韓媒etnews 4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息證實(shí),，SK海力士第四代72層的3D NAND進(jìn)入量產(chǎn),，主要用于移動(dòng)裝置，并已交貨給客戶,。SK海力士4月份才宣布研發(fā)出72層3D NAND,，3個(gè)月內(nèi)就進(jìn)入量產(chǎn)，速度極為驚人,。一般研發(fā)成功之后,，快的話要6個(gè)月，慢的話要一年以上,，才會(huì)開始量產(chǎn),。以三星電子為例，該公司2016年8月研發(fā)出64層3D NAND,，今年6月才宣布量產(chǎn),，大約花了10個(gè)月時(shí)間。
據(jù)傳SK海力士不只量產(chǎn),，生產(chǎn)效能也極佳,，該公司72層3D NAND生產(chǎn)率提高30%，與三星64 層3D NAND近似,，而且達(dá)到“黃金良率”（golden yield）,，比美三星。不只如此,，新品采用SK Hynix自家的控制器和韌體（firmware）,，不再對(duì)外采購，可提高毛利,。專家稱,，如此一來，SK Hynix的競爭優(yōu)勢逼近三星,。
SK海力士是NAND Flash的第四大廠，市占率落后三星電子,、東芝,、Western Digital（WD）。不過目前東芝和WD為了東芝記憶體業(yè)務(wù)出售案,，鬧得不可開交,，倘若SK海力士掌握72層3D NAND技術(shù)，可趁勢奪取客戶，改寫NAND市場版圖,。
投180億擴(kuò)充芯片市場,，有意而為之？
在SK海力士挑戰(zhàn)的消息傳出之后,，韓國三星電子有限公司本周二表示,，計(jì)劃在韓國投資至少21.4萬億韓元（約合186.3億美元），以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,。這家營收居位全球第一位的存儲(chǔ)芯片制造商表示,，到2021年，該公司在平澤市的新NAND工廠總計(jì)投入將達(dá)到14.4萬億韓元,，其中的6萬億韓元將用于建造一條新的半導(dǎo)體生產(chǎn)線,，但未對(duì)時(shí)間或產(chǎn)品加以詳細(xì)說明。
由于市場對(duì)長期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的需求不斷增長,，該公司還將在中國西安的NAND工廠增設(shè)一條生產(chǎn)線,，但沒有設(shè)定投資金額或時(shí)間框架。
外界普遍預(yù)計(jì),，三星和其他內(nèi)存生產(chǎn)商將在2017年實(shí)現(xiàn)利潤創(chuàng)紀(jì)錄,，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)和服務(wù)器的性能不斷提高，從而導(dǎo)致價(jià)格上漲,。行業(yè)消息人士和分析師表示,，由于高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的普及，NAND芯片的短缺問題更為嚴(yán)重,。
一些分析師表示,，三星的生產(chǎn)技術(shù)至少要比東芝和SK海力士（SK Hynix Inc）等競爭對(duì)手領(lǐng)先一年。三星每年在半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資超過100億美元,，幫助其保持領(lǐng)先優(yōu)勢,。分析師表示，最新投資旨在拉大這一差距,。
近年來,，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動(dòng)NAND閃存的生產(chǎn),，但分析師和業(yè)內(nèi)人士表示,，由于新設(shè)備在2017年無法提供有意義的供應(yīng)，短缺可能至少持續(xù)到明年,。
一些分析師表示,，這種額外的產(chǎn)能可能會(huì)在2018年初造成輕微的供應(yīng)過剩，但隨著智能手機(jī)制造商選擇更大的內(nèi)部存儲(chǔ),，價(jià)格崩潰的現(xiàn)象不太可能發(fā)生,。市場對(duì)用于云計(jì)算和虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用程序的高端服務(wù)器存儲(chǔ)的需求也將繼續(xù)增長,。
“我相信，2020年之前,，NAND市場環(huán)境將繼續(xù)利好供應(yīng)商,，”HMC投資分析師Greg Roh表示。他說,，任何供應(yīng)過剩的問題都將是暫時(shí)的,，而且僅限于季節(jié)性較弱的時(shí)期。
