臺灣臺積電（TSMC）在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等,。該公司將采用在直徑150mm（6英寸）的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”（GaN on Si）技術生產GaN晶體管,。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：（1）常開型（Normal On）MISFET、（2）常開型HEMT,、（3）常關型（Normal Off）,。按耐壓高低來分有40V,、100V和650V產品,。
其中，耐壓650V的常關型HEMT已開始受托生產,。臺積電在演講中介紹了該元件的特性,。在運行時導通電阻會升高的崩潰（Collapse）特性方面，僅為運行前電阻值的1.3～1.4倍,。
此外,，關于常關型HEMT，臺積電將于2016年6月開始受托生產耐壓100V的產品,。關于常開型HEMT,，該公司預定從2016年9月開始受托生產耐壓100V的產品。常開型MISFET方面,，預定從2016年6月開始受托生產耐壓650V的產品和耐壓100V的產品,。
目前臺積電設想使用直徑150mm的硅基板，將來還打算使用更大尺寸的基板,。該公司的演講者表示,，“具體情況不便透露，3年后也許可以使用200mm（8英寸）基板”,。
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