《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于OLS碼的檢錯(cuò)糾錯(cuò)抗輻射加固設(shè)計(jì)
2016年電子技術(shù)應(yīng)用第10期
董 亮
齊齊哈爾大學(xué) 通信與電子工程學(xué)院，黑龍江 齊齊哈爾161006
摘要： 由輻射粒子引起的多單元翻轉(zhuǎn)（MCUs）已經(jīng)成為了影響存儲(chǔ)器可靠性的一個(gè)主要問(wèn)題,。而存儲(chǔ)器抗MCUs的加固方法一般是使用可以糾正多個(gè)錯(cuò)誤的錯(cuò)誤糾正碼（ECCs）,。使用了正交拉丁方（OLS）碼的故障容錯(cuò)系統(tǒng)被構(gòu)造用以糾正存儲(chǔ)器中的多個(gè)錯(cuò)誤。OLS碼是一類一步大數(shù)邏輯可譯（OS-MLD）碼,，可以使用非常簡(jiǎn)單的大數(shù)邏輯電路來(lái)進(jìn)行譯碼。由Verilog硬件描述語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，并且使用ModelSim進(jìn)行了功能驗(yàn)證,。
中圖分類號(hào)： TN431.2
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.2016.10.010
中文引用格式： 董亮. 基于OLS碼的檢錯(cuò)糾錯(cuò)抗輻射加固設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2016,，42(10)：44-46.
英文引用格式： Dong Liang. Design of radiation hardened error detection and correction circuit based on OLS code[J].Application of Electronic Technique,，2016，42(10)：44-46.
Design of radiation hardened error detection and correction circuit based on OLS code
Dong Liang
Institute of Communications and Electronics Engineering,，University of Qiqihar,，Qiqihaer 161006，China
Abstract： Multiple Cell Upsets(MCUs) caused by radiation is a major issue for memory reliability. An option to protect memories against MCUs is using advanced error correction codes(ECCs) that can correct more than one error. A fault-tolerant scheme is presented to protect a memory from MCUs using orthogonal latin square(OLS) code. The advantage of OLS code is that it is a type of one-step majority logic decodable(OS-MLD) codes, which can be decoded using very simple majority circuit. The scheme has been implemented in Verilog HDL, and it has also been validated by ModelSim simulator.
Key words : MCUs,；ECCs,；OLS code；OS-MLD code

0 引言

    隨著集成電路的進(jìn)步,，存儲(chǔ)器越來(lái)越容易受到由來(lái)自地面和太空環(huán)境中輻射粒子影響引起多單元翻轉(zhuǎn)（Multiple Cell Upsets,，MCUs）。MCUs可以導(dǎo)致存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤而引起系統(tǒng)失效,。因此,，需要對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行抗輻射加固設(shè)計(jì)[1-3]。

    目前,，(n,，k)錯(cuò)誤糾錯(cuò)碼(Error Correction Codes，ECCs)是存儲(chǔ)器中常用的容錯(cuò)技術(shù),，其中n是碼長(zhǎng),，k是信息位的個(gè)數(shù)。ECC加固技術(shù)是在存儲(chǔ)字的基礎(chǔ)上增加了冗余位用以檢測(cè)和糾正存儲(chǔ)器中發(fā)生的錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn),。因此,，ECC故障容錯(cuò)系統(tǒng)需要額外的編碼和譯碼電路；而其編碼和譯碼電路的復(fù)雜度又決定了自身的糾正能力和硬件的復(fù)雜度[4-6,，12],。

    漢明(Hamming)碼是最常用的ECC碼，它可以用非常少的硬件開(kāi)銷來(lái)糾正存儲(chǔ)器中的錯(cuò)誤,。但是,，它只能對(duì)單個(gè)錯(cuò)誤進(jìn)行糾正，對(duì)兩個(gè)錯(cuò)誤進(jìn)行探測(cè),。隨著器件工藝尺寸的不斷減小,，存儲(chǔ)器中發(fā)生多個(gè)錯(cuò)誤的概率也越來(lái)越高,。因此，Hamming碼已經(jīng)不適合用來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行抗輻射加固保護(hù),，而需要尋找使用糾正能力較高且額外電路對(duì)存儲(chǔ)器性能影響較少的其他ECC碼來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行抗輻射保護(hù)[7],。

    在本設(shè)計(jì)中，使用了基于正交拉丁方的正交拉丁方（OLS）碼來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行抗輻射的加護(hù)設(shè)計(jì),。使用OLS碼的原因是它屬于一步大數(shù)邏輯可譯（OS-MLD）碼,，可以使用簡(jiǎn)單的大數(shù)邏輯譯碼電路來(lái)進(jìn)行多位MCUs的糾正。

1 正交拉丁方（OLS）碼

    正交拉丁方是指兩個(gè)拉丁方在同一位置上的數(shù)依次配置成對(duì)時(shí),，如果這兩個(gè)有序數(shù)對(duì)恰好各不相同,，則稱這兩個(gè)拉丁方互為正交拉丁方。OLS碼正是在此基礎(chǔ)上來(lái)構(gòu)成的[8-9]：對(duì)于糾正能力為t的OLS碼,，其奇偶校驗(yàn)矩陣H如下式所示：

