在供應(yīng)逐漸吃緊下,，2016年第三季開(kāi)始標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格呈上漲走勢(shì),，同時(shí)帶動(dòng)其他類(lèi)別記憶體的價(jià)格上揚(yáng),。

　　受惠于全球智慧型手機(jī)出貨成長(zhǎng),，及記憶體搭載量不斷攀升,，2016年第二季開(kāi)始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出,，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式記憶體與伺服器用記憶體,；在供應(yīng)逐漸吃緊下,，2016年第三季開(kāi)始標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格呈上漲走勢(shì),，同時(shí)帶動(dòng)其他類(lèi)別記憶體的價(jià)格上揚(yáng),，第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約15.8%。

　　研究協(xié)理吳雅婷表示,，第三季適逢蘋(píng)果（Apple） iPhone 7與三星（Samsung） Note7二大旗艦機(jī)備貨潮,，雖然Note 7后來(lái)于第四季停產(chǎn)，但第三季的備貨仍有助記憶體消化量與價(jià)格的上揚(yáng),，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體也因出貨比預(yù)期更佳,，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續(xù)增加，更讓第四季標(biāo)準(zhǔn)型記憶體合約價(jià)季漲幅逾30%,。

　　三星（Samsung）依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,，營(yíng)收季成長(zhǎng)約22.4%，成長(zhǎng)幅度遠(yuǎn)超過(guò)市占第二的SK海力士（Hynix）,，兩大韓廠的市占各為50.2%以及24.8%,，合計(jì)二家韓廠已囊括DRAM 75%的市占率,。美光集團(tuán)（Micron）仍位居第三，營(yíng)收季增12.6%,，市占18.5%,。

　　營(yíng)業(yè)獲利部份，三星仍是DRAM產(chǎn)業(yè)冠軍,，第三季營(yíng)業(yè)獲利率維持在37%,，SK海力士由18%上升至25%，而美光則是轉(zhuǎn)虧為盈,，從-0.6%轉(zhuǎn)為2.3%,。吳雅婷表示，展望第四季,，由于DRAM價(jià)格持續(xù)攀升,，可以肯定各廠獲利仍將進(jìn)一步成長(zhǎng)。

　　由技術(shù)面觀察,，三星已在20奈米制程上取得領(lǐng)先,，成本為三大DRAM廠中最低，新廠Line 17的18奈米制程也從下半年起開(kāi)始生產(chǎn),。吳雅婷指出,，由于三星目標(biāo)以獲利為重，對(duì)于18奈米是否繼續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)仍在謹(jǐn)慎規(guī)劃中,。

　　第三季SK海力士的21奈米制程產(chǎn)出不如預(yù)期,，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供給吃緊，目前SK海力士仍將著重于21奈米的良率提升,，并規(guī)劃2017下半年進(jìn)入18奈米試產(chǎn)階段,，持續(xù)制程轉(zhuǎn)進(jìn)。美光在華亞科于今年9月正式100%轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程下,，20奈米制程也正式成為美光的主力制程技術(shù),，美光后續(xù)也計(jì)劃明、后年陸續(xù)導(dǎo)入18/16奈米量產(chǎn),。

　　臺(tái)廠部分,，南亞科受惠于第三季標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格持續(xù)上漲，加上客戶(hù)陸續(xù)追加訂單,，第三季營(yíng)收較第二季成長(zhǎng)16.7%，但隨著新工廠Fab 3A North完工,，2017上半年將導(dǎo)入20奈米制程,，屆時(shí)成本有望進(jìn)一步降低。

　　力晶科技DRAM營(yíng)收大幅下滑31.1%,，受到第二季價(jià)格不好影響,，力晶減少第三季標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出,，導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收大幅下滑，隨著第四季DRAM價(jià)格大漲,，力晶DRAM投片又開(kāi)始恢復(fù)之前水準(zhǔn),，可預(yù)期營(yíng)收將回復(fù)成長(zhǎng)。

　　華邦電子第三季營(yíng)收小幅成長(zhǎng)7%,，除46奈米比重持續(xù)提升外,，38奈米制程預(yù)估最快于第四季正式少量投片生產(chǎn)，此外,，由于利基型記憶體第四季起漲價(jià),，亦將反映在第四季的營(yíng)收表現(xiàn)上。