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VR用OLED改采硅晶圓背板材料成本增加為主要課題

2017-05-15
關鍵詞: VR 硅晶 顯示器 半導體

現(xiàn)階段虛擬現(xiàn)實(Virtual Reality,;VR)裝置用顯示器以TFT OLED,、硅晶OLED(OLED on Silicon;OLEDoS)及Micro LED為主要發(fā)展技術,,DIGITIMES Research依精細度,、材料成本、量產(chǎn)性等項目比較此三種技術,,硅晶OLED因改采微縮程度較佳的半導體硅晶圓作為背板(Backplane),, 可達較高精細度,且其在量產(chǎn)性表現(xiàn)優(yōu)于Micro LED,,但在材料成本等方面尚待改進,。

為減少VR裝置近距離觀看時產(chǎn)生的暈眩感,其所搭載顯示器需具備更高的精細度及畫面更新頻率,,比較一般OLED(即TFT OLED),、硅晶OLED、Micro LED等三種VR用顯示技術的精細度,,硅晶OLED表現(xiàn)較佳,。

一般OLED顯示器采用在玻璃基板上制作薄膜晶體管(Thin-Film Transistor;TFT)作為背板,,因TFT制程微縮能力有限,,難達VR所需高精細度,相較之下,,硅晶OLED可透過半導體制程微縮,,有利達成VR所需高精細度。

另一方面,,Micro LED可達成微米級畫素間距,,其精細度(以ppi衡量)雖可因應VR等近距離觀看所需精細度,但受制于將LED自藍寶石基板移轉至玻璃,、硅晶等基板的相關技術尚存良率等瓶頸,,量產(chǎn)性有待提升。

DIGITIMES Research觀察,,硅晶OLED漸成OLED顯示技術符合VR所需高精細度的解決方案,,然其存在材料成本增加等課題,VR要步入普及階段,,降低VR裝置售價的重要性將與日俱增,,往后硅晶OLED能否透過半導體制程改良進一步降低成本,值得觀察,。


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