富士通電子元器件市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理蔡振宇

       在整個(gè)功率器件發(fā)展的過(guò)程中,，大家可以看到1970年有第一個(gè)可控硅出來(lái)，隨著時(shí)間和技術(shù)的推移,，功率密度要求變得逐漸提升,，后面是二級(jí)晶體管，慢慢到上世紀(jì)90年代末出現(xiàn)了IGBT,。2000年的時(shí)候業(yè)界就提出硅基產(chǎn)品快達(dá)到物理極限,。未來(lái)如何讓開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)一步提高？現(xiàn)在市場(chǎng)上有兩個(gè)新材料,，一個(gè)是氮化鎵，還有一個(gè)是碳化硅,，都可以滿足這一要求,。

       氮化鎵和碳化硅最大特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率可以很高，材質(zhì)比較適合高壓的應(yīng)用,。碳化硅和氮化鎵兩個(gè)材質(zhì)各有各的特點(diǎn),，氮化鎵的電子流動(dòng)性會(huì)比較高，開(kāi)關(guān)性特別好,。碳化硅的高壓性能會(huì)比較好一些,。

主流氮化鎵產(chǎn)品對(duì)比

       我們的氮化鎵產(chǎn)品，從性能上說(shuō)具備許多優(yōu)勢(shì),。從應(yīng)用角度來(lái)看,，主要有以下幾種主流應(yīng)用。第一個(gè)應(yīng)用是太陽(yáng)能逆變,，這個(gè)應(yīng)用相對(duì)比較普遍,。產(chǎn)品體積可以比較小，能量密度很高,。其次是服務(wù)器電源的特有應(yīng)用,，可以達(dá)到最高 99%的效率，體積也更小。

      目前氮化鎵整體產(chǎn)業(yè)發(fā)展已經(jīng)步入到了新的階段,。第一代氮化鎵已經(jīng)達(dá)到硅基甚至比硅基有更好的物理性能,。下一代的產(chǎn)品會(huì)做更低成本、更好的性能?，F(xiàn)在已經(jīng)有越來(lái)越多的典型應(yīng)用采用氮化鎵功率產(chǎn)品,。今年是氮化鎵非常重要的一年。

       當(dāng)然,，由于是新技術(shù),，整體成本還是相對(duì)比較高的。這個(gè)產(chǎn)品剛推出的時(shí)候大概是硅基產(chǎn)品3倍的價(jià)格,，到2014年大概是2倍的范圍,。2015年隨著用量和生產(chǎn)制程的改進(jìn)，價(jià)格是1.5倍-1.6倍,。2016年我們預(yù)計(jì)隨著量產(chǎn),，價(jià)格會(huì)慢慢降低，可以做到1.2倍-1.3倍的價(jià)格,。這有利于氮化鎵產(chǎn)品的大規(guī)模推廣,。

       前面談到一個(gè)材質(zhì)叫碳化硅，它的襯底都是碳化硅做的,，碳化硅很硬,，要鉆石刀才能切割。從未來(lái)成本的角度看,，氮化鎵會(huì)比碳化硅更便宜,。