場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路

場效應(yīng)晶體管（簡稱場效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類,。

場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似雙極型三極管,，許多場合可代替雙極型三極管。然而與雙極型二極管比較具有一些重要特性。

1,、輸入阻抗高

場效應(yīng)管是電壓控制器件,，無論其導(dǎo)通或截止，輸入阻抗都很高,，尤其MOS-FET,，幾乎不取控制信號源電流。

2,、雙向?qū)щ娞匦?/p>

場效應(yīng)管的漏和源有相同的結(jié)構(gòu)而特性相同,，只要襯底不與源相接，源和漏可互換使用,，因而具有雙向?qū)щ姷奶攸c,，比雙極三極管應(yīng)用靈活。

3,、漏電小

場效應(yīng)管在截止時,，漏源之間阻抗非常高，因而漏電非常微小,，絕緣度高,。

4、內(nèi)阻大

場效應(yīng)管導(dǎo)通時比雙極型三極管大,，這一缺點限制了它的應(yīng)用范圍,，應(yīng)用時可采用源極跟隨器等措施加以克服。

5,、MOS-FET易損壞

MOS-FET的柵極易被電壓擊穿而損壞,，使用時應(yīng)加保護措施。