現(xiàn)在,，主流的高級(jí)封裝標(biāo)準(zhǔn)包括：

　　1,、三星主推的Wide-IO標(biāo)準(zhǔn)

　　Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)最多512bit的內(nèi)存接口位寬,，內(nèi)存接口操作頻率最高可達(dá)1GHz,，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps,，是最先進(jìn)的DDR4接口帶寬（34GBps）的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高,，其主要目標(biāo)市場(chǎng)是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備,。

　　2、AMD,，NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)

　　HBM（High-Bandwidth Memory,，高帶寬內(nèi)存）標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)顯卡市場(chǎng)，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù),，當(dāng)然功耗也會(huì)更高,。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用2.5D技術(shù)把堆疊內(nèi)存芯片和GPU在載板上實(shí)現(xiàn)互聯(lián),。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn),，顯存帶寬可達(dá)512 GBps,，而顯卡霸主Nvidia也緊追其后，在2016年P(guān)ascal顯卡中預(yù)期使用HBM標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)1 TBps的顯存帶寬,。

　　3,、美光主推HMC技術(shù)

　　HMC（Hybrid Memory Cube）標(biāo)準(zhǔn)由美光主推，目標(biāo)市場(chǎng)是高端服務(wù)器市場(chǎng),，尤其是針對(duì)多處理器架構(gòu),。HMC使用堆疊的DRAM芯片實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器（memory controller）集成到DRAM堆疊封裝里,。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里,，所以在高端服務(wù)器里，當(dāng)需要使用大量?jī)?nèi)存模塊時(shí),，內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜?，F(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi)，則內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)就大大地簡(jiǎn)化了,。最后,，HMC使用高速串行接口（SerDes）來實(shí)現(xiàn)高速接口，適合處理器和內(nèi)存距離較遠(yuǎn)的情況（例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上）,。相較而言,，Wide-IO和HBM都要求處理器和內(nèi)存在同一個(gè)封裝內(nèi)。

　　Wide-IO標(biāo)準(zhǔn),、HBM標(biāo)準(zhǔn),、HMC技術(shù)都和內(nèi)存相關(guān)，下表是有關(guān)Wide-IO,， HMC,， HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較。

　　Wide-IO,， HMC,， HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較

　　4、TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)

　　CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和InFO（Integrated Fan Out）是臺(tái)積電推出的 2.5D封裝技術(shù),，稱為晶圓級(jí)封裝,。臺(tái)積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互聯(lián),。CoWoS針對(duì)高端市場(chǎng),，連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大。InFO針對(duì)性價(jià)比市場(chǎng),，封裝尺寸較小,，連線數(shù)量也比較少。目前InFO技術(shù)已經(jīng)得到業(yè)界認(rèn)可,，蘋果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術(shù),。

InFO和CoWoS技術(shù)