臺灣臺積電（TSMC）在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm（6英寸）的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”（GaN on Si）技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。

　　臺積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：（1）常開型（Normal On）MISFET,、（2）常開型HEMT、（3）常關(guān)型（Normal Off）,。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品,。

　　其中,，耐壓650V的常關(guān)型HEMT已開始受托生產(chǎn)。臺積電在演講中介紹了該元件的特性,。在運(yùn)行時導(dǎo)通電阻會升高的崩潰（Collapse）特性方面,，僅為運(yùn)行前電阻值的1.3～1.4倍。

　　此外,，關(guān)于常關(guān)型HEMT,，臺積電將于2016年6月開始受托生產(chǎn)耐壓100V的產(chǎn)品。關(guān)于常開型HEMT,，該公司預(yù)定從2016年9月開始受托生產(chǎn)耐壓100V的產(chǎn)品,。常開型MISFET方面,，預(yù)定從2016年6月開始受托生產(chǎn)耐壓650V的產(chǎn)品和耐壓100V的產(chǎn)品,。

　　目前臺積電設(shè)想使用直徑150mm的硅基板，將來還打算使用更大尺寸的基板,。該公司的演講者表示,，“具體情況不便透露，3年后也許可以使用200mm（8英寸）基板”,。