美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺,，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造,。

　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好,，因為無論Intel還是三星,、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管,，也就是FinFET,。GlobalFoundries技術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù),，22nm上只能繼續(xù)改進平面型,，20nm上努力了一陣放棄了，14nm 索性直接借用三星的,。 盡管如此,，GF 22nm FD-SOI工藝也是有一些獨特優(yōu)勢的，雖然無法制造高性能芯片,，但也很適合移動計算,、IoT物聯(lián)網(wǎng)、射頻聯(lián)網(wǎng),、網(wǎng)絡基礎架構(gòu)等領(lǐng)域,。

　　GlobalFoundries宣稱，該工藝功耗比28nm HKMG降低了70%,，芯片面積比28nm Bulk縮小了20%,，光刻層比FinFET工藝減少接近50%,，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低,，電壓可以做到業(yè)界最低的0.4V,， 并可通過軟件控制晶體管電壓，還集成了RF射頻,，功耗降低最多50%,。

　　甚至，它可以提供類似FinFET工藝的性能,。

　　哪些半導體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者呢?

　　GF 22nm FD-SOI工藝將于2016年下半年在德國德累斯頓工廠投產(chǎn),，為此已投資2.5億美元。ARM,、Imagination,、意法半導體、飛思卡爾,、VeriSilicon,、IBS、Semeria,、Soitec等都表達了支持,，將會采納。

　　意法半導體CEO Jean-Marc Chery表示：GLOBALFOUNDRIES的FDX平臺,，使用的先進FD-SOI晶體管結(jié)構(gòu)是我們長期的合作研究而來的,，能滿足IoT對always-on和低功耗的需求，以及其它功耗敏感的設備的需求,。

　　飛思卡爾的MCU group VP Ron Martino表示：飛思卡爾的下一代i.MX系列應用程序處理器利用FD-SOI工藝實現(xiàn)低功耗,。GLOBALFOUNDRIES 22FDX平臺將FD-SOI擴展到28nm以下，對成本和功耗都帶來顯著優(yōu)化,。

　　ARM物理設計部總經(jīng)理Will Abbey表示： 我們正在與GLOBALFOUNDRIES密切合作,提供客戶所需的IP生態(tài)系統(tǒng),，幫助他們從22FDX技術(shù)中獲益。

　　VeriSilicon總裁兼首席執(zhí)行官戴偉民表示：VeriSilicon已經(jīng)擁有利用FD-SOI技術(shù)實現(xiàn)IoT SoC的經(jīng)驗,，我們已經(jīng)通過FD-SOI實現(xiàn)超低功耗的應用,。我們期待與GLOBALFOUNDRIES在22FDX繼續(xù)合作。

　　Imagination Technologies營銷副總裁Tony King-Smith指出：GLOBALFOUNDRIES的22FDX與Imagination的廣泛IP組合結(jié)合后會賦予我們共同的客戶更多創(chuàng)新設計,，這些IP包括PowerVR多媒體,、MIPS CPU和Ensigma通信。

　　IBS公司創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Handel Jones 表示,，F(xiàn)D-SOI技術(shù)可以提供一個多節(jié)點,、低成本方案，GLOBALFOUNDRIES 的22FDX在一個低成本平臺上實現(xiàn)了FD-SOI技術(shù)的最低功耗。

　　CEA-Leti公司首席執(zhí)行官Marie-Noelle Semeria 表示,，只需要對現(xiàn)有設計和制造方法進行微小調(diào)整,，F(xiàn)D-SOI就能顯著改善性能和功耗。我們可以共同為相關(guān)技術(shù)提供易用的設計和制造技術(shù),。

　　“Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre表示,，對下一代的低功耗電子產(chǎn)品來說，這是一個關(guān)鍵的里程碑,。作為GLOBALFOUNDRIES的戰(zhàn)略合作伙伴,，我們的超薄SOI襯底已經(jīng)準備好應對22FDX技術(shù)量產(chǎn)。