大陸全力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，朝建立自主存儲器和邏輯芯片目標(biāo)前進,，在主要三大DRAM廠三星,、SK海力士及美光全力防堵技術(shù)流向陸廠外，對岸挖角行動也伸向邏輯芯片代工廠,，臺廠也得提高警覺,。

大陸已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為國家重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)，并揭示到二○二○年自制率要達(dá)到百分之五十,，到二○二五年自制率更推升至百分之七十五,。

大陸各省為爭取國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金挹注，也積極朝自建晶圓廠目標(biāo)前進,，發(fā)展目標(biāo)除了內(nèi)存外,，還包括應(yīng)用范圍更廣的邏輯芯片。

據(jù)統(tǒng)計,，大陸目前宣布投入興建十二寸晶圓廠投資多達(dá)廿六件,，其中已有十二座進入建廠；大陸全力發(fā)展半導(dǎo)體的企圖,，已讓全球不敢小覷,。

陸廠為達(dá)相關(guān)政策目標(biāo)，不惜砸重金,，搶人才,、搶技術(shù)。 其中DRAM產(chǎn)業(yè)被列為國家政策指針廠紫光集團,，已相繼宣示在武漢及南京各自興建年產(chǎn)卅萬到卅五萬片的內(nèi)存生產(chǎn)重鎮(zhèn),；合肥長鑫和福建晉華也都相繼展開建廠行動。

但DRAM目前技術(shù)只剩三星,、SK海力士和美光三大廠,，盡管陸廠大手筆挖角，但在三大廠反制下,，研發(fā)時程恐難如預(yù)期在明年大舉投入DRAM生產(chǎn),，倒是NAND Flash突破防線機率高。

至于被列為邏輯芯片指針中芯,，近來面臨廿八奈米良率一直無法突破,，也把挖角行動伸向臺廠,，雖然臺廠中的臺積電等向來對防止技術(shù)外流做了極萬全的防護，但人才跳槽是最難防,，如果對岸處心積極要挖角,，也有可能突破防線，目前臺灣在晶圓代工雖取得全球領(lǐng)先優(yōu)勢,，但還是得提防對岸猛烈的挖角行動,。

在全球主要三大DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防堵技術(shù)流向陸廠外,，對岸挖角行動也伸向臺積電等邏輯芯片代工廠。

臺灣眾達(dá)國際法律事務(wù)所律師黃日燦建議,，企業(yè)防范未然,，游戲規(guī)則訂清楚且應(yīng)定期檢討。

黃日燦表示,，企業(yè)防止?fàn)I業(yè)秘密外流主要有三招,，第一，資方須嚴(yán)守營業(yè)秘密,，可讓僅需了解相關(guān)工作的關(guān)鍵員工知道即可,，同時，在制程方面,，也應(yīng)僅有少數(shù)人可完整了解,，或各員工了解的營業(yè)秘密有所區(qū)隔。 第二,，任何工作守則,、承諾書等法律文件都應(yīng)簽署，游戲規(guī)則定清楚且定期檢討,。 第三,，機密的內(nèi)容應(yīng)使用公司計算機與手機。