由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存,、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇,。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目,，其中國家級的存儲芯片基地在武漢,，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導,，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導,，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的,，起點不算低,。

　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,，由武漢新芯科技公司負責建設(shè),，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預計投資240億美元,，分為三期建設(shè),，現(xiàn)在啟動的是第一期，主要目標是生產(chǎn)3D NAND閃存,，2018年將啟動第二期建設(shè),，規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片，2019年啟動第三期建設(shè),，主要目標是代工服務,，產(chǎn)能也會越來越大，2020年目標是30萬片晶圓/月,，2030年則是100萬片晶圓/月,。

　　今年7月份的時候，紫光公司收購了新芯科技公司多數(shù)股份,，成立了武漢長江存儲科技有限公司（簡稱TRST）,，紫光公司控股一半多，董事長趙偉國也將擔任長江科技公司的董事長，這個項目就變成了紫光公司主導了——當初收購美光的夢想無法實現(xiàn),，收購西數(shù)硬盤的事也黃了,，不過紫光現(xiàn)在總算可以正式進軍存儲芯片領(lǐng)域了。

　　Digitimes援引業(yè)界消息稱,，長江存儲公司最快2017年底正式推出3D NAND閃存,，32層堆棧結(jié)構(gòu)，也就是說明年我們就有可能看到真正國產(chǎn)的閃存芯片了,。

　　新芯科技現(xiàn)在主要生產(chǎn)NOR閃存,，而NAND閃存比NOR閃存技術(shù)難度要高，他們的技術(shù)來源是飛索半導體（Spansion）公司,?？紤]到與三星、Hynix,、東芝,、美光、Intel等公司的技術(shù)差距,，國產(chǎn)3D NAND閃存32層堆棧的起點不低了,，這幾家公司研發(fā)多年，第一代3D閃存也不過是24層堆棧,，32層堆棧的還算是主流，不過等到明年的時候,，48層甚至64層堆棧的3D閃存恐怕也早就問世了,。

　　根據(jù)之前的報道，新芯科技預計2018年推出48層堆棧的3D閃存,，那時候雖然還是追不上最頂級的水平,，不過差距應該會縮小很多，國產(chǎn)3D閃存還有追趕的機會,。