文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2016.02.006
中文引用格式: 李志剛,張亞玲,梅霜. 溫度循環(huán)下IGBT熱阻退化模型的研究[J].電子技術應用,,2016,,42(2):25-27,31.
英文引用格式: Li Zhigang,,Zhang Yaling,,Mei Shuang. Research on IGBT thermal resistance degenetate model under temperature recycle[J].Application of Electronic Technique,2016,,42(2):25-27,,31.
0 引言
高頻化,、大功率化和集成化是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)不斷發(fā)展的方向[1]。功率和集成度的增加使得IGBT所承受的功率密度不斷升高,,同時隨著技術的不斷發(fā)展IGBT工作的頻率也不斷增大,,這些都使器件的發(fā)熱問題愈加嚴重。IGBT各層材料的厚度,、熱膨脹系數(shù),、熱導率、熱阻值和熱容值各不相同,,在溫度梯度與熱應力的反復沖擊下,,焊料層之間產(chǎn)生的剪切應力導致薄弱處將逐漸產(chǎn)生細微的裂紋。裂紋的不斷增加會減小硅芯片熱量傳導和焊料層的有效傳熱面積,,導致其平均溫度升高,,加速空洞的產(chǎn)生和封裝熱阻的增加[2]。風電系統(tǒng)的運行過程中,,服役期內運行周期To(in operation)和維修周期Tm(in maintaining)交替出現(xiàn),。如果能在維修周期中對模塊的特性進行檢測,從而估計它的健康狀態(tài)以及仍可安全運行的時間,,必然產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益,,并提高電網(wǎng)的安全運行。因此研究IGBT功率模塊在熱應力不斷沖擊過程中熱阻的老化規(guī)律,,并以此為依據(jù)對模塊的健康狀態(tài)進行評估,,預測模塊的剩余壽命具有十分重要的科學意義,。
1 IGBT熱疲勞形式分析
IGBT器件的熱疲勞現(xiàn)象通常分為兩種形式,一種是功率循環(huán)模式,,另一種是溫度循環(huán)模式,。功率循環(huán)加速老化方法通電時間短,冷卻時間長,,殼溫Tc在一個溫度沖擊循環(huán)過程中的變化較小,,而IGBT芯片的溫度(Tj)波動劇烈,該方法主要用于模擬鍵合線老化失效[3],。溫度循環(huán)加速老化方法一次循環(huán)時間較長,,較長的循環(huán)時間不僅使結溫波動量ΔTj較大,同時也使得殼溫Tc的變化幅值差ΔTc較大,,該方法能同時模擬鋁鍵合線和焊料層的老化失效[4],。
IGBT模塊內部材料結構的退化必然導致外部電熱參數(shù)出現(xiàn)一定變化,變化較為明顯的是模塊導通飽和壓降和熱阻,。由于飽和壓降測量較容易,,多數(shù)文獻研究飽和壓降的退化規(guī)律[5-7],本文則利用定制的IGBT老化實驗平臺和熱阻測試系統(tǒng)研究溫度循環(huán)下IGBT熱阻的退化規(guī)律,。
2 實驗原理和實驗平臺
2.1 試驗方案
正常工作情況下IGBT模塊的壽命約為10年,在正常工作下研究其退化規(guī)律花費時間過長,,因此考慮加速老化實驗,。如圖1所示為加速老化實驗的電路原理圖,圖中DUT為試驗器件,;PWR為程控試驗電源(5 V,,300 A);VG為G腳程控電壓(0~15 V),;RG為G腳串聯(lián)電阻(10 Ω/2 W),;RIS為電流互感器(0~300 A)。
具體實驗過程如下:首先對全新的IGBT器件進行測試,,用IGBT熱阻測試平臺測量IGBT器件溫度系數(shù),、飽和壓降及集電極電流,計算出熱阻,。然后對IGBT模塊進行溫度循環(huán)老化實驗,殼溫由40 ℃升溫到90 ℃,,再由90 ℃降溫至40 ℃,此為一個溫度循環(huán),,每循環(huán)1 000次后,,再采用熱阻測試系統(tǒng)測量IGBT器件溫度系數(shù)、飽和壓降及集電極電流,,計算出熱阻,。重復以上步驟,直到模塊老化失效,實驗停止,。
2.2 熱阻測試平臺
2.2.1 熱阻測量的原理
以結殼熱阻為例,,穩(wěn)態(tài)熱阻的定義式為:
式中,Tj為模塊的結溫,,Tc為模塊的殼溫(銅底板溫度),,Ploss為模塊的平均功率損耗。
殼溫可以通過在器件底部放置溫度傳感器獲得,,功率損耗可以通過測量導通飽和電壓和集電極電流計算得到,。但結溫是器件內部芯片上的最高結溫,不易直接測量,,因此采用熱敏參數(shù)法獲得器件的結溫,。小電流下半導體PN結電壓隨溫度變化具有非常好的線性,用半導體器件結電壓作為溫敏參數(shù),,測量其工作條件下的變化,,可以達到測量溫升及熱阻的目的。采用小電流下的IGBT集電極-發(fā)射極電壓作為熱敏參數(shù)的測量電路圖如圖2所示,。
2.2.2 試驗布驟
試驗分兩步進行:
