半導體大廠GlobalFoundries將在大陸成都12寸廠投入FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator）技術，加上大陸半導體業(yè)者亦躍躍欲試，引發(fā)業(yè)界關注,。目前全球主要半導體大廠臺積電,、英特爾（Intel）、三星電子（Samsung Electronics）仍依循摩爾定律（Moore’s Law）,，持續(xù)往10、7及5納米的FinFET（Fin Field-Effect Transistor）制程邁進，GlobalFoundries不僅跟著摩爾定律在7納米世代加入戰(zhàn)局,，同時要在大陸開辟FD-SOI戰(zhàn)場。

大陸投資半導體晶圓廠熱潮方興未艾,，近期已有多座新的12寸廠設立,，包括GlobalFoundries成都廠、紫光在南京及成都蓋12寸廠,，以及三星加碼西安3D NAND晶圓廠等,，加上過去兩年包括臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠,、福建晉華DRAM廠,、長江存儲武漢廠，以及中芯國際擴充8/12寸廠,，凸顯全球半導體大廠都在大陸瘋狂蓋廠,。

大陸新蓋的半導體廠無論技術到不到位，業(yè)者策略都是先蓋廠再說,，主要是看好大陸積極提升半導體芯片自制率政策,，象是聯(lián)電搶頭香成立廈門12寸廠，臺積電亦到大陸蓋12寸廠,。業(yè)界傳出臺積電把16納米制程搬到南京12寸廠,，獲得大陸官方特殊禮遇，未來臺積電在全球各地12寸廠生產的16納米制程芯片,，都可納入大陸自制芯片的比重中,，算是極優(yōu)惠的條件。

近期GlobalFoundries成都12寸廠正式動土,，原本GlobalFoundries要在重慶建立12寸生產線,，把原本DRAM廠茂德8寸廠改成12寸廠，但最后協(xié)議未談成,，轉去成都蓋12寸廠,，GlobalFoundries以實際行動展現(xiàn)掌握大陸這一波芯片自制商機的決心。

GlobalFoundries成都廠初期將先導入成熟的0.18和0.13微米制程,，預計2019年第二階段再導入FD-SOI技術,，將技轉自德國德勒斯登（Dresden）廠22納米FD-SOI制程,。半導體業(yè)者認為，全球所有新蓋的12寸廠至少都是從28納米制程切入,，幾乎找不到新的12寸廠從0.18微米制程切入,，且GlobalFoundries未來將量產FD-SOI技術，而非主流的FinFET先進制程,，在策略上相當特別,。

事實上，臺積電等半導體大廠過去都評估過FD-SOI技術,，但最后仍選擇正統(tǒng)的FinFET技術前進,，而FD-SOI再度受到關注，除了因為低功耗特性外,，成本較低亦是關鍵，適合大陸正要百花齊放的物聯(lián)網應用,，使得GlobalFoundries全新12寸廠重押FD-SOI技術,。

近期大陸許多中小型IC設計公司都專注于物聯(lián)網應用，由于不需要導入16,、14納米或是10,、7納米FinFET制程，既有成熟制程,、甚至8寸廠就可以生產,，加上FD-SOI技術較便宜，接受度相對較高,。

盡管FinFET是主流制程,，但未來走到10、7納米世代后,，花得起龐大費用的半導體大廠,，恐怕僅剩下蘋果（Apple）、高通（Qualcomm）等極少數(shù)廠商,，使得低成本的FD-SOI在大陸市場有機會突圍,。目前上海新傲科技（Simgui）已量產8寸SOI晶圓片，其采用法國半導體材料供應商Soitec的Smart Cut技術,，雙方已簽署授權合約,。

另外，業(yè)界亦傳出部分半導體大廠開始考慮FD-SOI技術,，上海華力微除了宣示要生產28,、14納米FinFET制程外，亦傳出正評估FD-SOI技術,，因為以上海華力微在先進制程進度,，要力拚14納米FinFET技術非常緊迫且難度極高,，若另曛FD-SOI技術領域，不失為另一種變通策略,。