現(xiàn)在,，主流的高級封裝標準包括：

　　1、三星主推的Wide-IO標準

　　Wide-IO技術目前已經(jīng)到了第二代,，可以實現(xiàn)最多512bit的內(nèi)存接口位寬,，內(nèi)存接口操作頻率最高可達1GHz,，總的內(nèi)存帶寬可達68GBps，是最先進的DDR4接口帶寬（34GBps）的兩倍,。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高,，其主要目標市場是要求低功耗的移動設備。

　　2,、AMD,，NVIDIA和海力士主推的HBM標準

　　HBM（High-Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）標準主要針對顯卡市場,，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術,，當然功耗也會更高。HBM使用3DIC技術把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起,，并使用2.5D技術把堆疊內(nèi)存芯片和GPU在載板上實現(xiàn)互聯(lián),。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標準，顯存帶寬可達512 GBps,，而顯卡霸主Nvidia也緊追其后,，在2016年Pascal顯卡中預期使用HBM標準實現(xiàn)1 TBps的顯存帶寬。

　　3,、美光主推HMC技術

　　HMC（Hybrid Memory Cube）標準由美光主推,，目標市場是高端服務器市場,，尤其是針對多處理器架構。HMC使用堆疊的DRAM芯片實現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬,。另外HMC通過3DIC異質集成技術把內(nèi)存控制器（memory controller）集成到DRAM堆疊封裝里,。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里，所以在高端服務器里,，當需要使用大量內(nèi)存模塊時,，內(nèi)存控制器的設計非常復雜。現(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi),，則內(nèi)存控制器的設計就大大地簡化了,。最后，HMC使用高速串行接口（SerDes）來實現(xiàn)高速接口,，適合處理器和內(nèi)存距離較遠的情況（例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上）,。相較而言，Wide-IO和HBM都要求處理器和內(nèi)存在同一個封裝內(nèi),。

　　Wide-IO標準,、HBM標準、HMC技術都和內(nèi)存相關,，下表是有關Wide-IO,， HMC， HBM及DDR標準比較,。

　　Wide-IO,， HMC， HBM及DDR標準比較

　　4,、TSMC主推的CoWoS和InFO技術

　　CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和InFO（Integrated Fan Out）是臺積電推出的 2.5D封裝技術,，稱為晶圓級封裝。臺積電的2.5D封裝技術把芯片封裝到硅載片上,，并使用硅載片上的高密度走線進行互聯(lián),。CoWoS針對高端市場，連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大,。InFO針對性價比市場,，封裝尺寸較小，連線數(shù)量也比較少,。目前InFO技術已經(jīng)得到業(yè)界認可,，蘋果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術。

InFO和CoWoS技術