一,、 定義：

嚴(yán)格意義上講,，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管,、三極管,、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等,。晶體管有時(shí)多指晶體三極管,。

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。

晶體管有三個(gè)極,；雙極性晶體管的三個(gè)極,，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）,。

晶體管因?yàn)橛腥N極性,，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大,、CE組態(tài)）,、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大,、CC組態(tài),、發(fā)射極隨耦器）。

二,、 歷史：

1947年12月,，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管,。晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明,，是微電子革命的先聲,。晶體管出現(xiàn)后,，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件,，來代替體積大,、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號(hào)角,。

通信系統(tǒng)已開始應(yīng)用半導(dǎo)體材料,。20世紀(jì)上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機(jī),，就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波,。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。

晶體管的發(fā)明,，最早可以追溯到1929年,，當(dāng)時(shí)工程師利蓮費(fèi)爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是,，限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,，制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來,。

由于電子管處理高頻信號(hào)的效果不理想,，人們就設(shè)法改進(jìn)礦石收音機(jī)中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里,，有一根與礦石（半導(dǎo)體）表面相接觸的金屬絲（像頭發(fā)一樣細(xì)且能形成檢波接點(diǎn)）,，它既能讓信號(hào)電流沿一個(gè)方向流動(dòng)，又能阻止信號(hào)電流朝相反方向流動(dòng),。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕,，貝爾實(shí)驗(yàn)室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體,，而且在某些方面比電子管整流器還要好,。

在第二次世界大戰(zhàn)期間，不少實(shí)驗(yàn)室在有關(guān)硅和鍺材料的制造和理論研究方面,，也取得了不少成績,，這就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。

為了克服電子管的局限性,，第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束后,，貝爾實(shí)驗(yàn)室加緊了對(duì)固體電子器件的基礎(chǔ)研究。肖克萊等人決定集中研究硅,、鍺等半導(dǎo)體材料,，探討用半導(dǎo)體材料制作放大器件的可能性。

1945年秋天，貝爾實(shí)驗(yàn)室成立了以肖克萊為首的半導(dǎo)體研究小組,，成員有布拉頓,、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個(gè)實(shí)驗(yàn)室工作,，長期從事半導(dǎo)體的研究,，積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。他們經(jīng)過一系列的實(shí)驗(yàn)和觀察,，逐步認(rèn)識(shí)到半導(dǎo)體中電流放大效應(yīng)產(chǎn)生的原因,。布拉頓發(fā)現(xiàn)，在鍺片的底面接上電極,，在另一面插上細(xì)針并通上電流,，然后讓另一根細(xì)針盡量靠近它，并通上微弱的電流,，這樣就會(huì)使原來的電流產(chǎn)生很大的變化,。微弱電流少量的變化，會(huì)對(duì)另外的電流產(chǎn)生很大的影響,，這就是“放大”作用,。

布拉頓等人，還想出有效的辦法,，來實(shí)現(xiàn)這種放大效應(yīng),。他們?cè)诎l(fā)射極和基極之間輸入一個(gè)弱信號(hào)，在集電極和基極之間的輸出端,，就放大為一個(gè)強(qiáng)信號(hào)了,。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，上述晶體三極管的放大效應(yīng)得到廣泛的應(yīng)用,。

巴丁和布拉頓最初制成的固體器件的放大倍數(shù)為50左右,。不久之后，他們利用兩個(gè)靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點(diǎn),，來代替金箔接點(diǎn),，制造了“點(diǎn)接觸型晶體管”,。1947年12月,，這個(gè)世界上最早的實(shí)用半導(dǎo)體器件終于問世了，在首次試驗(yàn)時(shí),，它能把音頻信號(hào)放大100倍,，它的外形比火柴棍短，但要粗一些,。

在為這種器件命名時(shí),，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的，于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻),，后來縮寫為transistor,，中文譯名就是晶體管。

由于點(diǎn)接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜,，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障,，它還存在噪聲大、在功率大時(shí)難于控制,、適用范圍窄等缺點(diǎn),。為了克服這些缺點(diǎn)，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想,。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理,。

1950年，第一只“PN結(jié)型晶體管”問世了,，它的性能與肖克萊原來設(shè)想的完全一致,。今天的晶體管，大部分仍是這種PN結(jié)型晶體管,。(所謂PN結(jié)就是P型和N型的結(jié)合處,，P型多空穴，N型多電子,。)

1956年,，肖克利、巴丁,、布拉頓三人,，因發(fā)明晶體管同時(shí)榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）,、約翰·巴頓（John Bardeen）,、

沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。

1950年：威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction

Transistor）,，這是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)的晶體管,。

1953年：第一個(gè)采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場(chǎng)，即助聽器,。