(1)將IGBT模塊置于控溫箱中,,同時將控溫箱溫度設置為T1,通入測量電流IM,,測量此時的集射極電壓VCE1,;再將溫度設置為溫度值T2,測量溫度T2時的集射極電壓VCE2得到模塊的溫度系數(shù):
(2)將測試模塊從控溫箱中取出并固定在散熱器上,,測量此時模塊的殼溫Tc1,,通入測量電流IM來測試此時模塊的集射極電壓VCE3。接著,,對測試模塊通以加熱大電流IC,,當模塊達到熱平衡后測定此時的殼溫TC2以及集射極電壓VCE4。最后,,斷開開關K,,切斷加熱大電流并閉合K1通以小測試電流IM,在極短時間內測量此時的集射極電壓VCE5,。通過上述相關測量可以獲取通以加熱大電流后達到平衡時模塊溫度Tj的公式:
2.3 加速老化試驗平臺
加速老化實驗系統(tǒng)采用上位機控制方式,。系統(tǒng)配置十個相對獨立的老化實驗區(qū),每個老化實驗區(qū)由加熱電路(提供0~300 A直流電流),、驅動電路(提供0~20 V的驅動電壓)和冷卻系統(tǒng)(風機和散熱器)組成(如圖3所示),。其中①安裝平臺: 用于試驗器件的固定與散熱(中間帶有溫度探頭);②風機:用于試驗器件(包含散熱器)的輔助風冷散熱;③④:電源功率輸出的正端和負端(提供加熱電流);⑤⑥:驅動電源的正負極(為IGBT提供驅動電壓),。上位機可以實時顯示每個實驗區(qū)域的狀態(tài),、循環(huán)次數(shù),、采樣數(shù)、運行時間,、每個循環(huán)的導通時間和斷開時間,、Vcesat、導通電流,、殼溫等,。
3 實驗結果分析
3.1 多項式模型理論分析
3.1.1 多項式模型擬合次數(shù)選擇
多項式擬合次數(shù)越高對已有點的描述越貼切,但如果擬合次數(shù)過高的話又會削弱數(shù)據(jù)的趨勢性,,因此需要選定最佳的擬合次數(shù),。
設有n個成對的點x,y=(x1,,y1),、(x2,y2),、(x3,,y3)…(xn,yn)
對這n個點進行多項式擬合,,下標代表擬合多項式次數(shù)
3.1.2 多項式模型回歸分析
模型建立后需要對模型進行可信度檢驗,,本文用方差分析檢驗多元回歸模型的統(tǒng)計可信度。方差分析將因變量的變異分解成組內部分和組間部分,,然后比較組間部分和組內部分的相對大小,,據(jù)此來判斷基于樣本數(shù)據(jù)得到的回歸模型是否真實反映總體的變化規(guī)律。具體公式如下:
其中:SST為殘差平方和,,SST為總平方和,SSR為回歸平方和,,R2為判定系數(shù)
R2(0~1)反映趨勢線的估計值與對應的實際數(shù)據(jù)之間的擬合程度,,越接近1則說明趨勢線的可靠程度就越高。
3.2 實例分析
實驗中,,首先將全新的IGBT模塊放在調溫調濕箱中做小電流測試實驗,,測量IM分別為10 mA、30 mA,、50 mA,、100 mA時,IGBT模塊在不同結溫下的飽和壓降U(sat)ce,。結溫由恒溫箱控制,,使恒溫箱在某一溫度下保持足夠長的時間,此時IGBT結溫等于環(huán)境溫度,,且測試電流足夠小,,模塊在測量過程中不自熱,,認為結溫始終等于恒溫箱設定溫度。使恒溫箱的溫度從-20 ℃~100 ℃變化,,每隔10 ℃測量一次,。實驗結果如圖4所示,可以看出IGBT飽和壓降隨結溫基本成線性關系,,其中測試電流為100 mA時線性度最好,,因此選擇100 mA作為測量溫度系數(shù)的測試電流。
對100 mA下的測量結果進行線性擬合,,擬合結果如圖5所示,,得到溫度系數(shù)α=2.130 8,通過式(4)可以得到IGBT的初始熱阻為0.15 ℃/W,。將IGBT模塊放入老化設備中,,每經(jīng)過1 000次溫度循環(huán),測量模塊在100 mA下的溫度系數(shù),,并計算得到的熱阻,,直到器件失效為止。圖6為溫度循環(huán)下IGBT熱阻及其偏移量的波形,。
由圖可知,,隨著熱應力的不斷沖擊,IGBT的性能發(fā)生了一定程度的退化,,熱阻隨著溫度循環(huán)次數(shù)的增多不斷增大,。
通過對數(shù)據(jù)進行分析發(fā)現(xiàn)熱阻增量符合多項式模型,對熱阻增量進行不同次數(shù)的多項式擬合,,并用上述擬合次數(shù)選擇標準進行判斷,,發(fā)現(xiàn)熱阻退化量最佳擬合模型為四次多項式模型(擬合曲線如圖7所示)。
Rthp=0.349 7+0.001 1x+7×10-7x2-1×10-10x3+6×10-15x4
式中:x為溫度循環(huán)次數(shù),,Rthp為熱阻退化量,。
對擬合模型進行方差分析,得到擬合系數(shù)R2=0.995 7,,非常接近1,,說明擬合程度很好,IGBT熱阻在溫度循環(huán)下的退化模型符合四次多項式模型,。
4 結論
隨著溫度沖擊的不斷增加,,模塊焊料層出現(xiàn)疲勞損傷,外部特征表現(xiàn)為器件熱阻不斷增大,。對測得IGBT熱阻的退化數(shù)據(jù)進行分析,,發(fā)現(xiàn)退化數(shù)據(jù)符合多項式模型。在給定最佳模型判定條件下,,對實驗結果進行曲線擬合發(fā)現(xiàn)本次實驗IGBT熱阻退化規(guī)律最佳擬合模型為四次為多項式模型,。
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