1.高通將重回臺積電懷抱,，生產(chǎn)7nm芯片,？

　　高通（Qualcomm）為了新歡三星電子，一腳踢開舊愛臺積電,。不過臺積電正宮不是當假的,，自有辦法喚回變心情人,。J.P. Morgan 表示，臺積電的奈米制程進度超前,，預(yù)料 2018 年高通會回頭找上臺積電,，生產(chǎn) 7 奈米制程晶片。

　　霸 榮（Barronˋs）網(wǎng)站 7 日報導(dǎo),，高通為了 14 / 10 奈米制程舍棄臺積電,，轉(zhuǎn)向三星下單，今年的 14 奈米,、明年的 10 奈米晶片都由三星生產(chǎn),。高通原本是臺積電大客戶，2014 年占臺積電 20% 以上營收,，轉(zhuǎn)單之后比重驟降,，2016 年高通占臺積電營收比重減至 9%、2017 年更只剩 4%。

　　但是臺積電的正宮魅力不可小覷,，J.P. Morgan 預(yù)估,，2018 年高通又會重回臺積電懷抱。該行分析師哈戈谷（Gokul Hariharan）報告指出,，臺積電 10 奈米 / 7 奈米進度飛快,，聯(lián)發(fā)科、蘋果,、華為旗下的海思可能會在 2018 年上半采用 7 奈米制程,，應(yīng)會使高通回心轉(zhuǎn)意，再與臺積電合作,，生產(chǎn) 7 奈米晶片,。

　　哈戈谷表示，臺積電長期生產(chǎn)可編程邏輯晶片（FPGA）,、GPU,、網(wǎng)路和儲存晶片，在高效能的晶圓代工領(lǐng)域,，如數(shù)據(jù)中心晶片和高度運算晶片等,，表現(xiàn)優(yōu)于三星。幾乎所有 ARM 伺服器晶片廠商都只找臺積電代工,。

　　2.TCL李東生：以參股方式投資芯片項目,；

　　與資本市場大佬趙偉國的合作，讓李東生一現(xiàn)身兩會現(xiàn)場,，就引發(fā)記者圍攻,。

　　對于與趙偉國的合 作，全國人大代表,、TCL集團董事長李東生接受《證券日報》記者采訪時表示：“TCL目前不會投資芯片制造,，但將會以參股等形式參與芯片項目。我與趙偉國 的合作,，將不僅在芯片領(lǐng)域,，半導(dǎo)體顯示、智能化技術(shù)等領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)都是我們考慮的范圍,?！彼嘎叮壳八c趙偉國已經(jīng)鎖定下一個標的,，很快將展開行動,。

　　“并購是件意見復(fù)雜的事，與2004年我們完成第一件大型并購時相比,，現(xiàn)在的中國經(jīng)濟更強大，現(xiàn)在企業(yè)能夠從國家產(chǎn)業(yè)基金尋找支持，企業(yè)的并購能力也更強,。而我們也要適時尋找合作伙伴和資金支持,，在這輪產(chǎn)業(yè)調(diào)整中把握機會?！崩顤|生如是說,。

　　而近期他找到了資本大鱷趙偉國、牽起了互聯(lián)網(wǎng)大佬賈躍亭的手,，也正是出于看中這輪產(chǎn)業(yè)并購機會的考慮,。

　　這次與在市場掀起多筆億元級并購的趙偉國的合作，李東生在醞釀一個更大的局,。

　　“目前TCL沒有投資芯片制造的計劃,，但將會以參股等形式參與芯片項目?！崩顤|生告訴記者：“我們正在籌備智能專項投資基金,。隨著‘中國制造2025’實施的加快，中國在很多領(lǐng)域?qū)⒋罅坎捎弥悄芑夹g(shù)取代現(xiàn)有技術(shù),，這給我們的產(chǎn)業(yè)布局提供機會,。”

　　李東生直言,，三星并不難被超過,，并點贊華為?！安贿^華為手機盡管做的很不錯,，其主要的盈利還是來自于國內(nèi)，但是在海外,，華為手機與TCL在國外所面臨的處境一樣,，都賣不出很高的價格，很難和蘋果等品牌競爭,?！?/p>

　　直面與蘋果等企業(yè)的巨大差距，李東生表示,，TCL會做深消費電子這個產(chǎn)業(yè)鏈,，將圍繞半導(dǎo)體顯示以及芯片設(shè)計等技術(shù)密集以及資本密集的領(lǐng)域繼續(xù)加大投入。 “目前TCL在研發(fā)上投入很大,，去年投入了逾40億元,，占銷售收入比例的4%，目前公司專利申請量多集中在半導(dǎo)體顯示,、通訊,、互聯(lián)網(wǎng)和智能化三個領(lǐng)域,。”

　　李東生透露,，趙偉國負責找錢,，而他正在看項目?！跋乱粋€目標將很快落定,。”