1954年10月18日：第一臺(tái)晶體管收音機(jī)Regency TR1投入市場(chǎng),，僅包含4只鍺晶體管。

1961年4月25日：第一個(gè)集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）,。最初的晶體管對(duì)收音機(jī)和電話而言已經(jīng)足夠,，但是新的電子設(shè)備要求規(guī)格更小的晶體管，即集成電路,。

1965年：摩爾定律誕生,。當(dāng)時(shí),，戈登·摩爾（Gordon Moore）預(yù)測(cè)，未來一個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個(gè)月翻一倍(至今依然基本適用),，摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布,。

1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導(dǎo)體公司辭職，創(chuàng)立了一個(gè)新的企業(yè),，即英特爾公司,，英文名Intel為“集成電子設(shè)備（integrated electronics）”的縮寫。

1969年：英特爾成功開發(fā)出第一個(gè)PMOS硅柵晶體管技術(shù),。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì),，但是引入了新的多晶硅柵電極。

1971年：英特爾發(fā)布了其第一個(gè)微處理器4004,。4004規(guī)格為1/8英寸 x 1/16英寸,，包含僅2000多個(gè)晶體管，采用英特爾10微米PMOS技術(shù)生產(chǎn),。

1972年,，英特爾發(fā)布了第一個(gè)8位處理器8008。

1978年,，英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086,。含有2.9萬個(gè)晶體管。

1978年：英特爾標(biāo)志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個(gè)人電腦事業(yè)部,，武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦,。16位8088處理器為8086的改進(jìn)版，含有2.9萬個(gè)晶體管,，運(yùn)行頻率為5MHz,、8MHz和10MHz。8088的成功推動(dòng)英特爾進(jìn)入了財(cái)富(Forture) 500強(qiáng)企業(yè)排名,，《財(cái)富(Forture)》雜志將英特爾公司評(píng)為“70年代商業(yè)奇跡之一（Business Triumphs of the Seventies）”,。

1982年：286微處理器(全稱80286，意為“第二代8086”)推出,，提出了指令集概念,，即現(xiàn)在的x86指令集，可運(yùn)行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件,。286處理器使用了13400個(gè)晶體管,，運(yùn)行頻率為6MHz、8MHz,、10MHz和12.5MHz,。

1985年：英特爾386微處理器問世,，含有27.5萬個(gè)晶體管,，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務(wù)處理能力,，即它可在同一時(shí)間運(yùn)行多個(gè)程序,。

1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個(gè)晶體管,，采用英特爾0.8微米制程技術(shù)生產(chǎn),。

1999年2月：英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅,，含有950萬個(gè)晶體管,，采用英特爾0.25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出,，高性能桌面臺(tái)式電腦由此可實(shí)現(xiàn)每秒鐘22億個(gè)周期運(yùn)算,。它采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，含有5500萬個(gè)晶體管,。

2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破,，包括高性能、低功耗晶體管,，應(yīng)變硅,，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應(yīng)變硅,。

2003年3月12日：針對(duì)筆記本的英特爾·迅馳·移動(dòng)技術(shù)平臺(tái)誕生,，包括了英特爾最新的移動(dòng)處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動(dòng)優(yōu)化微體系架構(gòu),，采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn),，包含7700萬個(gè)晶體管。

2005年5月26日：英特爾第一個(gè)主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生,，含有2.3億個(gè)晶體管,，采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發(fā)布,，采用世界最復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì),，含有2.7億個(gè)晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn),。

2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生,。該處理器含有2.9億多個(gè)晶體管，采用英特爾65納米制程技術(shù)在世界最先進(jìn)的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn),。

2006年9月26日：英特爾宣布,，超過15種45納米制程產(chǎn)品正在開發(fā)，面向臺(tái)式機(jī),、筆記本和企業(yè)級(jí)計(jì)算市場(chǎng),，研發(fā)代碼Penryn,，是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。

2007年1月8日：為擴(kuò)大四核PC向主流買家的銷售,，英特爾發(fā)布了針對(duì)桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器,。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個(gè)晶體管。

2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極,。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核,、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)系列多核處理器的數(shù)以億計(jì)的45納米晶體管或微小開關(guān)中用來構(gòu)建絕緣“墻”和開關(guān)“門”，研發(fā)代碼Penryn,。2010年11月,，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個(gè)晶體管,，采用先進(jìn)的40納米工藝制造,。

2011年05月05 日：英特爾成功開發(fā)世界首個(gè)3D晶體管，稱為tri-Gate,。除了英特爾將3D晶體管應(yīng)用于22納米工藝之后,，三星，GlobalFoundries,，臺(tái)積電和臺(tái)聯(lián)電都計(jì)劃將類似于Intel的3D晶體管技術(shù)應(yīng)用到14納米節(jié)點(diǎn)上,。

