上海2015年12月10日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”,，紐約證交所股票代碼：SMI,，香港聯交所股票代碼：981），中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè),，與円星科技(“M31 Technology Corporation”),，專業(yè)的IP開發(fā)商,，今日共同宣布,，中芯國際將采用円星科技差異化高速接口IP，針對固態(tài)硬盤(SSD),、通用快閃存儲器(UFS)與USB閃存盤,，推出多樣化的存儲控制器應用IP解決方案?；谥行緡H從110nm到28nm的邏輯工藝技術,，此存儲控制器應用平臺可協助客戶實現低功耗、高性能和小晶片面積的產品設計,，同時推動中芯國際的工藝平臺實現更多差異化的應用,。

       針對固態(tài)硬盤(SSD)市場，中芯國際40nm低漏電工藝采用円星科技所開發(fā)的新一代PCIe 3.0物理層IP,，此IP已與多家廠商的控制器搭配測試并符合PCI-SIG的規(guī)范,，針對不同帶寬需求，提供1 lane, 2 lane以及4 lane的選擇,，協助客戶快速開發(fā)出能夠支持PCle 3.0固態(tài)硬盤的芯片,。此外，中芯國際預計將在28nm先進工藝采用PCIe 3.0物理層IP,，提供客戶更快速度,、更省功耗的解決方案。

       由于通用快閃存儲器2.0(Universal Flash Storage,； UFS 2.0 將成為新一代內嵌式存儲器的主流規(guī)格,，中芯國際55nm LL工藝采用円星科技開發(fā)的MIPI M-PHY物理層IP，具備高帶寬能力與低功耗特性,，已與多家廠商的控制器搭配測試并通過UFS 2.0的系統驗證,。另中芯國際預計將在28nm HK工藝與40nm LL工藝采用円星科技的MIPI M-PHY物理層IP，除了可支持雙通道技術之外，更支持極端省電的休眠模式,，尤其適合新一代的行動裝置使用,。

       在USB閃存控制器產品應用上，円星科技自行開發(fā)的BCK （Built-in-Clock,；內建頻率）技術,，為行動裝置芯片提供無石英震蕩器(Crystal-less)的解決方案，已在中芯國際55nm和110nm工藝協助客戶導入量產,。新一代的BCK技術除了支持傳統USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外,，也支持32.768KHz的頻率輸入, 除了能擴大BCK技術至USB主機端的應用之外,，其低功率消耗的特性,，也滿足了物聯網應用的需求。

       隨著 Type-C接口的普及,，円星科技正在中芯國際28nm及40nm工藝上開發(fā)USB3.1/USB3.0 PHY IP,，將原本需要外接的高速交換器 (High-speed switch)，內建于PHY IP之中來支持無方向性的插拔,，同時也支持不同VBUS組態(tài)的偵測,，已成功導入客戶的產品設計。

       中芯國際設計服務中心資深副總裁湯天申博士表示,，“中芯國際在著重發(fā)展先進技術的同時,，始終堅持特殊工藝及差異化產品的開發(fā)。在存儲控制器產品領域,，中芯國際的邏輯工藝技術和IP已布局多年,，現已發(fā)展成熟并進入量產，能夠為客戶提供差異化解決方案,，滿足大數據存儲對高性能,、低功耗存儲控制器產品的需求。円星科技是中芯國際的重要IP合作伙伴之一,，有提供高速接口客戶多樣化解決方案的實力,，未來我們期待雙方能夠進一步緊密合作，共創(chuàng)雙贏,?！?/p>

       円星科技董事長林孝平表示，“中芯國際在諸多先進工藝上已陸續(xù)采用円星科技經技術驗證的IP,，如 PCIe 3.0,、MIPI M-PHY V3.0、USB3.0等產品,，解決了當今主流存儲裝置各種芯片互連的需求,，業(yè)者可集中心思在設計開發(fā)上，無需再耗費時間驗證IP。通過與中芯國際的合作,，我們相信能夠以優(yōu)質的差異化高速接口IP和專業(yè)的服務來支持全球客戶,。”