中國(guó)，2016年11月4日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域,、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics,，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布兩款40V汽車(chē)級(jí)MOSFET,。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù),，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異,，能效出色，噪聲輻射極低,，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng),。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成,、車(chē)身或底盤(pán)和安全系統(tǒng),，同時(shí)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS),。

　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技術(shù)降低芯片單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值,，在采用相同的功率器件封裝條件能效非常優(yōu)異。高雪崩特點(diǎn)是新產(chǎn)品另一大亮點(diǎn),。

　　通過(guò)降低體效應(yīng)二極管的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr),，STripFET F7的開(kāi)關(guān)性能尤其是能效大幅提升，同時(shí)軟度更高的反向恢復(fù)可最大限度降低靜電干擾 (EMI),，從而放寬對(duì)濾波器件的要求,。此外，電容得到優(yōu)化,，使器件抗噪性得到改善,，緩解了對(duì)緩沖電路的需求，閾壓調(diào)校使器件具有良好的耐抗誤導(dǎo)通性能,，而無(wú)需專(zhuān)用柵驅(qū)動(dòng)器,。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電橋拓?fù)渲校O管軟恢復(fù)方法有助于防止直通電流現(xiàn)象發(fā)生,，從而提高驅(qū)動(dòng)電路的可靠性,。

　　40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通過(guò)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，采用側(cè)面支持濕法焊接的PowerFLAT 5x6封裝,。緊湊的封裝面積和0.8mm的厚度支持高系統(tǒng)功率密度,，此外側(cè)面鍍錫設(shè)計(jì)有助于提升焊接可靠性和壽命，100%支持自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn)工序,。

　　40V車(chē)用STripFET F7 MOSFET即日起量產(chǎn),。