三星與GlobalFoundries(GF)都以攻擊態(tài)勢進軍晶圓代工事業(yè)，其中以臺積電為假想敵的三星,，更宣稱將比臺積電更早推出10nm的方案,，也會更早導(dǎo)入EUV的設(shè)備，希望在幾年內(nèi)翻轉(zhuǎn)晶圓代工產(chǎn)業(yè)被臺積電獨占利益的格局,。GlobalFoundries也以新的22nm FD-SOI工程架構(gòu)投入新的戰(zhàn)局,，除了美國的工廠擴廠之外，還計劃落腳成都,，也讓一度乏人問津FD-SOI,，再受到矚目！

市占率排名第一的臺積電,，最近也推出22nm ULP,、12nm FFC、7+nm EUV等專案制程應(yīng)戰(zhàn),，其中又以7+nm EUV最受矚目,。據(jù)外電報導(dǎo)，臺積電原先在導(dǎo)入EUV時,，抱持著消極的態(tài)度,，甚至傳言到5nm時才會導(dǎo)入。但最近面對GlobalFoundries的積極攻擊時,，選擇了22nm與12nm的制程,，迎戰(zhàn)GF的22nm FD-SOI，而三星的10nm計劃,，也深受臺積電注意。

原先市場的認知是,，EUV的設(shè)備到5nm世代才會真正導(dǎo)入,，但三星與臺積電同步提前到2018年的7nm世代便引用EUV的設(shè)備，獲利的當(dāng)然是ASML這些生產(chǎn)設(shè)備的業(yè)者,，但也因為Multi-patterning的次數(shù)減少,，對一些生產(chǎn)蒸鍍設(shè)備的業(yè)者，就會有不利的影響,。

至于FD-SOI的技術(shù),，原先是由ST Micro所研發(fā)的,，并與FinFET具有相互替代效益的技術(shù)。在FinFET技術(shù)的排擠下,，F(xiàn)D-SOI一度乏人問津,，但在三星與GlobalFoundries相繼導(dǎo)入之后，似乎有了新的轉(zhuǎn)機,。此項技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用時,，具有低耗電的特色，而用于爭取晶圓代工的商機上也頗受矚目,。

過去幾年,，三星在晶圓代工上的投資似乎不如預(yù)期般的順利。原本寄望極高的14nm制程,，竟然在與臺積電的16nm對抗之際鎩羽,，甚至連蘋果的訂單都遭到突襲，而預(yù)期可以搶到的NVIDIA訂單也無法如愿,。晶圓代工市場排名第二的GlobalFoundries,，因為14nm的制程難以獨力完成，不得不與三星結(jié)盟,，也有特定客戶遭到臺積電的突襲,。臺積電的16nm制程，顯然大獲全勝,，也讓臺積電獨領(lǐng)風(fēng)騷的黃金時代繼續(xù)延續(xù),。

根據(jù)Gartner的估計，2017年全球晶圓代工市場是567億美元,，其中臺積電占54%,，而市占率5~10%的競爭者包括GlobalFoundries、聯(lián)電,、三星與中芯國際,，一、二線廠商的市占率明顯有一段差距,，但三星顯然不愿意就范,。三星在2016年底開始進入10nm的階段，并生產(chǎn)用于Snapdragon 835與自家Exynos的應(yīng)用處理器,，在進度上再度超前臺積電,。值得注意的是，在工程技術(shù)進展順利的信心下,，三星在原有華城工廠旁又新建生產(chǎn)線,，原本停滯的晶圓代工部門資本支出，在2017年開始出現(xiàn)回升。

另外在EUV等新設(shè)備的導(dǎo)入上,，三星也比臺積電,、英特爾更為積極。據(jù)外電報導(dǎo),，臺積電,、英特爾都原計劃在2019年導(dǎo)入5nm技術(shù)時，才開始布局EUV制程,。但三星顯然更為積極,，并從7nm開始導(dǎo)入EUV，這也可能會刺激臺積電原先的布局計劃,。目前臺積電最新的EUV進展是EUV最新曝光機臺已經(jīng)可以達到連續(xù)3天穩(wěn)定處理超過1,500片12寸晶圓,。

GlobalFoundries不僅強力推動FD-SOI的工程技術(shù)，也計劃在7nm世代,，以自力研發(fā)的的模式推進,。三星在晶圓代工事業(yè)的資本支出，估計2015年時約21億美元的高峰,，但之后的2016年跌到13.6億美元,，2017年估計為15.1億美元，2018年將回升為16億美元,。相較之下,，臺積電2017年估計將達102億美元，2018年,、2019年都可達110億美元上下,。估計，全球晶圓代工業(yè)的投資總額,，將從2015年的172億美元,，增加到2018年的214億美元，而臺積電為了對抗三星的7nm EUV計劃,，也應(yīng)該會提前在7nm世代布局EUV,，對抗GF則以22nm的FD-SOI應(yīng)戰(zhàn)。