3 月 6 日消息,，杭州鎵仁半導(dǎo)體 Garen Semi 昨日宣布推出全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵 8 英寸，該公司也成為國際上首家掌握 8 英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)的企業(yè),。

鎵仁半導(dǎo)體此前于 2022,、2023、2024 年分別生長得到了 2 英寸,、4 英寸,、6 英寸的氧化鎵單晶，此次的 8 英寸單晶具有更優(yōu)秀的晶圓面積利用率,，同時與現(xiàn)有硅基晶圓廠的 8 英寸產(chǎn)線兼容,，將加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。

氧化鎵 —— 準(zhǔn)確地說是 β-Ga2O3 —— 具有較碳化硅,、氮化鎵更寬的 4.85eV 禁帶,，還具備優(yōu)秀的熱和化學(xué)穩(wěn)定性和更高的擊穿電場強度，是第四代半導(dǎo)體中的明星材料,。

基于氧化鎵的功率器件可提供更小的電阻和更高的轉(zhuǎn)換效率,，有望將新能源汽車平臺電壓推向 1200V,；同時氧化鎵材料擁有 260nm 的紫外截止邊，紫外波段的透過率受載流子濃度影響小,，適宜制造深紫外波段光電器件,。