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    根據(jù)上述這些式子可以得到具有m2個(gè)信息位,、2tm個(gè)奇偶校驗(yàn)位和糾正能力為t的OLS碼奇偶校驗(yàn)矩陣H的具體結(jié)構(gòu)。本設(shè)計(jì)中構(gòu)造的OLS的參數(shù)有：信息位k=72=49,、階數(shù)m=4,、糾正能力t=2以及冗余位2tm=28。因此,，構(gòu)造的OLS碼是一個(gè)(77,，49)碼。構(gòu)造這樣的OLS碼選擇了如下兩個(gè)拉丁方：

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    接著,，按照式(1)～式(7),，即可設(shè)計(jì)出(77，49)OLS碼的奇偶校驗(yàn)矩陣H,，如圖1所示,。wdz3-t1.gif

    使用(77，49)OLS碼構(gòu)造的故障容錯(cuò)系統(tǒng)如圖2所示,。將信息位通過(guò)OLS碼的編碼器進(jìn)行編碼后存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中,；在讀出的時(shí)候，如果保存的碼字有錯(cuò)誤,，通過(guò)OLS碼的譯碼器后,，可以糾正這些錯(cuò)誤，從而保證了存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的正確性,。

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    設(shè)計(jì)的(77,，49)OLS碼編碼器可以由輸入向量與生成矩陣執(zhí)行向量乘法來(lái)得到，如圖3所示,，因此只需要進(jìn)行簡(jiǎn)單的異或運(yùn)算即可,。OLS碼由于其在糾正任意錯(cuò)誤時(shí)都滿足一步大數(shù)邏輯譯碼的條件，因此，其譯碼方式將采用一步大數(shù)邏輯譯碼的方式,。(77，49)OLS碼譯碼器如圖4所示,，主要有異或門和大數(shù)邏輯門來(lái)構(gòu)成進(jìn)行并行譯碼,。大數(shù)邏輯門通過(guò)對(duì)五個(gè)正交校驗(yàn)和Ai進(jìn)行大數(shù)表決[5]：如果正交校驗(yàn)和Ai中的多數(shù)為1則輸出1；反之,，則輸出0,。

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2 功能驗(yàn)證及結(jié)果分析

    本設(shè)計(jì)構(gòu)造的OLS碼由Verilog硬件描述語(yǔ)言來(lái)實(shí)現(xiàn)，采用的功能驗(yàn)證工具是Mentor公司開(kāi)發(fā)的ModelSim模擬器,。首先,，假設(shè)要將兩個(gè)49位的數(shù)據(jù)063b7697f8f82和11eef0f387f7d存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；當(dāng)完成編碼操作后,，分別獲得了063b7697f8f8266c2421和11eef0f387f7d79c526c這樣的兩個(gè)碼字,，如圖5(a)所示，并將其分別存在存儲(chǔ)器的兩個(gè)字中,；然后,，進(jìn)行故障注入，先假設(shè)存儲(chǔ)的這兩個(gè)字分別發(fā)生了一個(gè)錯(cuò)誤,，即分別變成了063b3697f8f8266c2421和11eef0f307f7d79c526c這兩個(gè)碼字,，經(jīng)過(guò)OLS譯碼器后，能夠獲得正確的輸出值063b7697f8f82和11eef0f387f7d,，如圖5(b)所示,；最后，假設(shè)存儲(chǔ)的這兩個(gè)字分別發(fā)生了兩個(gè)錯(cuò)誤,，即分別變?yōu)?e3b7697f8f8266c2421和13eed0f387f7d79c526c這兩個(gè)碼字,，在經(jīng)過(guò)編碼器譯碼后，也可以獲得正確的碼字,，如圖5(c)所示,。模擬驗(yàn)證結(jié)果證明了構(gòu)造的(77, 49) OLS的錯(cuò)誤糾正功能是正確的，且可以應(yīng)用于對(duì)存儲(chǔ)器的抗輻射加固保護(hù),。

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3 結(jié)論

    應(yīng)用于輻射環(huán)境下的存儲(chǔ)器需要進(jìn)行抗輻射加固來(lái)提高其可靠性能,。本設(shè)計(jì)使用了正交拉丁方碼來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行加固，使其能夠糾正存儲(chǔ)器中多位的MCUs,。由于正交拉丁方碼是根據(jù)正交拉丁方來(lái)構(gòu)造的,，因此它的糾正能力是可調(diào)的（在其生成矩陣中加入多個(gè)正交拉丁方即可實(shí)現(xiàn)糾正能力的提高），這對(duì)于復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用是非常重要的,。本設(shè)計(jì)使用簡(jiǎn)單的異或電路設(shè)計(jì)了(77,，49)OLS碼的編碼器，而且使用一步大數(shù)邏輯糾正譯碼來(lái)對(duì)其進(jìn)行譯碼。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,，對(duì)構(gòu)造的OLS碼進(jìn)行編碼和譯碼的故障注入,，發(fā)現(xiàn)其可以對(duì)存儲(chǔ)器中的多個(gè)錯(cuò)誤進(jìn)行糾正，從而驗(yàn)證了該故障容錯(cuò)設(shè)計(jì)系統(tǒng)的有效性,。

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