IBM近日聯(lián)合三星、Globalfoundries宣布了全球首個5nm半導(dǎo)體工藝,，性能提升40%,，功耗降低75%。IBM這則消息就是在VLSI大規(guī)模集成電路會議上宣布的,，這也是國際級的半導(dǎo)體會議,。這次會議也暴露了我們在半導(dǎo)體制造技術(shù)依然沒有什么存在感，雖然總計提交了18篇論文,，但入選的只有1篇,，僅占全部入選論文的1/64，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于美國,、日本,、歐洲、韓國,、新加坡及臺灣地區(qū),。

2017年的VLSI國際會議是在日本東京舉行的，前天正式開幕,，會期8天,，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)公司、科研機(jī)構(gòu)匯聚一堂討論未來技術(shù)的發(fā)展,。日本PCWatch網(wǎng)站報道了一些有關(guān)大會論文的數(shù)據(jù),，提交及入選的論文一定程度上可以代表這個公司及所在國在該行業(yè)的地位。

提交申請的論文數(shù)

這次大會收到了16個國家和地區(qū)的160篇論文投稿,，包括印度,、沙特、阿聯(lián)酋等國家,，其中美國有36篇,，位居第一，歐洲區(qū)有34篇,，不過這并不算一個國家,，臺灣地區(qū)有26件，大陸和韓國各有18篇論文申請,，這么看的話大陸的論文申請數(shù)據(jù)還是挺多的,，至少說明了國內(nèi)參與的愿望還是挺強(qiáng)烈的，日本也才16篇,，在亞洲位居第四,。

最終被采納的論文有64篇，中國大陸入圍1篇

160篇論文中有64篇最終被大會采納，其中美國有15篇,，日本有10篇,，韓國和臺灣地區(qū)各有8篇入選。對中國大陸來說,，提交的18篇論文中只有1篇被采納,，只占全部論文中的1/64。

綜觀十年來的統(tǒng)計結(jié)果,，中國大陸被采納的論文數(shù)量一直不多,，2014年最多也就是3篇，2015年沒有,，2016年也是1篇,。雖然說被采納的論文跟這個國家或者地區(qū)的半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力不能絕對掛鉤，但被采納的論文越多,，總體上依然能證明這個國家/地區(qū)的實(shí)力的,，入圍較多的美國、歐洲,、韓國,、韓國都是半導(dǎo)體制造工藝先進(jìn)的國家和地區(qū)。

具體入圍的單位和論文數(shù)量

具體來看,，這次入圍的64篇論文中,，IMEC（比利時微電子中心）有7篇論文入選，藍(lán)色巨人IBM有6篇論文入選,，三星也有6篇,，Globalfoundries是5篇，法國CEA-LETI學(xué)院是4篇,，TSMC也有3篇,，其他入圍的也是一些科研機(jī)構(gòu)或者學(xué)校，包括臺灣交通大學(xué),、日本東京大學(xué),、新加坡國家科學(xué)院、美國普渡大學(xué),、圣母大學(xué)等等。

第一天討論的話題

第一天的日程中,，這些全球頂尖的半導(dǎo)體公司,、學(xué)院討論的都是未來的5nm工藝、Ge,、III-V金屬材料,、10nm、2.5D/3D封裝、芯片內(nèi)緩存等技術(shù),，無一不是探討有可能改變未來半導(dǎo)體工藝發(fā)展的新技術(shù),、新材料。

目前大陸在半導(dǎo)體工藝上發(fā)展最先進(jìn)的還是28nm,，其中高性能的28nm HKMG工藝也只才剛開始,，比三星、Intel,、TSMC要落后兩三代,。前年在比利時國王訪華時，國內(nèi)的中芯國際,、華為與高通,、SEMI簽署了合作協(xié)議，在IMEC的幫助下開發(fā)14nm FinFET工藝,，預(yù)計在2020年前量產(chǎn),。

考慮到我們在半導(dǎo)體工藝上落后這么多年了，想很快追上是不可能的,，好在國家現(xiàn)在也重視起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)了,，核高基等項(xiàng)目已經(jīng)作出了部署，前幾天核高基項(xiàng)目負(fù)責(zé)人還表示取得了重大突破,，14nm工藝將在明年量產(chǎn),，未來還會支持7nm、5nm工藝研發(fā),，希望這些表態(tài)不是放衛(wèi)星,。