徐韋佳，田俊杰,，李延標

　　（中國人民解放軍理工大學(xué)理學(xué)院,，江蘇 南京 211101）

       摘要：為了實現(xiàn)高性能的流水線ADC,，設(shè)計了一種應(yīng)用于流水線14位ADC的高精度CMOS比較器，采用全差分結(jié)構(gòu)的前置放大電路,、兩級動態(tài)latch鎖存電路和輸出緩沖電路,，具有高精度和低功耗的特點。前置差分預(yù)放大電路放大輸入差分信號,，提高了比較器的精度,，其本身的隔離作用使比較器具有較小的回踢噪聲和輸入失調(diào)電壓；兩級正反饋latch結(jié)構(gòu)有效提高了比較器的速度,；反相器級聯(lián)的輸出緩沖級電路調(diào)整輸出波形,，增加驅(qū)動能力。采用TSMC 0.18 μm CMOS工藝,，工作于1.8 V電源電壓,、100 MHz頻率，仿真結(jié)果顯示,，該比較器最小分辨電壓是3.99 mV,，精度達到9位，失調(diào)電壓為16.235 mV,，傳輸延時為0.73 ns,，靜態(tài)功耗為2.216 mW,，已成功應(yīng)用于14位的流水線ADC。

　　關(guān)鍵詞：比較器,；高精度,；正反饋；失調(diào)

　　中圖分類號：TN432文獻標識碼：ADOI： 10.19358/j.issn.1674-7720.2017.06.011

　　引用格式：徐韋佳,，田俊杰,，李延標. 應(yīng)用于14位流水線ADC的高精度比較器電路設(shè)計［J］.微型機與應(yīng)用，2017,36（6）：33-36.

0引言

　　隨著集成電路的發(fā)展,，數(shù)字通信得到廣泛應(yīng)用,，模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）作為實現(xiàn)模數(shù)轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件，也得到了廣泛應(yīng)用,。在諸多不同結(jié)構(gòu)的ADC類型中,，流水線ADC具有高速、高精度的特點,，在保證高速工作的同時,，可以實現(xiàn)其他結(jié)構(gòu)ADC難以實現(xiàn)的高精度，并且還能滿足相對小面積和低功耗的要求［1 2］,。而高精度比較器作為高性能流水線ADC的核心器件,，其精度對ADC的性能起著至關(guān)重要的作用，因此,，要實現(xiàn)高性能ADC,，比較器的精度是關(guān)鍵。

　　當前對比較器的研究主要包括多級開環(huán)比較器,、開關(guān)電容比較器,、動態(tài)鎖存再生比較器等。多級開環(huán)比較器具有較高的速度和精度,，但是由于受到多級放大器的帶寬限制,，速度難以提升；開關(guān)電容比較器可以采用失調(diào)消除技術(shù)消除失調(diào)電壓,，提高精度,，但是存在較為嚴重的電荷注入和時鐘饋通效應(yīng)，增加了設(shè)計難度,；動態(tài)鎖存比較器響應(yīng)速度快,，但是回踢噪聲和失調(diào)電壓都比較大，不適用于高精度系統(tǒng)［3］,。因此，本文提出一種應(yīng)用于14位流水線ADC的高精度比較器,，工作在100 MHz時鐘頻率下,，具有回踢噪聲小,、失調(diào)電壓低、高精度和低功耗的特點,，能實現(xiàn)14位流水線ADC的模數(shù)轉(zhuǎn)換,。

1比較器結(jié)構(gòu)的選取

　　當前，在高精度或低噪聲系統(tǒng)ADC中,，latch鎖存器是動態(tài)比較器中的重要組成部分,，溝道長度越短，輸入信號越大,，鎖存器響應(yīng)越快,。為了提高響應(yīng)速度，在latch鎖存器前前置一級差分放大電路,，能夠加速latch的響應(yīng)時間,。同時，差分結(jié)構(gòu)可以去除誤差信號成分,，有效減少由直流失調(diào)電壓,、開關(guān)的時鐘饋通、電荷注入效應(yīng)而引起的誤差,。由于預(yù)放大電路內(nèi)部和輸出端加載隔離電路的作用,，使得其輸出信號多次衰減后到達信號的輸入端，有效減小了回踢噪聲對預(yù)放大電路輸入端信號的影響,。因此,，預(yù)放大鎖存器的失調(diào)電壓主要是預(yù)放大電路的失調(diào)［45］。一般傳統(tǒng)的放大器的單位增益帶寬為常數(shù),。為了滿足高精度的要求,，前置預(yù)放大器的設(shè)計原則是高增益小帶寬，然而過高的精度會降低比較器的速度［6］,。

