莫斯科物理技術(shù)學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程,，可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…

　　可變電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的「通用」記憶體,，不僅提供了隨機存取記憶體(RAM)的速度，又兼具快閃記憶體( flash)的密度與非揮發(fā)性,。然而,，目前,，flash由于搶先進入3D時代而較ReRAM更勝一籌。

　　如今,，莫斯科物理技術(shù)學院(Moscow Institute of Physics and Technology,；MIPT)的研究人員已成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù),。

　　ReRAM的研發(fā)一般采用憶阻器進行,，其中，在介電層中遷移的氧空缺(oxygen vacancy),，將電介質(zhì)的電阻改變?yōu)椤?’與’0’,。除了MIPT，還有來自4DS Memory Ltd.,、Crossbar Inc.,、HP Inc.、Knowm Inc.以及美國德州萊斯大學(Rice University)的研究人員們也為ReRAM創(chuàng)造了原型,。

　　針對3D ReRAM,，MIPT科學家Konstantin Egorov表示，「我們不僅需要在介電層中形成氧空缺,，還必須為其進行檢測」,。為此，MIPT的研究人員們采用的方法是,，在出現(xiàn)氧空缺的介電層中,，觀察其能隙中的電子狀態(tài)

　　Egorov說：「為了研究在氧化鉭薄膜生長過程中形成的氧空缺，我們使用了一種整合生長PEALD[電漿輔助原子層沉積]和分析XPS(X射線光電子能譜儀)腔室(以真空管相互連接)的實驗叢集,。該叢集讓我們能生長和研究沉積層,，而不至于破壞真空狀態(tài)?！?/p>

　　他強調(diào),，「這一點非常重要，因為一旦從真空中取出實驗樣本,，介電質(zhì)的奈米層就會在其表面上氧化,，導致氧空缺的消失?！?/p>

　　用于生長和研究薄膜的實驗叢集,，可在真空狀態(tài)下實現(xiàn)3D堆疊（來源：MIPT）

　　任何半導體研究實驗室都可以建構(gòu)這種獨特的原子層沉積(ALD)叢集,，其方式是連接PEALD和XPS腔室，然后再添加自動操縱器,，在腔室之間傳輸晶圓,。除了樣本測試晶圓以外，在大量生產(chǎn)時并不需要這種叢集,。然而,，必須建立一條的的組裝線，以補償ALD薄膜緩慢的生長速度,。

　　如果這些研究取得成功,，MIPT聲稱所產(chǎn)生的ReRAM就可以垂直堆疊，成就一種可克服3D flash限制的通用記憶體,；目前,，3D flash僅限于64層。

　　與沉積氧空缺氧化鉭薄膜有關的化學反應階段(左),，以及透過X射線光電子能譜儀進行分析的結(jié)果(右),。（來源：MIPT）

　　雖然ALD的生長緩慢，但它能實現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)的共形涂層,，取代MIPT和其他研究實驗室迄今所使用的奈米薄膜沉積技術(shù),。其關鍵的區(qū)別在于ALD依次將基底暴露于前體材料和反應物材料，并且取決于二者之間的化學反應以產(chǎn)生主動層,。

　　MIPT的技術(shù)還使用連接至金屬前體的化學分子配體,，以便加速化學反應，但在用于元件的主動層之前必須先移除這種配體,。

　　MIPT首席研究員Andrey Markeev說：「沉積缺氧薄膜需要找到正確的反應物,，才能移除金屬前體中所含的配體，并且控制涂層的氧含量,。因此,，在經(jīng)過多次實驗后，我們成功地使用含氧的鉭前體,，以及電漿激發(fā)的氫反應物,。」

　　MIPT研究人員Dmitry Kuzmichev,、Konstantin Egorov,、Andrey Markeev和Yury Lebedinskiy，及其背后的原子層沉積機器,。（來源：MIPT）

　　接下來,，研究人員打算為這一流程進行最佳化，并提高ALD的速度，從而為3D ReRAM實現(xiàn)大量生產(chǎn),。

　　MIPT的研究資金是由俄羅斯科學基金會(RSF)和MIPT共同提供,。這項研究細節(jié)已發(fā)表于《ACS應用材料和介面》(ACS Applied Materials & Interfaces)期刊的「以電漿輔助原子層沉積控制TaOx薄膜的氧空缺，實現(xiàn)可變電阻式切換的記憶體應用」一文中,。