1,、  電力場效應管的驅動電路

　　電力場效應管是單極型壓控器件,，開關速度快。但存在極間電容,，器件功率越大，極間電容也越大,。為提高其開關速度,，要求驅動電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率,、較小的輸出電阻,。另外，還需要一定的柵極驅動電流,。

　　開通時,，柵極電流可由下式計算：

　　IGon=CiSSuGS/tr=(GGS+CGD)uGS/ t r     (7)

　　關斷時，柵極電流由下式計算：

　　IGoff=CGDuDS/tf                       (8)

　　式（7）是選取開通驅動元件的主要依據(jù)，式（8）是選取關斷驅動元件的主要依據(jù),。

　　為了滿足對電力場效應管驅動信號的要求,，一般采用雙電源供電，其輸出與器件之間可采用直接耦合或隔離器耦合,。

　　電力場效應管的一種分立元件驅電路,，如圖6所示。電路由輸入光電隔離和信號放大兩部分組成,。當輸入信號ui 為0時,，光電耦合器截止，運算放大器A輸出低電平,，三極管V3導通,，驅動電路約輸出負20V驅動電壓，使電力場效應管關斷,。當輸入信號ui為正時,，光耦導通，運放A輸出高電平,，三極管V2導通,，驅動電路約輸出正20V電壓，使電力場效應管開通,。

　　MOSFET的集成驅動電路種類很多,，下面簡單介紹其中幾種：

　　IR2130是美國生產(chǎn)的28引腳集成驅動電路，可以驅動電壓不高于600V電路中的MOSFET,，內含過電流,、過電壓和欠電壓等保護，輸出可以直接驅動6個MOSFET或IGBT,。單電源供電,，最大20V。廣泛應用于三相MOSFET和IGBT的逆變器控制中,。

　　IR2237/2137是美國生產(chǎn)的集成驅動電路,，可以驅動600V及1200V線路的MOSFET。其保護性能和抑制電磁干擾能力更強,，并具有軟啟動功能,，采用三相柵極驅動器集成電路,，能在線間短路及接地故障時,，利用軟停機功能抑制短路造成過高峰值電壓。利用非飽和檢測技術,，可以感應出高端MOSFET和IGBT的短路狀態(tài),。此外，內部的軟停機功能，經(jīng)過三相同步處理,，即使發(fā)生因短路引起的快速電流斷開現(xiàn)象,，也不會出現(xiàn)過高的瞬變浪涌過電壓，同時配有多種集成電路保護功能,。當發(fā)生故障時,，可以輸出故障信號。

　　TLP250是日本生產(chǎn)的雙列直插8引腳集成驅動電路,，內含一個光發(fā)射二極管和一個集成光探測器,，具有輸入、輸出隔離,，開關時間短,，輸入電流小、輸出電流大等特點,。適用于驅動MOSFET或IGBT,。

2、  電力場效應管的保護措施

電力場效應管的絕緣層易被擊穿是它的致命弱點,，柵源電壓一般不得超過±20V,。因此，在應用時必須采用相應的保護措施,。通常有以下幾種：

（1） 防靜電擊穿

電力場效應管最大的優(yōu)點是有極高的輸入阻抗,，因此在靜電較強的場合易被靜電擊穿。為此,，應注意：

①     儲存時,，應放在具有屏蔽性能的容器中，取用時工作人員要通過腕帶良好接地,；

②     在器件接入電路時,，工作臺和烙鐵必須良好接地，且烙鐵斷電焊接,；

③     測試器件時,，儀器和工作臺都必須良好接地。

（2） 防偶然性震蕩損壞

當輸入電路某些參數(shù)不合適時,，可能引志震蕩而造成器件損壞,。為此，可在柵極輸入電路中串入電阻,。

（3） 防柵極過電壓

可在柵源之間并聯(lián)電阻或約20V的穩(wěn)壓二極管,。

（4） 防漏極過電流

由于過載或短路都會引起過大的電流沖擊，超過IDM極限值,，此時必須采用快速保護電路使用器件迅速斷開主回路,。