南韓存儲(chǔ)器芯片業(yè)界將主導(dǎo)設(shè)備投資(CAPEX)競(jìng)爭(zhēng),。在其他地區(qū)競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者擔(dān)憂(yōu)IT產(chǎn)品需求趨緩，而縮減設(shè)備投資規(guī)模時(shí),，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行,，擴(kuò)大投資并推動(dòng)微細(xì)制程尖端化等,，致力于研發(fā)新技術(shù)，未來(lái)在競(jìng)爭(zhēng)中將更具優(yōu)勢(shì),。

　　據(jù)南韓Newstomatoa報(bào)導(dǎo),，英特爾(Intel)決定將2015年設(shè)備投資規(guī)模，從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺(tái)積電設(shè)備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元,。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售疲軟,，相關(guān)零組件需求減少，全球IT,、系統(tǒng)芯片業(yè)者紛紛調(diào)降原定的設(shè)備投資規(guī)模,。這也意味著下半年全球IT需求將鈍化。

　　反觀DRAM業(yè)者致力于擴(kuò)大投資規(guī)模,。上半年三星的投資額已達(dá)7.6兆韓元(約64億美元),，以年度為基準(zhǔn)，總投資額可能超過(guò)15兆韓元,。2014年三星半導(dǎo)體設(shè)備投資規(guī)模為14.3兆韓元,。

　　SK海力士上半年投資3.7兆韓元,，較2014年增加35%。年度投資規(guī)模估計(jì)為6兆韓元,。DRAM業(yè)界三哥美光(Micron)的投資規(guī)模將維持2015年初計(jì)劃,，約40億美元，2016年設(shè)備投資規(guī)模估計(jì)將近50億美元,。

　　DRAM業(yè)者擴(kuò)大投資設(shè)備,，將無(wú)法排除DRAM的供需失衡的可能性。目前以PC和伺服器DRAM為中心,，DRAM價(jià)格正在下滑,，若出現(xiàn)供貨過(guò)剩的情況，將加速跌價(jià),。

　　韓廠(chǎng)計(jì)劃透過(guò)確保微細(xì)制程加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力,。透過(guò)引進(jìn)尖端微細(xì)制程，提升產(chǎn)品性能并節(jié)約成本,，一箭雙鵰,。韓廠(chǎng)若能較其他競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者先一步引進(jìn)尖端制程，即使面臨供過(guò)于求的情況,，也能維持較他廠(chǎng)穩(wěn)定的營(yíng)收和獲利,。

　　三星2014年在PC DRAM、移動(dòng)DRAM,、伺服器DRAM等應(yīng)用20納米制程,，2015年成功量產(chǎn)20納米圖形DRAM，持續(xù)提升20納米DRAM在整體DRAM產(chǎn)品的比重,。

　　生產(chǎn)20納米級(jí)DRAM的SK海力士,，預(yù)計(jì)2016年初完成伺服器及移動(dòng)裝置用DDR4 DRAM研發(fā)，將擴(kuò)大20納米制程產(chǎn)能,。

　　南韓業(yè)者表示,，受到終端產(chǎn)業(yè)不振和供貨過(guò)剩影響，DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩,。以目前的情況來(lái)看,，韓廠(chǎng)為領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者，朝著透過(guò)尖端微細(xì)制程提升競(jìng)爭(zhēng)力的方向努力,。