6月20日，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》援引知情人士的話報(bào)道稱，負(fù)責(zé)美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）的商務(wù)部副部長(zhǎng)杰弗里·凱斯勒 （Jeffrey Kessler） 已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺(tái)積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國計(jì)劃取消允許它們?cè)谥袊褂妹绹夹g(shù)（主要是半導(dǎo)體設(shè)備）的豁免。

美國商務(wù)部發(fā)言人在一份聲明中表示，“芯片制造商仍將能夠在中國運(yùn)營。芯片的新執(zhí)行機(jī)制反映了適用于其他向中國出口的半導(dǎo)體公司的許可要求，并確保美國擁有平等和互惠的程序。”

撤銷“無限期豁免”，設(shè)備供應(yīng)將受限

早在2022年10月7日，美國出臺(tái)了新的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取先進(jìn)邏輯制程芯片、128層NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片所需的制造設(shè)備的能力，除非獲得美國商務(wù)部的許可。三星、SK海力士、臺(tái)積電等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠也受到了該政策的影響。

不過，在數(shù)日之后的，三星電子、SK海力士、臺(tái)積電均獲得了美國商務(wù)部頒發(fā)的1年豁免期許可，使得他們?cè)谥蟮?年內(nèi)，美系設(shè)備廠無需辦理任何額外的許可，即可向他們位于中大陸的晶圓廠供貨。

2023年10月，在1年豁免期即將到期之際，美國商務(wù)部又同意向三星電子、SK海力士和臺(tái)積電位于中國大陸的晶圓廠提供“無限期豁免”，使得他們無需再擔(dān)心受到美國對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)限制政策的影響。這也將使得他們?cè)谥袊木A廠能夠繼續(xù)正常運(yùn)營。

目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數(shù)，主流的DRAM芯片也在進(jìn)入10納米級(jí)。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產(chǎn)能，臺(tái)積電南京廠也有一定的16/12nm邏輯芯片代工產(chǎn)能，如果無法獲得美系先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備及零部件供應(yīng)，那么不僅現(xiàn)有的產(chǎn)線運(yùn)營可能將受影響，未來也將無法繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)升級(jí)和擴(kuò)大產(chǎn)能，這勢(shì)必將會(huì)影響到他們?cè)谌A工廠的正常運(yùn)營，以及未來的產(chǎn)能布局和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。雖然這一負(fù)面影響在短時(shí)間內(nèi)不會(huì)立刻顯現(xiàn)。

三星、SK海力士在華產(chǎn)能占比較高，取消豁免將沖擊全球供應(yīng)鏈

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲(chǔ)芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項(xiàng)目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至2024年年中，西安廠兩期項(xiàng)目總投資已高達(dá)270億美元。數(shù)據(jù)顯示，三星西安工廠月產(chǎn)能將達(dá)到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%。2022年，三星半導(dǎo)體西安工廠產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計(jì)在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設(shè)。隨著C2F項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)，無錫工廠將承擔(dān)SK海力士DRAM芯片全球生產(chǎn)總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸成熟制程晶圓代工廠M8遷至了無錫，但是該晶圓廠去年已經(jīng)被出售給了中企。

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年一季度的全球DRAM市場(chǎng)，SK海力士以36%市場(chǎng)份額位居第一，三星以33.7%的份額居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市場(chǎng)，三星以31.9%的份額位居第一，SK海力士以16.6%的份額居第二。

也就是說，三星與SK海力士一起占據(jù)了全球近70%的DRAM市場(chǎng)和近50%的NAND Flash市場(chǎng)。另有數(shù)據(jù)顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達(dá) 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產(chǎn)能和20%的NAND Flash產(chǎn)能在中國大陸。

顯然，如果美國撤銷對(duì)于三星和SK海力士在華晶圓廠的豁免，不僅他們?cè)谌A晶圓廠未來的運(yùn)營將會(huì)受到很大的影響，全球的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)可能也將受到?jīng)_擊。

