在汽車電子的驅動負載的各種應用中,最常見的半導體元件就是功率MOSFET了。本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計,。

　　數(shù)據表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。對于前者,在任何情況下都不能超過，否則器件將永久損害;對于后者,一般以最小值,、最大值、和典型值的形式給出,，它們的值與測試方法和應用條件密切相關,。在實際應用中，若超出電氣特性值,，器件本身并不一定損壞,，但如果設計裕度不足，可能導致電路工作失常,。

　　在功率MOSFET的數(shù)據表給出的參數(shù)中, 通常最為關心的基本參數(shù)為,、、Q_gs,、和V_gs,。更為高級一些的參數(shù),如I_D、Rthjc,、SOA,、Transfer Curve、E_AS等,，將在本文的下篇中再做介紹,。

　　為了使每個參數(shù)的說明更具備直觀性和易于理解，選用了英飛凌公司的功率MOSFET,，型號為IPD90N06S4-04(http://www.infineon.com/optimos-T),。本文中所有的表格和圖表也是從IPD90N06S4-04中摘錄出來的,。下面就對這些參數(shù)做逐一的介紹。

　　 : 通態(tài)電阻,。是和溫度和V_gs相關的參數(shù),，是MOSFET重要的參數(shù)之一。在數(shù)據表中,，給出了在室溫下的典型值和最大值,，并給出了得到這個值的測試條件，詳見下表,。

　　除了表格以外,，數(shù)據表中還給出了通態(tài)電阻隨著結溫變化的數(shù)據圖。從圖中可以看出,，結溫越高,，通態(tài)電阻越高。正是由于這個特性,，當單個功率MOSFET的電流容量不夠時,，可以采用多個同類型的功率MOSFET并聯(lián)來進行擴流。

　　如果需要計算在指定溫度下的,，可以采用以下的計算公式,。

　　上式中 為與工藝技術有關的常數(shù)，對于英飛凌的此類功率MOSFET,，可以采用0.4作為常數(shù)值,。如果需要快速的估算，可以粗略認為：在最高結溫下的 通態(tài)電阻是室溫下通態(tài)電阻的2倍,。下表的曲線給出了隨環(huán)境溫度變化的關系,。

　　:定義了MOSFET的源級和漏級的最大能購承受的直流電壓,。在數(shù)據表中,此參數(shù)都會在數(shù)據表的首頁給出,。注意給出的值是在室溫下的值。

　　此外,，數(shù)據表中還會給出在全溫范圍內(-55 C…+175 C)  隨著溫度變化的曲線,。

　　從上表中可以看出，是隨著溫度變化的,，所以在設計中要注意在極限溫度下的 仍然能夠滿足系統(tǒng)電源對 的要求,。

　　Q_gs：數(shù)據表中給出了為了使功率MOSFET導通時在給定了的V_ds電壓下，當Q_gs變化時的柵級電荷變化的曲線,。從圖表中可以看出,，為了使MOSFET完全導通，Q_gs的典型值約等于10V,，由于器件完全導通,，可以減少器件的靜態(tài)損耗,。

　　V_gs:描述了在指定了漏級電流下需要的柵源電壓。數(shù)據表中給出的是在室溫下,，當V_ds= V_gs時,，漏極電流在微安等級時的V_gs電壓。數(shù)據表中給出了最小值,、典型值和最大值,。

　　需要注意的是，在同樣的漏極電流下,，V_gs電壓會隨著結溫的升高而減小,。在高結溫的情況下，漏極電流已經接近達到了I_dss (漏極電流),。為此,，數(shù)據表中還會給出一條比常溫下指定電流大10倍的漏極電流曲線作為設計參考。如下圖所示,。

　　以上介紹了在功率MOSFET數(shù)據表中最為設計者關心的基本參數(shù),、、Q_gs,、和V_gs,。

　　為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù)，本文仍然選用英飛凌公司的功率MOSFET為例,，型號為IPD90N06S4-04(http://www.infineon.com/optimos-T),。為了使每個參數(shù)的說明更具備直觀性和易于理解，所有的表格和圖表也是從IPD90N06S4-04中摘錄出來的,。下面就對這些參數(shù)做逐一的介紹,。

　　如果需要更好的理解功率MOSFET，則需要了解更多的一些參數(shù),，這些參數(shù)對于設計都是十分必要和有用的,。這些參數(shù)是I_D、R_thjc,、SOA,、Transfer Curve、和E_AS,。