三星表示,，對(duì)韓國的投資是為了響應(yīng)新總統(tǒng)文在寅的號(hào)召,，將在2021年創(chuàng)造多達(dá)44萬個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，并將有助于提振經(jīng)濟(jì),。
該公司周二還表示,，三星顯示器公司計(jì)劃在韓國新成立一家企業(yè)，生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,，投資約1萬億韓元,。
中國的長江存儲(chǔ)也是未來的挑戰(zhàn)？
三星前有強(qiáng)敵,，在后面也有追兵,。自從紫光和武漢新芯合作打造閃存產(chǎn)業(yè)，并拉攏了高啟全來負(fù)責(zé)全新的長江存儲(chǔ)以后,，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)獲得了突飛猛進(jìn)的進(jìn)步,。這無疑會(huì)給三星帶來壓力。
在今年四月份,，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,，公司現(xiàn)已投入3D NAND研發(fā)，2017年底提供32層3D NAND的樣本,，將是公司技術(shù)自主的里程碑,，之后從事64層技術(shù)，待該技術(shù)成熟后,，長江存儲(chǔ)才會(huì)投入3D NAND量產(chǎn),，屆時(shí)與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix),、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術(shù)差距會(huì)縮短至一代左右,。
再者，長江存儲(chǔ)也考慮自己開發(fā)DRAM技術(shù),，可能的切入點(diǎn)是18/20納米制程,，無論是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技術(shù),，不會(huì)再走過去臺(tái)灣技術(shù)授權(quán)的老路！
高啟全表示，無論是DRAM或3D NAND技術(shù),，最好的合作伙伴是美光,，但現(xiàn)在政治氣氛不對(duì)，美國對(duì)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感,，因此洽談的時(shí)間會(huì)再延長,，但美光1年來全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長江存儲(chǔ)的陣營一起奮斗,，未來只會(huì)更辛苦,。
長江存儲(chǔ)分為武漢和南京12寸廠兩大據(jù)點(diǎn)，各自單月產(chǎn)能都是30萬片規(guī)劃,，外界對(duì)于這樣的產(chǎn)能規(guī)模,，以及何時(shí)量產(chǎn)都有很多疑問，他強(qiáng)調(diào),，12寸廠規(guī)劃不會(huì)是虛晃一招,，但技術(shù)沒成熟前也絕對(duì)不會(huì)冒然投產(chǎn)，長江存儲(chǔ)的內(nèi)存規(guī)劃是有計(jì)劃,、慢慢做,，千秋大業(yè)是急不得，我們也不會(huì)去打亂市場的行情,。
高啟全指出,，這樣的12寸產(chǎn)能規(guī)模將會(huì)成為對(duì)抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器，歡迎美光加入,，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達(dá)80%,、NAND Flash高達(dá)60%，不出幾年的時(shí)間,，南韓就會(huì)掌握全球90%的內(nèi)存芯片,，這是全世界都該害怕的事情，三星是全球科技業(yè)的威脅,。
他進(jìn)一步表示,，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，對(duì)臺(tái)灣亦有利,，以大陸有計(jì)劃的布局可扮演此角色,，且只有大陸才有這個(gè)資源投入，長江存儲(chǔ)就是基于這個(gè)出發(fā)點(diǎn)而誕生,，也是大基金唯一真正投資的內(nèi)存陣營,。
他強(qiáng)調(diào)，3D NAND和DRAM技術(shù)絕對(duì)在大陸自主開發(fā),，技術(shù)不成熟時(shí)不會(huì)冒然投產(chǎn),，另外,，我們不會(huì)再走回過去臺(tái)灣技術(shù)授權(quán)的失敗老路，發(fā)展自有技術(shù)同時(shí),，侵犯別人專利會(huì)付錢,，且長存已累積多個(gè)3D NAND專利，別人用到也要付費(fèi),，唯有合法來源取得技術(shù),，持續(xù)前進(jìn)，才能吸引到全球人才,，打造國際級(jí)的規(guī)格,。