文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2016.04.036
中文引用格式: 劉松,,楊營(yíng). 功率MOSFET雪崩能量及雪崩失效分析[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2016,,42(4):132-134.
英文引用格式: Liu Song,,Yang Ying. Power MOSFET avalanche energy and avalanche failure analysis[J].Application of Electronic Technique,2016,,42(4):132-134.
0 引言
功率MOSFET管在一些極端的邊界條件下的實(shí)際應(yīng)用中,如系統(tǒng)的輸出短路及過(guò)載測(cè)試,,輸入過(guò)電壓測(cè)試以及動(dòng)態(tài)的老化測(cè)試中,,有時(shí)會(huì)發(fā)生過(guò)壓的損壞。過(guò)壓損壞通常直接理解為雪崩失效損壞,,因?yàn)檠┍赖倪^(guò)程伴隨著過(guò)壓的現(xiàn)象,。因此,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,,定義了在非箝位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)條件下,,雪崩電流和雪崩能量的額定值,有些公司還給出了大單脈沖和多脈沖條件下,,參考雪崩電流和雪崩能量的額定值考查功率MOSFET抗過(guò)壓雪崩的能力,。
數(shù)據(jù)表中雪崩電流和雪崩能量的額定值對(duì)應(yīng)著一定的測(cè)試條件,特別是不同的公司有時(shí)候使用不同的測(cè)量電感值,,導(dǎo)致工程師無(wú)法在相同的條件下進(jìn)行比較,;即便是使用相同的測(cè)量電感值,系統(tǒng)的工作條件和數(shù)據(jù)表中給定的測(cè)試并不相同,。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表中,,所使用的電感比實(shí)際應(yīng)用的電感值要大很多,如對(duì)于低壓功率MOSFET,,額定電壓低于30 V,,行業(yè)內(nèi)采用的測(cè)試雪崩能量的電感值為0.1 mH。過(guò)去,只有在低工作頻率和大電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,,才會(huì)發(fā)生非箝位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)的雪崩現(xiàn)象,,而在這種使用中,電機(jī)的電感比較大,,行業(yè)內(nèi)就采用大電感來(lái)評(píng)估功率MOSFET管的雪崩能力,。因此,數(shù)據(jù)表中雪崩能量只具有參考的價(jià)值,,本文將詳細(xì)地討論這些問(wèn)題,,從而更加明確地理解功率MOSFET的雪崩能量。
1 數(shù)據(jù)表中雪崩能量值
雪崩電流在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中標(biāo)示為IAV,,雪崩能量代表功率MOSFET管抗過(guò)電壓沖擊的能力,。在測(cè)試雪崩能量過(guò)程中,選取一定的電感值,,然后將電流增大,,也就是功率MOSFET開(kāi)通的時(shí)間增加,電流也就越大,,然后關(guān)斷,,重復(fù)這個(gè)開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程,直到功率MOSFET損壞,,對(duì)應(yīng)的最大電流值就是最大的雪崩電流,。注意到在測(cè)量雪崩能量時(shí),功率MOSFET工作在非箝位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)UIS狀態(tài)下,,具體的測(cè)試電路及其工作原理可以參考文獻(xiàn)[1-7],。
在數(shù)據(jù)表中,標(biāo)稱(chēng)的IAV通常要將前面的測(cè)試值做70%或80%降額處理,,因此它是一個(gè)可以保證的參數(shù),。功率MOSFET供應(yīng)商會(huì)對(duì)這個(gè)參數(shù)在生產(chǎn)線(xiàn)上做100%全部檢測(cè),因?yàn)樵趯?shí)際的測(cè)試中,,雪崩的電流有降額,,因此不會(huì)損壞功率MOSFET管。
采用的電感值不同,,雪崩的電流值也不同,,因此雪崩能量也不同。對(duì)于不同的工藝和平臺(tái),,經(jīng)常出現(xiàn)這樣的現(xiàn)象:在大電感的時(shí)候,,其中一個(gè)功率MOSFET管的雪崩能量比另一個(gè)大,但是,,在小電感的時(shí)候,,前者的雪崩能量反而小于后者,。不同的電子系統(tǒng)中,負(fù)載的電感值并不相同,,因此,,對(duì)于一個(gè)功率MOSFET管,需要研究在不同的電感條件下雪崩的能力,。
2 使用不同電感測(cè)量雪崩能量
