GreenBridge 提供的熱性能,、效率和尺寸優(yōu)勢(shì)都要優(yōu)于 POE PD 中使用的二極管

　　加利福尼亞桑尼維爾 – 2016 年7月 26日 — 高性能半導(dǎo)體解決方案全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天發(fā)布了FDMQ8205,，這增強(qiáng)了其業(yè)界領(lǐng)先的 GreenBridge? 4顆MOSFET有源橋技術(shù)。FDMQ8205是其 GreenBridge 新一代產(chǎn)品系列中第一款產(chǎn)品,，適合于通過(guò)POE供電的應(yīng)用,，諸如安全攝像機(jī),、無(wú)線接入點(diǎn)、LED 照明和其他用電設(shè)備 (PD),。 通過(guò)利用 GreenBridge 方案提供的業(yè)界最佳 Rdson 性能、極小的尺寸和卓越的熱性能,，設(shè)計(jì)人員能夠降低設(shè)備的工作溫度,、提高效率并減少解決方案的尺寸。

　　先進(jìn)的GreenBridge技術(shù)符合IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn),，比肖特基二極管的功耗小90%,。這種卓越的熱性能讓設(shè)計(jì)者能夠減小甚至不使用散熱器,，以便簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，降低BOM成本,，縮小電路板尺寸,。

　　Fairchild 智能功率FET 事業(yè)部副總裁 Suman Narayan 表示： “對(duì)于熱的處理一直都是一個(gè)重大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，對(duì)于新一代功率高達(dá)甚至超過(guò)25.5W的IoT設(shè)備更是如此,。我們的 GreenBridge 采用最新的MOSFET技術(shù),，幫助工程師消除過(guò)多的熱，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計(jì)目標(biāo),，包括更高的效率,，確保符合標(biāo)準(zhǔn)，降低整體尺寸和降低成本 ,?！?/p>

　　新一代GreenBridge 系列產(chǎn)品極低的導(dǎo)通損耗是另一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)，因?yàn)镻OE 系統(tǒng)的輸入功率有限,，需要最大化功率和電壓,。GreenBridge 系列具有業(yè)界最佳的 Rdson 性能，由于其采用優(yōu)化的 PowerTrench MOSFET 技術(shù),，提供更佳的功率轉(zhuǎn)換效率,，其導(dǎo)通損耗比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品也要低 47%。

　　GreenBridge 器件的小尺寸也使得它們非常適合新一代基于POE設(shè)備,，它們尺寸比以前的基于POE設(shè)備更小,。在僅為 4.5 mm x 5 mm 的 MLP 封裝中，GreenBridge 器件 包含四個(gè)以全橋方式連接的 MOSFET,。除了尺寸小,，GreenBridge器件還不需要外部驅(qū)動(dòng)，因此節(jié)省了更多 PCB 空間,。

　　供貨情況

　　新的FDMQ8205 產(chǎn)品目前已量產(chǎn),。閱 GreenBridge 博客并訪問(wèn) fairchildsemi.com.cn/greenbridge，了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,、評(píng)估板和樣品,。