)的穿戴式裝置在采用此FRAM后,，可擁有更佳電池續(xù)航力和更小體積的優(yōu)勢,。

                 圖五：寫入時功耗量比較

       富士通半導(dǎo)體自1999年開始量產(chǎn)FRAM產(chǎn)品以來，已將上述產(chǎn)品特性廣泛應(yīng)用在工廠自動化設(shè)備,、測試儀器,、金融終端機(jī)及醫(yī)療裝置等領(lǐng)域。此次采用WL-CSP封裝的MB85RS1MT器件的推出,，則將其應(yīng)用領(lǐng)域延展到智能可穿戴設(shè)備應(yīng)用當(dāng)中,，為客戶提供更小、更薄和功能更豐富的產(chǎn)品,，并大幅延長待機(jī)時間,。