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Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現(xiàn)更好的性能

節(jié)省空間的MOSFET可替換TO-253 (D2PAK)封裝的器件,適用于通信,、服務器,、計算機、照明和工業(yè)應用
2015-10-13

       賓夕法尼亞,、MALVERN — 2015 年 10 月12 日 — 日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E,、SiHH21N60E,、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E,、SiHH21N60E,、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一個實現(xiàn)低熱阻的大尺寸漏極端子和在源極的Kelvin連接。超薄表面貼裝PowerPAK 8x8封裝符合RoHS,,無鹵素,,完全無鉛,,可替換傳統(tǒng)的TO-220和TO-263封裝的產(chǎn)品,達到節(jié)省空間的效果,。

       PowerPAK? 8x8的結構定義一個源極pin腳為專用的Kelvin源極連接腳,,把柵極驅(qū)動的返回路徑從主要承載電流的源極端子上分開。這樣就能防止在大電流路徑上出現(xiàn)L x di / dt電壓降,,避免施加到E系列MOSFET上的柵極驅(qū)動電壓出現(xiàn)跌落,,從而在通信、服務器,、計算機,、照明和工業(yè)應用的電源實現(xiàn)更快的開關速度和更好的耐噪聲性能。

       SiHH26N60E,、SiHH21N60E,、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結技術制造,在10V電壓下導通電阻低至0.135Ω,,柵極電荷低至31nC,。以及較低的柵極電荷與導通電阻乘積,該乘積是功率轉(zhuǎn)換應用里MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM),。這些數(shù)值意味著極低的傳導和開關損耗,,在功率因數(shù)校正、反激式轉(zhuǎn)換器,,服務器和通信電源的雙開關正激轉(zhuǎn)換器,,HID和熒光鎮(zhèn)流器照明,消費和計算設備電源適配器,,電機驅(qū)動,、太陽能電池逆變器,以及感應加熱和焊接設備中可以實現(xiàn)節(jié)能,。

       這些MOSFET可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖,,保證極限值100%通過UIS測試。

圖片1.png

       SiHH26N60E,、SiHH21N60E,、SiHH14N60E和SiHH11N60E現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),,供貨周期為十六周,。

VISHAY簡介

       Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管,、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器,、電感器、電容器)的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、國防,、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略,,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。


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