　　綜上所述,，本文采用前置差分預(yù)放大電路作為比較器信號輸入端，放大倍數(shù)約為10 dB,，兼顧精度和速度的要求,，其隔離電路減小了latch正反饋產(chǎn)生的回踢噪聲以及失調(diào)電壓，latch鎖存判斷級采用二級正反饋鎖存器來提高比較器的速度,，小尺寸的MOS管可以減小傳輸延時,，輸出級采用反相器級聯(lián)，調(diào)整波形,，減小延時,，增加驅(qū)動能力，保證電路性能。

2比較器具體電路設(shè)計

　　2.1信號輸入端

　　信號輸入端電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,，Cf是采樣電容,，VIP和VIN分別是比較器的兩個輸入電壓，Vref+和Vref-是根據(jù)ADC外部環(huán)境需要設(shè)置好的電壓,，其差值為比較電壓,。VOUT1和VOUT2是比較器的兩個輸出電壓。開關(guān)S1和S2是NMOS管開關(guān),，分別由不交迭的時鐘信號CLK1和CLK2控制,。

　　圖2時鐘信號的設(shè)置如圖2所示，CLK2先為高電平,，Vref+和Vref-輸入,，采樣電容Cf由于電荷積累，右端產(chǎn)生電壓Vb,，此時CLK1為高電平,，CLK2恢復(fù)低電平，待比較的信號VIP和VIN輸入,，又會在Cf右端產(chǎn)生電壓Vip,，

　　（Vref+－Vb）Cf=（VIP－Vip）Cf

　　根據(jù)電荷守恒,，可得：

　　Vip=VIP－Vref++Vb,Vin=VIN－Vref－+Vb

　　Vip＞Vin,，VIP－VIN＞Vref+－Vref－

　　當比較器的輸入差分信號VIP-VIN大于比較電壓Vref+-Vref-時，Vip＞Vin,，比較器進行比較輸出,；反之，Vip＜Vin,。本文中的比較器應(yīng)用在14位流水線ADC中,，故設(shè)置Vref+為0.125 V，Vref-為-0.125 V,，其差值0.25 V則為比較電壓，采樣電容設(shè)置為25 fF,。

　　采用1.8 V直流電源,，如圖2所示，四種頻率為100 MHz的時鐘信號分別是CLK1,，CLK2,，CLK1p，CLK2p,，它們是不交迭時鐘信號,，CLK1n和CLK2n分別由CLK1p和CLK2p經(jīng)過反相器級聯(lián)得到,，作用于鎖存電路和輸出級。

　　2.2前置差分放大電路

　　圖3為前置差分預(yù)放大電路,，M1,、M2,、M3,、M4、M5,、M6管構(gòu)成差分放大主體部分,，Vip和Vin是輸入電壓，電流Iout1和Iout2通過電流鏡鏡像給下一級的鎖存電路,。M3和M4作為NMOS差分輸入對管,，寬長比設(shè)置為W/L=8×2 μm/180 nm，M1和M2設(shè)置為W/L=2 μm/300 nm,，輸入共模電壓為1 V,，仿真結(jié)果顯示前置差分放大器的增益為11.98 dB。ISS是電流源,，電流大小為75 μA,，M5和M6構(gòu)成電流鏡，為差分放大器提供恒定的尾電流ISS,。M8,、M9柵極接時鐘信號CLK2p。當CLK2p為高電平時,， M7和M8導(dǎo)通,，形成NMOS的二級管連接，放大電路不工作,。當CLK2p為低電平時,，M7和M8截止，構(gòu)成二極管負載連接的差分放大器,，信號Vip和Vin輸入,，兩條支路上電流不相等，這樣把輸入電壓Vip和Vin轉(zhuǎn)換成為大小不同的輸出電流Iout1和Iout2,，再通過電流鏡鏡像給下一級的鎖存器,。

