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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

提供業(yè)界最低讀取電流的內(nèi)存 適用于穿戴式裝置與助聽器
2016-11-09

  上海,,2016年11月8日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品,。

  ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器,,此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度,。ReRAM作為存儲器前沿技術,,未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20,,數(shù)據(jù)擦寫上限是后者的10倍。

  此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫(yī)療設備,,例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現(xiàn),。

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  截至目前為止,富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機存儲器),,以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統(tǒng)非易失性存儲器的效能需求,。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產(chǎn)品線后,富士通可進一步擴充產(chǎn)品系列,,以滿足客戶多樣化的需求,。

  MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內(nèi)工作,還能通過SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率,,并在讀取時僅需極低的工作電流(5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA),。此外,該產(chǎn)品擁有業(yè)界非易失性內(nèi)存最低的讀取功耗,。

  此全新產(chǎn)品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),,引腳與EEPROM等非易失性內(nèi)存產(chǎn)品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM,,超越了串行接口EEPROM的最高密度,。

  富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫(yī)療設備,,以及量表與傳感器等物聯(lián)網(wǎng)設備,。

  富士通預期未來持續(xù)提供各種產(chǎn)品與解決方案,以協(xié)助客戶提升其應用的價值與便利性,。

  產(chǎn)品規(guī)格

  組件料號:MB85AS4MT

  內(nèi)存密度(組態(tài)):4 Mbit(512K字符x 8位)

  界面:SPI(Serial peripheral interface)

  工作電壓:1.65 – 3.6V

  低功耗:讀入工作電流0.2mA(于5MHz)

  寫入工作電流1.3mA(寫入周期間)

  待機電流10?A

  休眠電流2?A

  保證寫入周期:120萬次

  保證讀取周期:無限

  寫入周期(256 位/頁):16毫秒(100%數(shù)據(jù)倒置)

  數(shù)據(jù)保留:10年(最高攝氏85度)

  封裝:209mil 8-pin SOP

  詞匯與備注

  1.可變電阻式內(nèi)存(ReRAM):

  為非易失性內(nèi)存,,藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜,,產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡,,由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成,,使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優(yōu)點。松下半導體于2013年即開始量產(chǎn)配備ReRAM的微型計算機,。

  2.松下電器半導體:

  〒617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地,。網(wǎng)址:http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/


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