在歷史上,，半導體產業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn),。

　　具體來說,，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate，HKMG)CMOS制程,，與16/14奈米FinFET將催生更小的電晶體,，不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMGCMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,，難以維持高參數良率(parametricyields)以及低缺陷密度(defectdensity),。

　　20奈米節(jié)點在達到低漏電方面有困難，是因為在摻雜均勻度(dopinguniformity),、線邊緣粗糙度(lineedgeroughness)以及其他物理性參數的控制上遭遇挑戰(zhàn),，那些參數對制程中的細微變化都十分敏感。此外20奈米節(jié)點對雙重圖形(doublepatterning)的需求,，也帶來了比28奈米更高的每片晶圓成本,。

　　16/14奈米FinFET制程節(jié)點與20奈米節(jié)點采用相同的導線結構，因此晶片面積只比20奈米節(jié)點小了8~10%;該制程節(jié)點也面臨與應力控制,、疊對(overlay),，以及其他與3D結構的階梯覆蓋率(stepcoverage)、制程均勻度相關的因素。

　　半導體各個制程節(jié)點的每閘成本估計

　　成本問題將會永久存在,，因為隨著28奈米塊狀CMOS制程日益成熟,，晶圓折舊成本(depreciationcost)將比產量爬升與初始高量產階段下滑60~70%，因此28奈米塊狀HKMGCMOS制程的每閘成本將會比FinFET低得多,，甚至到2017年第四季也是一樣,。而20奈米HKMG制程也將在2018或2019年折舊成本下滑時，面臨類似的發(fā)展趨勢,。

　　塊狀CMOS制程與FinFET制程的每閘成本估計

　　資料顯示,，FinFET制程能應用在高性能或是超高密度設計，但用在主流半導體元件上卻不符合成本效益;因此半導體產業(yè)界面臨的問題是,，晶圓代工業(yè)者所推動的技術與客戶的需求之間并不協調,。這種情況沒有結束的跡象，當半導體制程微縮到10奈米與7奈米節(jié)點,，將會承受產業(yè)界還未充分準備好因應的額外晶圓制程挑戰(zhàn),。

　　尋求解決之道

　　要降低半導體未來制程節(jié)點的電晶體與邏輯閘成本，產業(yè)界有四條主要的解決之道：

　　1.采用新元件結構

　　選項之一是全空乏絕緣上覆矽(fullydepletedsilicon-on-insulator,，FDSOI),，能帶來比塊狀CMOS與FinFET制程低的每閘成本以及漏電。

　　2.采用18寸晶圓

　　18寸(450mm)晶圓面臨的主要挑戰(zhàn),，是該選擇在哪個制程節(jié)點進行轉換;一個可能的情況是10奈米與7奈米節(jié)點,。不過，18寸晶圓與超紫外光微影不太適合在同一個制程節(jié)點啟用,，這讓問題變得復雜化,。

　　一座18寸晶圓廠要在7奈米節(jié)點達到每月4萬片晶圓的產量，成本將高達120億到140億美元,，而且必須要在短時間之內迅速達到高產量,，否則折舊成本將帶來大幅的虧損。這樣的一座晶圓廠會需要生產能迅速達到高產量的晶片產品,。要克服這些挑戰(zhàn)需要付出很多努力,，但全球只有很小一部分半導體業(yè)者有能力做到;估計18寸晶圓將在2020年開始量產。

　　3.強化實體設計與可制造性設計技術

　　復雜的16/14奈米FinFET設計成本可能高達4億美元以上,，而要改善參數良率可能還要付出1億或2億美元;這意味著只有非常少數的應用能負擔得起,，因為產品營收必須要是設計成本的十倍,。此外,，那些設計需要在12個月之內完成，才能支援如智慧型手機等市場周期變化快速的終端應用,。

　　4.利用嵌入式多核心處理器上的軟體編程能力

　　可編程架構預期將會被擴大采用,，但嵌入式FPGA核心的耗電量與成本都很高，軟體客制化則需要相對較程的時間，才能針對復雜的任務進行開發(fā)與除錯,。軟體開發(fā)工具需要強化,，但進展速度緩慢。