　　比較器的功耗包括靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗，靜態(tài)功耗主要是前置預(yù)放大電路的靜態(tài)功耗,。為了減小芯片工作時的功耗,，應(yīng)盡可能縮短比較器持續(xù)工作的時間。本文設(shè)計的優(yōu)點在于,，當CLK2p為高電平時,，比較器處于采樣周期,，預(yù)放大電路不工作，有效降低了前置放大器的靜態(tài)功耗,。同時,，差分結(jié)構(gòu)對環(huán)境噪聲具有較強的抗干擾能力，可以去除誤差信號成分,，能夠有效地減少由直流失調(diào)電壓,、開關(guān)的時鐘饋通效應(yīng)、電荷注入效應(yīng)而引起的誤差［7］,。

　　2.3鎖存電路

　　如圖4所示,，鎖存電路主體部分是CMOS動態(tài)latch結(jié)構(gòu)，由M14 和M15組成的電流觸發(fā)的PMOS觸發(fā)器,、M16和M17組成的NMOS觸發(fā)器以及開關(guān)M9構(gòu)成,。CLK1p和CLK1n是控制時鐘，CLK1n時鐘的上升沿和下降沿比CLK1p有一段延時,。

　　鎖存電路的工作分為復(fù)位周期和比較周期兩個時段,。在復(fù)位周期，CLK1p和CLK1n為高電平,，輸入差分對管的信號Vip-Vin轉(zhuǎn)化為電流Iout1和Iout2,，通過電流鏡鏡像Iin1和Iin2給鎖存電路。M9導(dǎo)通使得差分電流流過,，故流過節(jié)點A和B的電流相等,，因此NMOS觸發(fā)器和PMOS觸發(fā)器不能翻轉(zhuǎn)。由于M9具有導(dǎo)通電阻,，所以節(jié)點A和B之間存在約50 mV的電壓差［8］,。復(fù)位周期，比較器最終輸出為兩個低電平,。

　　當CLK1p和CLK1n為低電平時,，比較器進入比較周期，M9斷開,，M16和M17形成正反饋連接,，因此NMOS觸發(fā)器首先開始再生。假設(shè)VA＞VB,，M16的柵極電壓大于M17,，M16的寄生電容放電使得通過M16的電流I2大于通過M17的電流I1，所以VB減小,。幾百個皮秒后,，PMOS觸發(fā)器也開始再生，進一步加快了整個再生速度,，由于M15的柵極電壓小于M14,，M15導(dǎo)通,，M17的寄生電容充電使得A點電壓增加。由于再生過程是一個強烈的正反饋過程,，這個電壓差被迅速放大直到等于電源電壓,，最終，VA接近電源電壓,，VB接近零電位,，此時M14和M17都被截止。在比較周期,，比較器最終輸出為一高一低兩個電平［9］,。

　　設(shè)置NMOS觸發(fā)器M16和M17寬長比為W/L=3×3.5 μm/180 nm,，PMOS觸發(fā)器M14和M15寬長比為W/L=3×2.5 μm/180 nm,。為了減小輸入電流對鎖存電路的影響，該設(shè)計采用M12和M13兩個PMOS管,。在比較周期,，M12和M13導(dǎo)通，屏蔽了輸入電流,，將差分輸入對管與動態(tài)閂瑣的輸出相隔離,，減小了回踢噪聲。同時,，鎖存器只有在翻轉(zhuǎn)狀態(tài)才消耗功率,，沒有靜態(tài)功耗。為了加快比較速度,，該級使用了兩級正反饋,，只需幾百皮秒的可再生時間，故能實現(xiàn)快速比較,。

　　2.4輸出緩沖級電路

　　應(yīng)用到流水線ADC中,，該比較器的輸出要接一個輸出緩沖電路，調(diào)整比較器輸出波形,，增強驅(qū)動能力,。如圖5所示，輸出緩沖級采用的是兩個反相器級聯(lián),，輸入信號VA和VB分別是上級鎖存電路A,、B節(jié)點處的電壓輸出。

