聯(lián)發(fā)科在去年將其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30/P35押寶臺(tái)積電的10nm工藝,，但是卻因?yàn)楹笳叩?0nm工藝量產(chǎn)延遲和良率問題導(dǎo)致X30錯(cuò)失上市時(shí)機(jī),，P30傳聞也將被放棄，受此影響聯(lián)發(fā)科有意將部分訂單交給GF,，避免完全受制于臺(tái)積電重蹈覆轍。
多家芯片企業(yè)臺(tái)積電的先進(jìn)工藝量產(chǎn)影響
高通為臺(tái)積電的長(zhǎng)期大客戶,，不過2014年臺(tái)積電從三星手里搶到了蘋果的A8處理器訂單,，臺(tái)積電采取了優(yōu)先照顧蘋果的策略，將其最先進(jìn)的20nm工藝優(yōu)先用于生產(chǎn)蘋果的A8處理器,，這導(dǎo)致采用該工藝的高通的驍龍810量產(chǎn)時(shí)間過晚優(yōu)化時(shí)間不足,，再加上當(dāng)時(shí)該芯片所采用的ARM高性能公版核心A57功耗過高，驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問題導(dǎo)致高通在高端市場(chǎng)遭遇重大挫折,，高端芯片出貨量同比下滑六成,。
高通由此出走，將其高端芯片轉(zhuǎn)交三星半導(dǎo)體代工,，當(dāng)然這也有它希望籍此獲得三星手機(jī)采用它更多的芯片,。2015年底高通采用三星的14nm FinFET工藝生產(chǎn)的驍龍820性能和功耗優(yōu)良，大獲市場(chǎng)歡迎,，去年其中端芯片驍龍625也轉(zhuǎn)用三星的14nm FinFET,，近期其中高端芯片驍龍660同樣轉(zhuǎn)用三星的14nm FinFET，至此可以說(shuō)高通已將芯片訂單大量轉(zhuǎn)單三星離開臺(tái)積電,。
華為海思受臺(tái)積電的16nm FinFET工藝影響,。在高通離開后，臺(tái)積電轉(zhuǎn)而與華為海思合作開發(fā)16nm工藝,，2014年臺(tái)積電量產(chǎn)16nm工藝不過由于能耗不佳只是用于生產(chǎn)華為海思的網(wǎng)通處理器芯片,，沒有手機(jī)芯片企業(yè)采用該工藝,；雙方繼續(xù)合作于2015年三季度量產(chǎn)16nmFinFET，不過臺(tái)積電同樣選擇優(yōu)先照顧蘋果的策略用該工藝生產(chǎn)A9處理器導(dǎo)致華為海思的麒麟950量產(chǎn)時(shí)間延遲,。受此影響去年華為海思選擇采用16nm FinFET工藝生產(chǎn)其新一代高端芯片麒麟960,，而不是等待臺(tái)積電的最先進(jìn)工藝10nm工藝。
聯(lián)發(fā)科在連續(xù)沖擊高端市場(chǎng)而不可得的情況下,，去年其計(jì)劃在中端helio P35和高端芯片helio X30上全面采用臺(tái)積電的最先進(jìn)工藝10nm工藝,，不過臺(tái)積電的10nm工藝直到今年初才量產(chǎn)隨后又遇上了良率問題，這導(dǎo)致高端芯片helio X30上市后被大多數(shù)國(guó)產(chǎn)手機(jī)企業(yè)放棄,，據(jù)說(shuō)三季度臺(tái)積電用10nm工藝全力生產(chǎn)蘋果的A11處理器而不會(huì)再有空余產(chǎn)能供給其他芯片企業(yè),，這也就導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科放棄helio P35，轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電產(chǎn)能充足的16nm FinFET的改良版12nm FinFET生產(chǎn)新款中端芯片helio P30,。
聯(lián)發(fā)科將選擇同時(shí)由GF和臺(tái)積電代工
受helio X30上市不受國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌歡迎以及目前除X30外沒有芯片可以支持中國(guó)移動(dòng)要求支持的LTE Cat7技術(shù)所影響,，聯(lián)發(fā)科今年一季度的芯片出貨量大減，季度出貨量跌穿1億片,，營(yíng)收環(huán)比大跌17%,，據(jù)IC Insights發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示今年一季度德國(guó)芯片企業(yè)英飛凌成功超越聯(lián)發(fā)科擠入全球半導(dǎo)體企業(yè)第十名，受此打擊后它開始考慮轉(zhuǎn)變自己的策略,，以擺脫當(dāng)下在代工方面完全依賴臺(tái)積電的局面,。
臺(tái)媒指聯(lián)發(fā)科內(nèi)部開始評(píng)估采用極受關(guān)注的格羅方德（簡(jiǎn)稱GF）22nm FD-SOI制程，該工藝有低功耗優(yōu)勢(shì),，相較臺(tái)積電和Intel全力開發(fā)的FinFET工藝又有成本優(yōu)勢(shì)，在低端手機(jī)芯片,、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域有廣闊的空間,。
格羅方德在大陸建設(shè)的半導(dǎo)體制造工廠就引入了22nm FD-SOI制程，希望在這個(gè)市場(chǎng)搶奪正高度受關(guān)注的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng),，與臺(tái)積電南京廠的16nm FinFET,、中芯國(guó)際和聯(lián)電廈門工廠的28nm實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)。
聯(lián)發(fā)科采用格羅方德的22nm FD-SOI,，估計(jì)是用于生產(chǎn)其低端的手機(jī)芯片,，憑借低功耗和低成本優(yōu)勢(shì)應(yīng)對(duì)大陸芯片企業(yè)展訊的競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)它也有意用該工藝生產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)芯片,。聯(lián)發(fā)科的物聯(lián)網(wǎng)芯片去年以來(lái)就在大陸火熱的共享單車市場(chǎng)奪得大量訂單,，近期其有意并購(gòu)無(wú)線通信芯片廠絡(luò)達(dá)也是意在物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。
對(duì)于聯(lián)發(fā)科來(lái)說(shuō),，引入一個(gè)新的半導(dǎo)體代工企業(yè)也有助于它平衡與臺(tái)積電的關(guān)系,，高通出走后臺(tái)積電其實(shí)也是相當(dāng)緊張的，去年就傳聞它希望吸引高通回歸采用它的10nm工藝,，結(jié)果卻是高通進(jìn)一步將更多的芯片訂單轉(zhuǎn)往三星,。聯(lián)發(fā)科貴為全球第二大手機(jī)芯片企業(yè),，在失去高通更多的芯片訂單后如果聯(lián)發(fā)科也將部分訂單轉(zhuǎn)往格羅方德無(wú)疑將讓臺(tái)積電更為緊張，將迫使臺(tái)積電思考當(dāng)前它優(yōu)先照顧蘋果這種策略的影響,。
從這個(gè)方面來(lái)說(shuō),，聯(lián)發(fā)科未來(lái)將部分訂單轉(zhuǎn)往格羅方德是必然的，而眼下正是一個(gè)適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī),。聯(lián)發(fā)科的做法也值得大陸芯片企業(yè)思考,，它們顯然已采取行動(dòng)，華為海思已與中芯國(guó)際合作開發(fā)14nm FinFET工藝,，展訊則選擇與Intel合作采用其相當(dāng)于臺(tái)積電的10nm工藝的14nm FinFET工藝生產(chǎn)芯片,。