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場效應晶體管開關(guān)電路

2016-08-22
關(guān)鍵詞: ADI TI FPGA DSP

場效應晶體管開關(guān)電路

場效應晶體管(簡稱場效應管)有結(jié)型(J-FET)和絕緣柵型(MOS-FET)兩類,。

場效應管作為開關(guān)器件應用類似雙極型三極管,許多場合可代替雙極型三極管。然而與雙極型二極管比較具有一些重要特性,。

1,、輸入阻抗高

場效應管是電壓控制器件,,無論其導通或截止,,輸入阻抗都很高,尤其MOS-FET,,幾乎不取控制信號源電流,。

2、雙向?qū)щ娞匦?/p>

場效應管的漏和源有相同的結(jié)構(gòu)而特性相同,,只要襯底不與源相接,,源和漏可互換使用,因而具有雙向?qū)щ姷奶攸c,,比雙極三極管應用靈活,。

3、漏電小

場效應管在截止時,,漏源之間阻抗非常高,,因而漏電非常微小,絕緣度高,。

4,、內(nèi)阻大

場效應管導通時比雙極型三極管大,這一缺點限制了它的應用范圍,,應用時可采用源極跟隨器等措施加以克服,。

5、MOS-FET易損壞

MOS-FET的柵極易被電壓擊穿而損壞,,使用時應加保護措施,。


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