中國高端制造又一顆新星閃耀,，掌握5nm刻蝕機技術，與半導體設備巨頭專利交手并贏得勝利,，國內第一大半導體設備制造商再創(chuàng)佳績,，成為臺積電最先進7nm工藝設備供應商,。

據臺媒報道，目前臺積電的7nm布局最積極,，近期臺積電更是轉變了7nm制程設備的采購策略,，將應用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM),、東京威力科創(chuàng)(TEL),、日立先端(Hitach)、中微半導體5大設備商均納入采購名單,，致力平衡7nm制程設備商生態(tài)價格,。

值得注意的是，中微半導體是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設備的大陸本土設備商,。據悉,，中微與臺積電在28nm制程時便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm制程,，以及現(xiàn)在的7nm制程,。未來，中微也將與臺積電跨入下一世代5nm合作,。此外,，中微也將與聯(lián)電展開14nm工藝制程的合作。

為符合大陸半導體設備國產化的政策目標,，2016年,，有兩家大陸半導體設備商獲得國家集成電路產業(yè)基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導體,，獲得4.8億元投資,；另一家是上海微電子設備(SMEE),。

今年4月，中微半導體CEO尹志堯在公共場合表示,，目前中微半導體在全球各地已經建置共計582臺刻蝕反應臺,，并預期今年將增長至770臺。目前中微半導體產品已經進入第三代10nm,、7nm工藝,，并進入晶圓廠驗證生產階段，即將進入下一世代5nm,、甚至3.5nm工藝,。

據尹志堯透露，過去幾年公司銷售維持30-35%增長率,，預期2017年增長率將達到80%,。2017年，中微銷售將達11億元人民幣,，在此基礎上,，未來十年將持續(xù)開發(fā)新產品，擴大市場占有率,，中微的目標是：2020年20億元,、2050年50億元，并進入國際五強半導體設備公司,。

目前,，中微有460多個介質刻蝕反應臺，并在海內外27條生產線上生產了約4000多萬片晶圓,；同時,，中微還開發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機；此外,，中微還開發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設備,，不僅占有約50%的國內市場，而且已進入臺灣,、新加坡,、日本和歐洲市場，尤其在MEMS領域擁有意法半導體（ST）,、博世半導體（BOSCH）等國際大客戶,。

在專利方面，中微共申請了超過800件相關專利,，其中絕大部分是發(fā)明專利,，目前有一半以上已獲授權。

公司董事長尹志堯博士簡介

尹志堯出生于北京,，中學就讀于北京四中,，本科及碩士分別畢業(yè)于中科大,、北大，1980年赴美留學,，獲得加州大學物理化學博士學位,。先后在intel、LAM技術部門工作,，1991年后一直在美國硅谷從事半導體行業(yè),，在世界最大的百億美元的半導體設備企業(yè)——美國應用材料公司擔任總公司副總裁，曾被譽為“硅谷最有成就的華人之一”,，參與了美國幾代等離子體刻蝕機的研發(fā),，在半導體行業(yè)20多年,，擁有60多項專利技術,。然而在2004年，60歲的他依然放棄美國的百萬美元的年薪,，沖破美國政府的層層審查,，所有的工藝配方、設計圖紙都被美國沒收,。帶領之三十多人的團隊回到中國,，創(chuàng)建中微公司。