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ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

2016-03-23

  ARM與臺積公司(TSMC)共同宣布一項為期多年的協(xié)議,,針對7奈米FinFET制程技術(shù)進行合作,,包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計解決方案,。這項新協(xié)議將擴大雙方長期的合作夥伴關(guān)系,,推動先進制程技術(shù)向前邁進,超越行動產(chǎn)品的應用并進入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領(lǐng)域,。此外,,這項協(xié)議并延續(xù)先前采用ARM Artisan基礎(chǔ)實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

  ARM執(zhí)行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Pete Hutton表示:“既有以ARM為基礎(chǔ)的平臺已展現(xiàn)提升高達10倍運算密度的能力,,支援特定資料中心的工作負載,,未來ARM特別為資料中心與網(wǎng)路架構(gòu)量身設(shè)計,并針對臺積公司7奈米FinFET進行最佳化的技術(shù),,將協(xié)助雙方客戶在各種不同效能產(chǎn)品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構(gòu),。”

  臺積公司研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示:“臺積公司持續(xù)投入先進制程技術(shù)的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功,,藉由7奈米FinFET制程,,我們的制程與設(shè)計生態(tài)環(huán)境解決方案已經(jīng)從行動擴大到高效能運算的應用??蛻粼O(shè)計的下一世代高效能運算系統(tǒng)單晶片將受惠于臺積公司領(lǐng)先業(yè)界的7奈米FinFET制程,。相較于10奈米FinFET制程,7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢,,或在相同效能下提供更低的功耗,。ARM與臺積公司共同最佳化的解決方案將能夠協(xié)助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場首創(chuàng)的產(chǎn)品,。”

  此項最新協(xié)議奠基于ARM與臺積公司先前在16奈米FinFET與10奈米FinFET制程技術(shù)成功的合作基礎(chǔ)之上,。臺積公司與ARM長期保持合作,,共同創(chuàng)新,提供先進的制程與矽智財來協(xié)助客戶加速產(chǎn)品開發(fā)周期,。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及采用16奈米FinFET與10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72處理器設(shè)計定案,。


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