東芝(Toshiba)8日發(fā)布新聞稿宣布,，為了增產(chǎn)3D Flash Memory,，將在四日市工廠內(nèi)興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出,，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房,，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動工,、并預(yù)計于2018年夏天完工,。

　　東芝指出，關(guān)于上述新廠房具體的設(shè)備導(dǎo)入,、開始生產(chǎn)時間,，以及產(chǎn)能、生產(chǎn)計劃等細(xì)節(jié),，將待今后評估市場動向之后再決定,，且和西數(shù)（Western Digital，“WD”)進(jìn)行協(xié)商后,，雙方今后也將進(jìn)行共同投資,。

　　東芝并指出，該座新廠房將導(dǎo)入活用AI人工智能的生產(chǎn)系統(tǒng),、借此提升生產(chǎn)效率,。

　　據(jù)NHK報道，東芝上述新廠房的投資額約800億日元,。

　　根據(jù)Yahoo Finance的資料顯示，截至9日上午8點(diǎn)05分為止,，東芝勁揚(yáng)1.59%至376日日元,。

　　為了對抗三星電子等競爭對手，東芝于今年3月宣布,，將在今后3年內(nèi)(2016年度-2018年度)總計砸下約8,600億日元投資NAND型快閃存儲器(Flash Memory),，而上述新廠房就是該8,600億日元投資計劃中的一環(huán)。

　　東芝7月27日宣布,，已研發(fā)出堆疊64層的3D Flash制程技術(shù),，并自當(dāng)日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨。東芝指出,，采用上述制程技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品預(yù)計將在2017年前半開始進(jìn)行量產(chǎn),，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心/PC用SSD、以及智能手機(jī)/平板電腦/存儲卡等市場,，且今后也計劃推出512Gb(64GB)產(chǎn)品,。

　　東芝表示，和48層產(chǎn)品相比,，此次新研發(fā)的64層產(chǎn)品每單位面積的存儲容量擴(kuò)大至1.4倍,，且每片晶圓所能生產(chǎn)的存儲容量增加,、每bit成本也下滑。

　　東芝統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于7月6日舉行的投資人說明會上表示,，將沖刺N(yùn)AND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)量,，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。

　　成毛康雄指出,，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn),。