器件具有37.8A的連續(xù)漏極電流,，導通電阻低至8.4mΩ,，采用小尺寸PowerPAK SC-70封裝

　　賓夕法尼亞,、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，發(fā)布新的30V N溝道TrenchFET 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,，為移動設備,、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率,。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK SC-70封裝,，是具有業(yè)內最低的導通電阻和最高的連續(xù)漏極電流的2mm x 2mm塑料封裝的30V器件。

　　今天發(fā)布的MOSFET是目前尺寸最小的30V產品之一,，比PowerPAK 1212封裝的器件小60%,，在筆記本電腦、平板電腦,、VR頭盔和DC-DC磚式電源,，無線充電器中的H橋，以及無人機的電機驅動控制中,，可用于DC/DC轉換和電池管理的負載切換,。

　　SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的極低導通電阻，在這些應用中能減小傳導損耗,，提高效率,。其導通電阻比前一代產品低51%，比最接近的競爭產品低6%,。另外,，MOSFET的優(yōu)值系數 (FOM) 針對各種功率轉換拓撲進行了優(yōu)化。

　　SiA468DJ的連續(xù)漏極電流高達37.8A,，比前一代器件高68%,，比最接近的競爭產品高50%。高漏極電流為會碰到高瞬變電流的應用產品提供了足夠的安全余量,。MOSFET進行了100%的RG測試,，符合RoHS,，無鹵素。

　　SiA468DJ現可提供樣品,，并已實現量產,，大宗訂貨的供貨周期為十三周。