最快trr性能的600V超級結(jié)MOSFET 成新標桿
2017-08-10
作者:于寅虎
來源:電子技術(shù)應(yīng)用
近年來,節(jié)能化趨勢日益加速,,隨著日本節(jié)能法的修訂,,家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標識APF(全年使用家用空調(diào)時的能效比),不再僅僅關(guān)注功率負載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能,,要求負載較小的正常運轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲,。據(jù)稱,在全球的電力需求中,,近50%被用于驅(qū)動電機,,隨著空調(diào)在新興國家的普及,全球的電力局勢逐年嚴峻,。
在這種背景下,,ROHM開發(fā)出PrestoMOS,非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機驅(qū)動,,可大大降低應(yīng)用正常運轉(zhuǎn)時的功耗,,滿足了社會的節(jié)能需求。
日前,,ROHM宣布推出高速trr(反向恢復(fù)時間)型600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”,,非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機驅(qū)動。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET,,以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱,。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。
羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計中心高級經(jīng)理水原德健先生
據(jù)羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計中心高級經(jīng)理水原德健先生介紹,,此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化ROHM獨有的芯片結(jié)構(gòu),,在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上,還成功地使Ron(導(dǎo)通電阻)和Qg(柵極輸入電荷量)顯著降低,。由此,,在變頻空調(diào)等電機驅(qū)動的應(yīng)用中,輕負載時的功率損耗與以往的IGBT相比,,降低約56%,,節(jié)能效果非常明顯,。
不僅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢,,還實現(xiàn)了超強的短路耐受能力,,減輕了因電路誤動作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來的破壞風(fēng)險,有助于提高應(yīng)用的可靠性,。
據(jù)了解,,相比傳統(tǒng)的MOS管,R60xxMNx系列產(chǎn)品具備三大特征,。
第一,、業(yè)界最快的trr性能、低Ron,、低Qg,,有助于應(yīng)用節(jié)能
一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點,設(shè)備正常運轉(zhuǎn)時可有效降低功耗,?!癛60xxMNx系列”利用ROHM獨有的Lifetime控制技術(shù),不僅保持了業(yè)界最快trr性能,,而且Ron和Qg更低,,非常有助于變頻電路的節(jié)能。
第二,、超強短路耐受能力,,確保可靠性
通常,,一旦發(fā)生短路,,即具有電路誤動作、流過超出設(shè)計值的大電流,、引起異常發(fā)熱,、甚至元件受損的可能性。一直以來,,因性能與短路之間的制約關(guān)系,,確保超強的短路耐受能力是非常困難的,而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢,,對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進行了優(yōu)化,,可確保電機驅(qū)動所必須的短路耐受能力,有助于提高應(yīng)用的可靠性,。
第三,、自導(dǎo)通損耗微小
自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下,高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通,,則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加,,電壓被柵極感應(yīng),,柵極電壓上升,MOSFET誤動作,。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗,。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容,可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi),。
附:最新R60xxMNx系列產(chǎn)品陣容
☆開發(fā)中