本周宣布正式合并中國臺灣地區(qū)臺塑旗下存儲廠華亞科的美商存儲大廠美光 (Micron) 在 15 日表示,，由于該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能日前正式超過 2D NAND 閃存,。其中，包括第 1 代 3D NAND 閃存的成本也符合預(yù)期，堆疊層數(shù)達到 64 層的第 2 代 3D NAND 閃存也在已經(jīng)準(zhǔn)備完成,，預(yù)計將在 2016 年底要正式大規(guī)模量產(chǎn)。

根據(jù)外媒報導(dǎo),，美光公司財務(wù)長 Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術(shù),、媒體及通訊大會上表示，該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能與 2D NAND 閃存產(chǎn)能已經(jīng)來到交叉點上,。也就是說,，3D NAND 閃存的產(chǎn)能，以容量計算,，將要超過 2D NAND 閃存,。

此外，Ernie Maddock 還表示,，美光的第 1 代 3D NAND 閃存在降低生產(chǎn)成本上已經(jīng)達到預(yù)期目標(biāo),。由于，美光在 2016 年上半年的發(fā)展路線上曾指出,，未來預(yù)計 3D NAND 閃存的成本,，將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今,，已經(jīng)實現(xiàn)降低 20% 到 25% 的成本,。這樣的情況，對于未來將開始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規(guī)模量產(chǎn)來說,，有著其正面的幫助,。

目前市場上許多固態(tài)硬盤 (SSD) 都已經(jīng)轉(zhuǎn)向 3D NAND 閃存。因為,，不論是性能,，還是容量，或者是使用壽命,，3D NAND 閃存都要比傳統(tǒng) 2D NAND 閃存好得多,。而且，廠商也會借此來降低生產(chǎn)成本,，以提高產(chǎn)量,。就美光為例，其所生產(chǎn)的 2D NAND 閃存,，主力是 16 納米制程的產(chǎn)品,，MLC/TLC 閃存的核心容量不過 128Gb,。但是，借由 3D NAND 技術(shù)的 MLC 閃存核心容量就有 256Gb,，TLC 更是達到 384Gb,，大大優(yōu)于 2D NAND 閃存。

事實上,，在轉(zhuǎn)向 3D NAND 生產(chǎn)方面,，實力最強的仍以韓國三星領(lǐng)先，東芝 (Toshiba)/ Sandisk 與 SK 海力士其次,，英特爾 (Intel) 和美光的動作算是比較慢的了,。不過，一旦 3D NAND 閃存開始量產(chǎn),，由于容量先天性的優(yōu)勢,，產(chǎn)能超過 2D NAND 閃存將是遲早的事。