　　由于鎖存器輸出的高電平不是標準電平或波形不理想,，需要使用連續(xù)兩個反相器來給波形整形,，變?yōu)闃藴孰妷旱母唠娖捷敵觯@樣可以增加驅(qū)動的能力,，同時減小傳輸延時,。為了減小芯片功耗,，應(yīng)盡量減小比較器持續(xù)工作的時間，所以采用時鐘信號CLK2n控制比較器的輸出級,。

　　設(shè)置M18,，M19，M20,，M21寬長比為W/L=2 μm/180 nm,，時鐘信號CLK2n是CLK1p經(jīng)過一級反相器后的信號。當CLK1p為高電平時,，鎖存器復(fù)位,，CLK2n為低電平，M22截止,，反相器不工作,，降低了功耗，而M23和M24導(dǎo)通,，所以比較器在復(fù)位周期時,，比較器的兩個輸出均為低電平。反之,，比較器處于比較周期時,，CLK2n為高電平，M22導(dǎo)通,，反相器正常工作,，比較器的兩個輸出端一個為高電平，一個為低電平,。

3仿真與分析

　　在TSMC 0.18 μm CMOS工藝下,，采用Cadence公司Spectre系列軟件，對高精度電壓比較器電路進行仿真,，電源電壓1.8 V,，時鐘頻率100 MHz，輸入共模電壓1 V,。

　　圖6(a)給出了比較器的瞬態(tài)響應(yīng)波形,，分析可知，當比較器處于復(fù)位周期時,，比較器輸出VOUT1和VOUT2均為低電平,，處于比較周期時，若VIP-VIN＜0.25 V,，則鎖存器A,、B節(jié)點初始電壓VA＜VB，正反饋后VA為低電平,，VB為高電平,，所以輸出結(jié)果VOUT1為高電平,，VOUT2為低電平；若VIP-VIN＞0.25 V,，則VOUT1為低電平,，VOUT2為高電平。

　　圖6(b)給出了比較器最小分辨電壓的仿真波形,，設(shè)置比較電壓為0 V,，VIP是不斷上升的斜坡信號0.9 V~1.1 V，VIN是1 V的直流電壓,，差分信號VIP-VIN隨時間逐漸增大,。最小分辨電壓是使比較器輸出結(jié)果翻轉(zhuǎn)的最小電壓差，比較器在M1處保持,，在M0處翻轉(zhuǎn),，則M0和M1之間電壓差即為比較器的精度，約為3.99 mV,，相當于9位的比較精度,。

　　理想情況下，比較器的輸出應(yīng)當在差分信號為0 V時發(fā)生翻轉(zhuǎn),，實際因為器件存在失配，差分信號并不在0 V時發(fā)生翻轉(zhuǎn),，失調(diào)電壓使比較器的傳輸曲線平移,，取M0和M1的中點值作為失調(diào)電壓，約為

　　Vos=(14.24+18.23)/2=16.235 mV

　　對于14位的流水線ADC來說,，比較器失調(diào)電壓的允許范圍為由本級量化位數(shù)決定的LSB/2［10］,，對于第一級3.5位來說，失調(diào)電壓允許范圍是:

　　16.235 mV＜62.5 mV,，故本文比較器的失調(diào)電壓控制在設(shè)定要求以內(nèi),。比較器的具體仿真參數(shù)如表1所示。

4結(jié)論

　　本文提出了一種應(yīng)用于14位流水線的高精度CMOS動態(tài)閂鎖電壓比較器,，工作于100 MHz時鐘頻率,，1.8 V電源電壓，采用TSMC 0.18 μm工藝設(shè)計實現(xiàn),。采用前置差分預(yù)放大電路,，兩級動態(tài)latch正反饋鎖存電路，輸出緩沖級電路的設(shè)計,，達到了要求的性能指標,。仿真結(jié)果表明，該比較器的輸入失調(diào)電壓為16.235 mV,，最小分辨電壓為3.99 mV,，精度達到了9位,，靜態(tài)功耗2.216 mW。該比較器已成功應(yīng)用于100 MHz的 14位流水線ADC設(shè)計中,。

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