在供應逐漸吃緊下,，2016年第三季開始標準型記憶體價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別記憶體的價格上揚,。

　　受惠于全球智慧型手機出貨成長,，及記憶體搭載量不斷攀升，2016年第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型記憶體的產(chǎn)出,，轉為行動式記憶體與伺服器用記憶體,；在供應逐漸吃緊下，2016年第三季開始標準型記憶體價格呈上漲走勢,，同時帶動其他類別記憶體的價格上揚,，第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。

　　研究協(xié)理吳雅婷表示,，第三季適逢蘋果（Apple） iPhone 7與三星（Samsung） Note7二大旗艦機備貨潮,，雖然Note 7后來于第四季停產(chǎn)，但第三季的備貨仍有助記憶體消化量與價格的上揚,，標準型記憶體也因出貨比預期更佳,，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續(xù)增加，更讓第四季標準型記憶體合約價季漲幅逾30%,。

　　三星（Samsung）依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,，營收季成長約22.4%，成長幅度遠超過市占第二的SK海力士（Hynix）,，兩大韓廠的市占各為50.2%以及24.8%,，合計二家韓廠已囊括DRAM 75%的市占率,。美光集團（Micron）仍位居第三,，營收季增12.6%，市占18.5%,。

　　營業(yè)獲利部份,，三星仍是DRAM產(chǎn)業(yè)冠軍，第三季營業(yè)獲利率維持在37%,，SK海力士由18%上升至25%,，而美光則是轉虧為盈，從-0.6%轉為2.3%,。吳雅婷表示,，展望第四季，由于DRAM價格持續(xù)攀升,，可以肯定各廠獲利仍將進一步成長,。

　　由技術面觀察,，三星已在20奈米制程上取得領先，成本為三大DRAM廠中最低,，新廠Line 17的18奈米制程也從下半年起開始生產(chǎn),。吳雅婷指出，由于三星目標以獲利為重,，對于18奈米是否繼續(xù)大規(guī)模擴產(chǎn)仍在謹慎規(guī)劃中,。

　　第三季SK海力士的21奈米制程產(chǎn)出不如預期，導致產(chǎn)業(yè)供給吃緊,，目前SK海力士仍將著重于21奈米的良率提升,，并規(guī)劃2017下半年進入18奈米試產(chǎn)階段，持續(xù)制程轉進,。美光在華亞科于今年9月正式100%轉進20奈米制程下,，20奈米制程也正式成為美光的主力制程技術，美光后續(xù)也計劃明,、后年陸續(xù)導入18/16奈米量產(chǎn),。

　　臺廠部分，南亞科受惠于第三季標準型記憶體價格持續(xù)上漲,，加上客戶陸續(xù)追加訂單,，第三季營收較第二季成長16.7%，但隨著新工廠Fab 3A North完工,，2017上半年將導入20奈米制程,，屆時成本有望進一步降低。

　　力晶科技DRAM營收大幅下滑31.1%,，受到第二季價格不好影響,，力晶減少第三季標準型記憶體的產(chǎn)出，導致營收大幅下滑,，隨著第四季DRAM價格大漲,，力晶DRAM投片又開始恢復之前水準，可預期營收將回復成長,。

　　華邦電子第三季營收小幅成長7%,，除46奈米比重持續(xù)提升外，38奈米制程預估最快于第四季正式少量投片生產(chǎn),，此外,，由于利基型記憶體第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現(xiàn)上,。