　　“我們還會選擇一些并購機會,，擴大我們業(yè)務(wù)規(guī)模和產(chǎn)品線,。我們和紫光合資成立的產(chǎn)業(yè)并購基金，主要是用于這方面,?！崩顤|生說：“除了和紫光合作的并購基金之外，我們可能還會繼續(xù)參與若干個并購基金的項目,?！? 證券日報

　　3.聯(lián)發(fā)科2月營收減37％ 1年來新低 3月有機會挑戰(zhàn)1月高峰；

　　手機晶片聯(lián)發(fā)科(2454-TW)今(7)日公布2月營收,，達132億元,，較1月下滑37.9%，較去年同期則成長36.9%,，累計前2月營收達 345.7億元,，較去年同期成長27.39%；以聯(lián)發(fā)科給的第1季財測營收目標525-574億元計算,，聯(lián)發(fā)科第1季營收若可達高標,，3月營收不排除超越 1月高峰。

　　聯(lián)發(fā)科今日公布2月營收,，受工作天數(shù)減少因素影響,，加上客戶端提前在1月拉貨，因此營收較1月明顯修正,，月減幅度達37.9%,，不過由于合并立錡營收，因此仍較去年同期成長22%,。

　　聯(lián) 發(fā)科預(yù)期第1季營收受到淡季工作天數(shù)不足因素影響,，約較第4季減少7-15%，估達525-574億元,，1月營收沖上213億元,，創(chuàng)歷史第三高紀錄，2月 營收明顯修正,，但前2月營收已達345.7億元,，距離第1季財目標僅有179-228億元的缺口,，可預(yù)期3月營收將明顯回升，若第1季要挑戰(zhàn)高標,，3月營 收不排除有機會再挑戰(zhàn)1月高峰,。

　　聯(lián)發(fā)科對今年營收仍正面看，估年營收有機會較去年成長1成,，其中智慧型手機與物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)成長有2為束縛度，數(shù)位家庭微幅成長,。鉅亨網(wǎng)

　　4.SSD批發(fā)價大跌12％,，PC廠采購價直逼傳統(tǒng)硬盤；

　　TrendForce日前發(fā)布2016年SSD季報,，SSD的平均合約價格在今年第1季呈現(xiàn)衰退,，而SSD和HDD的價差最小將低于3美元，換句話說,，PC廠商用SSD來取代筆電內(nèi)建的傳統(tǒng)硬碟,，成本價兩者差不多。

　　全 球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下的記憶體儲存事業(yè)部門DRAMeXchange日前發(fā)布2016年SSD季報,，PC制造商采購SSD的平均合約價 格在今年第1季呈現(xiàn)衰退,，跌幅最多為12％，價格相當接近傳統(tǒng)HDD硬碟,。另外,，今年筆記型電腦采用SSD的搭載率將超過30％。

　　在SSD和HDD的價差方面,，根據(jù)DRAMeXchange,，在2016年，128GB的SSD和500GB的HDD之間的價差將低于3美元,，而256GB的SSD和1TB的HDD的價差也預(yù)期將低于7美元,。

　　而 從架構(gòu)來看，采用MLC架構(gòu)的SSD價格下降了10％～12％,，而TLC架構(gòu)的SSD則下跌了7％～12％,，DRAMeXchange表示，除了三星 （Samsung）以外的廠商,，大部分的SSD廠商才剛開始出貨他們的TLC架構(gòu)SSD,，所以TLC架構(gòu)的SSD價格跌幅較MLC架構(gòu)低。

　　另外,，第1季通常是筆記型電腦的淡季,，且是一年當中工作日較少的季度，因此,，PC制造商會減少采購,，導(dǎo)致SSD囤貨需求大幅下滑,。同時，NAND快閃記憶體供應(yīng)商因為產(chǎn)業(yè)的整體產(chǎn)能大幅提升,，所以只能持續(xù)減低產(chǎn)品價格,。

　　DRAMeXchange 也預(yù)估，用戶端SSD（Client-SSD）總出貨量在今年第1季相較于前一季將下降4％～6％,，而筆記型電腦出貨量的跌幅比SSD出貨量的跌幅還嚴 重,，所以在第1季出貨的筆記型電腦中，將有大量的電腦搭載SSD,，因此,，全球筆記型電腦的SSD搭載率不減反增，提升了30％～31％,。

　　以 SSD供應(yīng)商來看,，三星有采用3D NAND快閃記憶體技術(shù)的TLC架構(gòu)SSD，將持續(xù)主導(dǎo)今年SSD市場價格的優(yōu)勢,，而其他SSD制造商如SanDisk,、光寶科技（Liteon） 、東芝（Toshiba）和SK海力士（SK Hynix）,，將加緊提升15奈米或16奈米制程的TLC架構(gòu)SSD出貨量,，藉此獲取更高的利潤。

　　另外,，根據(jù)DRAMeXchange,，目前僅有三星大量生產(chǎn)3D NAND快閃記憶體技術(shù)的SSD，其他廠商的3D NAND快閃記憶體技術(shù)SSD最快在第2季才會出貨,。ithome

