賓夕法尼亞,、MALVERN — 2016 年 7 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能,。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK?  SO-8L雙片不對稱封裝里,，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ,。

　　12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導(dǎo)通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關(guān)速度更快,，可替換性能較低的標(biāo)準(zhǔn)雙片器件,，而標(biāo)準(zhǔn)器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設(shè)計使用最優(yōu)的MOSFET組合,。相比于使用分立器件,，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實現(xiàn)更小尺寸的PCB設(shè)計,。

　　今天發(fā)布的器件可在+175℃高溫下工作,，能夠滿足信息娛樂系統(tǒng)、車載信息服務(wù),、導(dǎo)航和LED照明等汽車應(yīng)用對耐用性和可靠性的要求,。SQJ202EP很適合總線電壓≤ 8V的應(yīng)用，通道2的低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻只有3.3mΩ,。20V SQJ200EP適合電壓較高的應(yīng)用，最大導(dǎo)通電阻為3.7mΩ,，稍高一些,。兩顆器件都進(jìn)行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS,，無鹵素,。

　　器件規(guī)格表：

　　SQJ200EP和SQJ202EP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十二周,。