至于臺(tái)積電，其目前在中國大陸的南京廠僅擁有每月2萬片先進(jìn)制程產(chǎn)能，主要以16nm及12nm為主。雖然這部分的先進(jìn)制程產(chǎn)能可能將會(huì)受到美國撤銷“無限期豁免”的負(fù)面影響，但相對(duì)于臺(tái)積電全球龐大的先進(jìn)制程產(chǎn)能來說，影響可能并不大。由于美系成熟制程設(shè)備對(duì)華出口目前不受限，所以臺(tái)積電在南京廠的28nm產(chǎn)能及松江廠的成熟制程產(chǎn)能則不會(huì)受到影響。

這可能只是一個(gè)談判籌碼

需要指出的是，目前撤銷對(duì)于三星電子、SK海力士、臺(tái)積電在華晶圓廠的“無限期豁免”，還處于計(jì)劃階段，尚未正式實(shí)施。而且即便實(shí)施，三星電子、SK海力士、臺(tái)積電可能也會(huì)被允許向美國政府尋求逐案許可，以供應(yīng)他們?cè)谥袊箨懙木A廠。

《華爾街日?qǐng)?bào)》也透露，參與該規(guī)則討論的人表示，撤銷豁免并不是一個(gè)既定的決議。凱斯勒的部門——美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）——還沒有得到美國政府其他部門的支持，比如美國國防部。

因?yàn)椋绹械姆磳?duì)者擔(dān)心，取消對(duì)于三星電子、SK海力士、臺(tái)積電在華晶圓廠的“豁免”，最終會(huì)提振中國的半導(dǎo)體設(shè)備及零部件公司，并最終讓中國供應(yīng)鏈掌控這些晶圓廠。
畢竟，三星電子、SK海力士、臺(tái)積電等半導(dǎo)體巨頭不會(huì)坐視自己在華利益受損，所以他們?cè)谌A晶圓廠如果無法獲得美系半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)，那么必然會(huì)推動(dòng)他們轉(zhuǎn)向采用中國本土或其他非美系的半導(dǎo)體設(shè)備來進(jìn)行替代，而這無疑有助于中國發(fā)展國產(chǎn)化及非美化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。

同時(shí)，美國此舉也必然會(huì)影響到其與韓國等盟友之間的合作關(guān)系。對(duì)于韓國來說，中國也是其最大的芯片出口國。數(shù)據(jù)顯示，韓國芯片廠商將大約 60% 的芯片出口到了中國大陸，并且韓國芯片制造商在中國工廠的產(chǎn)能也遠(yuǎn)高于其他國家和地區(qū)的芯片制造商。

總結(jié)來看，此次事件很可能是美國特朗普政府為獲得關(guān)稅談判籌碼而“無中生有”的策略。

雖然此前在5月12日，中美雙方達(dá)成了初步的關(guān)稅協(xié)議，但是有保留有暫停90天的24%的關(guān)稅需要繼續(xù)談判。美國此番計(jì)劃撤銷對(duì)三星電子、SK海力士、臺(tái)積電等外資企業(yè)在華晶圓廠使用美國技術(shù)的豁免，可能是為了增加美國與中國進(jìn)行關(guān)稅談判的籌碼。

同時(shí)，目前中國對(duì)于稀土的出口管制政策，正頗為令美國的汽車等依賴于稀土材料的相關(guān)產(chǎn)業(yè)頭疼。美國政府可能也是想要借此來換取中國對(duì)于稀土的出口許可。

《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，白宮官員表示，美國此舉并非新的貿(mào)易升級(jí)，而是旨在使半導(dǎo)體制造設(shè)備的許可制度類似于中國對(duì)稀土材料的許可制度。

此外，對(duì)于美國政府來說，利用撤銷該“豁免”的威脅，對(duì)于韓國兩大半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士，以及中國臺(tái)灣晶圓代工龍頭廠商臺(tái)積電的“拿捏”，也有助于美國政府與韓國及中國臺(tái)灣的關(guān)稅談判。