　　I_D:定義了在室溫下漏級可以長期工作的電流,。需要注意的是，這個I_D電流的是在V_gs在給定電壓下,，T_C=25℃下的I_D電流值,。

　　I_D的大小可以由以下的公式計算：

　　以IPD90N06S4-04為例，計算出的結果等于169A,。為何在數(shù)據表上只標注90A呢,？這是因為最大的電流受限于封裝腳位與焊線直徑,，在數(shù)據表的注釋1）中可以看到詳細的解釋。如下表所示：

　　此外,，數(shù)據表中還給出了I_D和結溫之間的曲線關系,。從下表中可以看出，當環(huán)境溫度升高時,  I_D會隨著溫度而變化,。在最差的情況下,需要考慮在最大環(huán)境溫度下的I_D的電流仍然滿足電路設計的正常電流的要求,。

　　R_thjc：溫阻是對設計者需要非常

關注的設計參數(shù)，特別是當需要計算功率MOSFET在單脈沖和不同占空比時的功率損耗時,，就需要查看這個數(shù)據表來進行設計估算,。筆者將在如何用數(shù)據表來進行設計估算中來具體解釋。

　　SOA：功率MOSFET的過載能力較低,，為了保證器件安全工作,，具有較高的穩(wěn)定性和較長的壽命，對器件承受的電流,、電壓,、和功率有一定的限制。把這種限制用U_ds-I_d坐標平面表示,，便構成功率MOSFET的安全工作區(qū) （Safe Operating Area,，縮稱SOA）。同一種器件,，其SOA的大小與偏置電壓,、冷卻條件、和開關方式等都有關系,。如果要細分SOA,，還有二種分法。按柵極偏置分為正偏置SOA和反偏置SOA,；按信號占空比來分為直流SOA,、單脈沖SOA、和重復脈沖SOA,。

　　功率MOSFET在開通過程及穩(wěn)定導通時必須保持柵極的正確偏置,，正偏置SOA是器件處于通態(tài)下容許的工作范圍,；相反,，當關斷器件時，為了提高關斷速度和可靠性,，需要使柵極處于反偏置,，所以反偏置SOA是器件關斷時容許的工作范圍。

　　直流SOA相當于占空比－>1是的工作條件,；單脈沖SOA則對應于占空比－> 0時的工作條件,；重復脈沖SOA對應于占空比在0 < D < 1時的工作條件,。從數(shù)據表上可以看出：單脈沖SOA最大，重復脈沖SOA次之,，直流SOA最窄,。

　　Transfer Curve：是用圖表的方式表達出I_D和V_gs的函數(shù)關系。廠商會給出在不同環(huán)境溫度下的三條曲線,。通常這三條曲線都會相交與一點,，這個點叫做溫度穩(wěn)定點。

　　如果加在MOSFET的V_gs低于溫度穩(wěn)定點（在IPD90N06S4-04中是V_gs<6.2V）,，此時的MOSFET是正溫度系數(shù)的,，就是說，I_D的電流是隨著結溫同時增加的,。在設計中,，當應用在大電流的設計中時，應避免使功率MOSFET工作在在正溫度系數(shù)區(qū)域,。

　　當V_gs超過溫度穩(wěn)定點（在IPD90N06S4-04中是V_gs>6.2V）, MOSFET是正溫度系數(shù)的, 就是說,，I_D的電流是隨著結溫的增加是減少的。這在實際應用中是一個非常好的特性,，特別是是在大電流的設計應用中時,，這個特性會幫助功率MOSFET通過減少I_D電流來減少結溫的增加。

　　E_AS: 為了了解在雪崩電流情況下功率MOSFET的工作情況,，數(shù)據表中給出了雪崩電流和時間對應的曲線,，這個曲線上可以讀出在相應的雪崩電流下，功率MOSFET在不損壞的情況下能夠承受的時間,。對于同樣的雪崩能量,，如果雪崩電流減少，能夠承受的時間會變長,，反之亦然,。環(huán)境溫度對于雪崩電流的等級也有影響，當環(huán)境溫度升高時,，由于收到最大結溫的限制,，能夠承受的雪崩電流會減少。

　　數(shù)據表中給出了功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值,。在次例子中,，室溫下的E_AS=331mJ

　　上表給出的只是在室溫下的E_AS，在設計中還需要用到在不同環(huán)境溫度下的E_AS,，廠商在數(shù)據表中也會給出,，如下圖所示。