本文研究的功率MOSFET管為AON6232A,額定電壓40 V,,導(dǎo)通電阻2.9 mΩ,,封裝DNF5*6。使用的電感值分別為:500 nH,、10 μH,、100 μH。在許多開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中,,最?lèi)毫拥臈l件是電感或變壓器發(fā)生飽和,,這樣儲(chǔ)能的電感主要為線(xiàn)路的寄生電感,功率回路寄生電感通常為200~500 nH,,本文使用500 nH的電感值,。將損壞的功率MOSFET去除外面的塑料外殼,就可以得到露出的硅片正面失效損壞的形態(tài),。測(cè)量的結(jié)果,、波形及失效損壞的圖片分別如圖1和圖2所示。
3 不同電感值損壞的模式分析
從圖1可以看到,,隨著電感值的降低,,雪崩電流及雪崩能量也隨著降低,但它們之間并不是線(xiàn)性降低,,特別是雪崩能量,,降低的幅度更大。主要的原因在于,,當(dāng)電感值降低時(shí),,功率MOSFET管發(fā)生雪崩損壞的電流急劇增加,在同樣的測(cè)試電壓時(shí),,小的電感導(dǎo)致電感電流也就是流過(guò)功率MOSFET管的電流的di/dt也急劇增加,。功率MOSFET管損壞的直接原因是因?yàn)榧訜岷螽a(chǎn)生的熱量不能及時(shí)地耗散出去,導(dǎo)致局部的單元過(guò)熱而損壞,。
小的電感產(chǎn)生di/dt大,,同樣的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的能量大,由于內(nèi)部熱容的延遲效應(yīng),,熱量并不能及時(shí)耗散出去,,因此,,相比大電感的測(cè)試條件,功率MOSFET管在小電感的雪崩電流及雪崩能量明顯降低,。
從VDS波形來(lái)看,,可以看到明顯的電壓箝位,也就是電壓平臺(tái),,這也是真正的雪崩電壓值,。功率MOSFET管發(fā)生雪崩損壞的位置在關(guān)斷過(guò)程中,VDS的電壓發(fā)生轉(zhuǎn)折點(diǎn)的位置,??梢钥吹剑姼性叫?,損壞發(fā)生的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的電壓越高,,這也表明,在小電感時(shí),,功率MOSFET管發(fā)生雪崩損壞的速度更快,。
功率MOSFET管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和等效電路如圖3所示,其內(nèi)部有一個(gè)寄生三極管,,在關(guān)斷過(guò)程中,,如果大的電流流過(guò)寄生三極管的Rb,那么寄生三極管導(dǎo)通,,電流將集中寄生三極管導(dǎo)通的局部區(qū)域,,而三極管是負(fù)溫度系數(shù):溫度越高,流過(guò)局部區(qū)域的電流越大,,溫度進(jìn)一步增大,,從而導(dǎo)致功率MOSFET內(nèi)部形成局部的熱點(diǎn)而損壞。
在關(guān)斷的過(guò)程中,,流過(guò)Rb的電流由3部分電流組成:(1)從溝道中偏移到體內(nèi)的電流,;(2)寄生二極管的反向電流;(3)由dv/dt和Cds產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)電流,。因此,,大電流快速關(guān)斷時(shí),流過(guò)Rb的電流最大,,寄生三極管最容易發(fā)生導(dǎo)通,,從而損壞功率MOSFET管。在一些極端的條件下,,由于內(nèi)部寄生三極管更早地導(dǎo)通,,甚至在電壓的波形上,看不到箝位的電壓平臺(tái),,就直接損壞,。
從失效的圖片來(lái)看,,電感越小,產(chǎn)生損壞的區(qū)域也越大,,主要的原因是電感小時(shí),,雪崩的電流大,大電流的沖擊形成更大的損壞區(qū)域,。電感小時(shí),,雪崩的電流小,硅片的溫度相對(duì)上升得慢,,內(nèi)部更容易平衡,,失效的形態(tài)是在硅片中間的某一個(gè)位置產(chǎn)生一個(gè)較小的擊穿小孔洞,通常稱(chēng)為熱點(diǎn),,其產(chǎn)生的原因就是因?yàn)檫^(guò)壓而產(chǎn)生雪崩擊穿。硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置,,也是最容易產(chǎn)生熱點(diǎn)的地方,。
小電感發(fā)生雪崩時(shí),產(chǎn)生的電流更大,,損壞的區(qū)域更靠近功率MOSFET的S極,,這是因?yàn)樵诖箅娏鲿r(shí),全部流過(guò)功率MOSFET,,所有的電流全部要匯集中S極,,這樣,S極附近區(qū)域更易產(chǎn)生電流集中,,因此溫度最高,,也最容易產(chǎn)生損壞。
4 結(jié)論
(1)功率MOSFET的雪崩能量受電感值的影響,,電感越小,,雪崩電流越大,而雪崩的能量越低,,而且,,雪崩電流及雪崩能量和測(cè)試電感并沒(méi)有線(xiàn)性的關(guān)系。
(2)小電感雪崩時(shí),,更大的電流和更快的電流上升率,,由此產(chǎn)生更快的溫度上升率,能量不能及時(shí)耗散出去,,是導(dǎo)致小電感雪崩能量急劇降低的原因,。
(3)大電感雪崩產(chǎn)生損壞的區(qū)域小,小電感雪崩由于大電流沖擊產(chǎn)生損壞的區(qū)域大,,而且損壞距離更靠近S極,。小電感條件下,,大電流快速關(guān)斷更容易導(dǎo)致內(nèi)部寄生三極管導(dǎo)通,損壞器件,。
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