據(jù)可靠的消息人士透露,，高通(Qualcomm)采用10nmFinFET制程生產(chǎn)的驍龍(Snapdragon)830處理器將在今年內(nèi)(2016年內(nèi))發(fā)表,，且搭載該款處理器的智能手機產(chǎn)品(首發(fā)機)將在明年(2017年)Q1現(xiàn)身。

　　據(jù)報導(dǎo),，除驍龍830之外,，目前也已知有比現(xiàn)行驍龍820擁有更高性能的驍龍823處理器的存在，而該款驍龍823產(chǎn)品似乎將持續(xù)采用14nmFinFET制程,。

　　報導(dǎo)指出,，從搭載驍龍830的智能手機可能會在明年Q1現(xiàn)身這點來看，驍龍830可能將撘載在叁星GalaxyS7,、LGG5,、小米Mi5或宏達電HTC10等旗艦機種的后繼機種上。

　　微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料稱,，高通驍龍830(代號為“MSM8998”)將采用叁星10nm制程,、撘載改良版“Kryo”架構(gòu)、且將支援8GBRAM,，預(yù)計將在2017年初發(fā)布,。

　　為了對抗高通驍龍820，聯(lián)發(fā)科3月16日在深圳宣布自家十核心芯片HelioX20即將上市,，且更在會場上發(fā)布更高階的HelioX25(用來對抗驍龍823?);而聯(lián)發(fā)科用來對抗驍龍830的產(chǎn)品,，應(yīng)該就是傳聞將采用臺積電10nm制程的HelioX30。

　　Arena,、GSMArena3月30日引述中國MTK手機網(wǎng)報導(dǎo),，知情人士透露，聯(lián)發(fā)科X30將進一步深挖叁叢十核的潛力,，不僅確認會應(yīng)用 10納米制程,，且是采用臺積電10nmFinFET工藝，預(yù)估最快6月就能成功“設(shè)計定案”(tape-out),，有望年底實現(xiàn)量產(chǎn),。

　　韓國時報報導(dǎo)，BernsteinResearch分析師Mark.C.Newman3月10日發(fā)表研究報告指出,，叁星的進度雖然有些拖延,，但 仍可搶下“業(yè)界第一個10納米晶圓代工廠”的頭銜，臺積電,、英特爾將會緊跟在后,，至于格羅方德(GlobalFoundries)則幾乎趕不上。

　　Bernstein預(yù)估,，叁星的10納米制程技術(shù)會在今年稍晚小幅投產(chǎn),，主要代工自家的處理器以及高通次代行動芯片組“Snapdragon830”。不過,，臺積電仍不容小覷,，拜產(chǎn)能龐大之賜,，臺積電也許將后來居上、產(chǎn)量會更多,。