中國北京，2015年9月15日 – 移動應(yīng)用,、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布,，已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集成電路(MMIC)。預(yù)計從4英寸過渡到6英寸晶圓,，大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)能力增加一倍,，并且有利于降低制造成本 - 對價格實惠的射頻器件生產(chǎn)，能起到顯著的推進(jìn)作用,。

       “在6英寸晶圓上實現(xiàn)碳化硅基氮化鎵單片微波集成電路,，為顯著提高生產(chǎn)能力和成本效益鋪平了道路”，Qorvo公司的基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品部(IDP)總裁James Klein表示,?！斑@是一個重要的里程碑，鞏固了Qorvo在商業(yè)和國防市場提供一流工藝和GaN產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)地位,?！?/p>

       Qorvo成功地證明，其高產(chǎn),、X波段功率放大器(PA)單片微波集成電路(MMIC)的QGaN25生產(chǎn)工藝可成功地從4英寸擴展到6英寸碳化硅基氮化鎵晶圓,。這同樣有助于將公司的所有碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換到6英寸晶圓，柵極長度范圍為0.15 um至0.50 um,，涵蓋整個微波至mmW應(yīng)用領(lǐng)域,。預(yù)計將于2016年實現(xiàn)全面生產(chǎn)。

       12瓦X波段的點對點MMIC功率放大器,，符合80%以上的直流和射頻收益率要求,，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。這一工藝可行性為高速生產(chǎn)商用收發(fā)器基站(BTS)和點對點無線電、CATV及國防產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ),。

       晶圓尺寸擴展進(jìn)一步鞏固了其作為美國國防部制造電子局認(rèn)可的1A類供應(yīng)商（1A Trusted Source）的領(lǐng)導(dǎo)地位。Qorvo于2014年圓滿完成DPA Title III碳化硅基氮化鎵項目,，是首個達(dá)到制造成熟度(MRL)9級的公司,，表明其高性能制造工藝可以投入全面生產(chǎn)。

       美國國防部的制造成熟度評估(MRA)確保制造,、生產(chǎn)和質(zhì)量要求能夠滿足作戰(zhàn)任務(wù)需求,。該過程確保產(chǎn)品或系統(tǒng)從工廠順利過渡到現(xiàn)場，為客戶提供最高的價值,，并滿足全部性能,、成本和產(chǎn)能目標(biāo)。

Qorvo簡介

       Qorvo (Nasdaq: QRVO) 是面向移動,、基礎(chǔ)設(shè)施和航天航空/國防應(yīng)用提供核心技術(shù)與射頻解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,。由RFMD與TriQuint合并組建而成，Qorvo在全球擁有6000多名員工,，致力于為實現(xiàn)全球互聯(lián)的各種應(yīng)用提供解決方案,。Qorvo擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的產(chǎn)品組合和核心技術(shù)；還有通過ISO9001,、ISO 14001和ISO/TS 16949認(rèn)證的世界級生產(chǎn)廠,。