　　5.歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù),；

　　歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道,。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求,，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統(tǒng),。

　　除了IBM (瑞士),，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI,、瑞典隆德大學(xué)(Lund University),、英國格拉斯哥大學(xué)(University of Glasgow)以及愛爾蘭丁鐸爾國家研究所(Tyndall National Institute)等組織聯(lián)手進行。

　　以IBM與隆德大學(xué)為主導(dǎo)的這項計劃可分為兩個階段,，IBM專注于傳統(tǒng)平面電晶體原型與III-V族通道,，而隆德大學(xué)則將深入研究垂直III-V族電晶體通道的可用性。

　　“首先,，合作夥伴們將先共同確定水平或垂直電晶體原型是否最具有遠景,，”IBM的科學(xué)家Lukas Czornomaz介紹,，“接著，我們將聯(lián)手在三年計劃屆滿以前推出一款射頻(RF)測試電路,，例如功率放大器(PA),。”

　　IBM 有信心其平面方法將可發(fā)揮效用,，因為該公司已經(jīng)在一份去年發(fā)表的研究報告(該報告主題為IBM Scientists Present III-V Epitaxy and Integration to Go Below 14nm)中證實了這一途徑在14nm及其后的可行性,。

　　IBM 的制程途徑是透過其所謂的“模板輔助選擇性外延”(TASE)技術(shù)。研究人員在矽基板上得以相容前閘極(gate-first) CMOS的理想III-V族電晶體通道所在位置生長氧化物銅絲,。接著再用III-V材料涂布奈米線,，使其僅在1奈米級或埃級的區(qū)域接觸基板。最后,，研究人 員從III-V涂布奈米線內(nèi)部移去氧化層，因而使III-V族奈米管電晶體通道準確地位于正確位置,。

　　(a)采用IBM技術(shù)整合于矽晶上的III-V族半導(dǎo)體橫截面圖,。由堆疊斷層組成的晶種區(qū)(b,c)存在較多缺陷，而遠離晶種區(qū)域可觀察到完美晶格結(jié)構(gòu)——未與矽晶匹配的部份僅8%,，呈現(xiàn)完全松弛的III-V結(jié)構(gòu)(d,e)

　　IBM預(yù)期,，毫米波(mmWave)的RF性能功耗水準比目前更低得多，不僅可用于促進5G進展,，同時還可用于認知電腦,、下一代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及基于云端的支援平臺。

　　INSIGHT 計劃的既定目標在于使CMOS擴展到超越7nm節(jié)點以后,，從而開啟一個以超高性能SoC服務(wù)為基礎(chǔ)的全新應(yīng)用范圍,。除了IBM與隆德大學(xué)，包括 Fraunhofer,、LETI,、格拉斯哥大學(xué)與丁鐸爾國家研究所等其他合作夥伴也分別為這項計劃貢獻在III-V族CMOS方面的專業(yè)知識與技術(shù)。

　　6.日月光公布日矽并民調(diào) 矽品四點質(zhì)疑 批問卷對象錯誤

　　日月光今(7)日發(fā)表日矽并民調(diào),，矽品對此回應(yīng),，日月光為遂其惡意并購之私利，連政治選舉手段都用上,，矽品對此民調(diào)提出四點質(zhì)疑,，包含問卷設(shè)計不專業(yè)，問卷對象錯誤,，未提供充分資訊與不敢提惡意并購,。

　　矽品針對日月光今日發(fā)表的民調(diào)，提出四點質(zhì)疑,，批日月光為其惡意并購之目的,，也用上政治手段,。

　　矽品質(zhì)疑，日月光民調(diào)問卷設(shè)計不專業(yè),，將專業(yè)問題當成公民題目,，是社會上最反感的操作民粹，若將問卷題目換成矽品并購日月光或日月光并購任一公司,，相信都會得到相同的答案,。

　　再者，矽品質(zhì)疑,，日月光的問卷對象錯誤,，矽品認為，作民調(diào)也應(yīng)以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從業(yè)人員為對象,，并購與否是專業(yè)問題,，與一般人民無關(guān)，因此采信度很低,。

　　第 三,，矽品質(zhì)疑，日月光民調(diào)并未提供充分資訊,，一般民眾并不了解,，惡意壟斷型并購會限制上下游產(chǎn)業(yè)競爭、造成同業(yè)被淘汰,，還有大量失業(yè)人員,，技術(shù)及訂單數(shù)百 億元流失到中國大陸及其他國家等，加上惡意并購帶來企業(yè)文化問題,、整并困難,，恐讓臺灣損失一名世界杯國家代表隊等，因此,，資訊不足的民調(diào)根本不可取,。

　　最后，矽品質(zhì)疑,，日月光的民調(diào)甚至不敢提惡意并購,，足見日月光管理者的心虛與取巧，也凸顯日月光惡意并購的正當性不足,。