據(jù)俄羅斯《消息報(bào)》報(bào)道,，俄專家成功找到具有指定特性的二維半導(dǎo)體的制造方法，使將來(lái)制造微型電子設(shè)備成為可能,。

　　俄羅斯科學(xué)院生化物理研究所首席研究員列昂尼德·切爾諾扎通斯基稱,，盡管現(xiàn)在談微型電子設(shè)備的投產(chǎn)還為時(shí)尚早，但這一發(fā)現(xiàn)具有全球意義,。

　　以德米特里·戈利貝格教授為首的研究小組與日本國(guó)立材料研究所,、中國(guó)北京交通大學(xué)和澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)的專家共同開展了相關(guān)研究。研究結(jié)果發(fā)布在《先進(jìn)材料》(AdvancedMaterials)科學(xué)雜志上,。

　　半導(dǎo)體材料是在氮化硼基礎(chǔ)上制造而成,，氮化硼可通過(guò)改變氧濃度而改變禁帶寬度。向氮化蹦不同部位添加不等量的氧,，可在板上“畫出”所需微電路,。專家稱，該發(fā)現(xiàn)使這種材料在不同科技領(lǐng)域的使用成為可能,，特別光伏和光電子學(xué)領(lǐng)域,。

　　俄羅斯專家的這一發(fā)現(xiàn)有助于制造出比現(xiàn)有服務(wù)器小千倍的服務(wù)器，而且與現(xiàn)有服務(wù)器相比,，不僅體積不同,，能耗也不同，借此可實(shí)現(xiàn)蓄能裝置的微型化,。