三、 優(yōu)越性：

同電子管相比,，晶體管具有諸多優(yōu)越性：

構(gòu)件沒有消耗

無論多么優(yōu)良的電子管,，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,，晶體管制作之初也存在同樣的問題,。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,，稱得起永久性器件的美名,。

消耗電能極少

僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子,。一臺(tái)晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去,，這對(duì)電子管收音機(jī)來說，是難以做到的,。

不需預(yù)熱

一開機(jī)就工作,。例如，晶體管收音機(jī)一開就響,，晶體管電視機(jī)一開就很快出現(xiàn)畫面,。電子管設(shè)備就做不到這一點(diǎn)。開機(jī)后,，非得等一會(huì)兒才聽得到聲音,，看得到畫面,。顯然，在軍事,、測(cè)量、記錄等方面,，晶體管是非常有優(yōu)勢(shì)的,。

結(jié)實(shí)可靠

比電子管可靠100倍，耐沖擊,、耐振動(dòng),，這都是電子管所無法比擬的。另外,，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型,、復(fù)雜,、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,，但工序簡便,，有利于提高元器件的安裝密度。

四,、 分類：

1,、材料

按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管,、鍺PNP晶體管,、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。

2,、工藝

晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管,、合金型晶體管和平面型晶體管。

3,、電流容量

晶體管按電流容量可分為小功率晶體管,、中功率晶體管和大功率晶體管。

4,、工作頻率

晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管,、高頻晶體管和超高頻晶體管等。

5,、封裝結(jié)構(gòu)

晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管,、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管,、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等,。其封裝外形多種多樣,。

6、按功能和用途

晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管,、中高頻放大晶體管,、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管,、達(dá)林頓晶體管,、高反壓晶體管、帶阻晶體管,、帶阻尼晶體管,、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型,。

五,、 主要參數(shù)：

晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率,、頻率特性,、集電極最大電流、最大反向電壓,、反向電流等,。

放大系數(shù)

直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)無變化信號(hào)輸入時(shí),，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值,，一般用hFE或β表示。

交流放大倍數(shù)

交流放大倍數(shù),，也即交流電流放大系數(shù),、動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)，是指在交流狀態(tài)下,，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值,，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切,，兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近,，在高頻時(shí)有一些差異。

耗散功率

耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率,。

耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時(shí),，其實(shí)際功耗不允許超過PCM值,，否則會(huì)造成晶體管因過載而損壞。

通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W,、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管,，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

特征頻率fT　晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r,，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降,。特征頻率是指β值降為1時(shí)晶體管的工作頻率。

通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管,，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管,，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管,。

最高振蕩頻率fM

最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率,。

通常,，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα,，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ,。

集電極最大電流

集電極最大電流（ICM）是指晶體管集電極所允許通過的最大電流,。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過ICM時(shí)，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,，影響其正常工作,，甚至還會(huì)損壞。

最大反向電壓

最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓,。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓,、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。

集電極——集電極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí),，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,，一般用VCEO或BVCEO表示。

基極—— 基極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí),，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,，用VCBO或BVCBO表示。

發(fā)射極——發(fā)射極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí),，其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓,，用VEBO或BVEBO表示。

集電極——基極之間的反向電流ICBO

ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流,，是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí),，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對(duì)溫度較敏感,，該值越小,，說明晶體管的溫度特性越好。

集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO　ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開路時(shí),，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,，也稱穿透電流,。此電流值越小，說明晶體管的性能越好,。

六,、 管腳判別及放大倍數(shù)估算：

1、判別基極和管子的類型

選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔,，先用紅表筆接一個(gè)管腳,，黑表筆接另一個(gè)管腳，可測(cè)出兩個(gè)電阻值,，然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳,，重復(fù)上述步驟，又測(cè)得一組電阻值,，這樣測(cè)3次,，其中有一組兩個(gè)阻值都很小的，對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極,，且管子是PNP型的,；反之，若用黑表筆接一個(gè)管腳,，重復(fù)上述做法,，若測(cè)得兩個(gè)阻值都小，對(duì)應(yīng)黑表筆為基極,，且管子是NPN型的,。

2、判別集電極

因?yàn)槿龢O管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí)β大（表針擺動(dòng)幅度大）,，反接時(shí)β就小得多,。因此，先假設(shè)一個(gè)集電極,，用歐姆檔連接,，（對(duì)NPN型管，發(fā)射極接黑表筆,，集電極接紅表筆）,。測(cè)量時(shí)，用手捏住基極和假設(shè)的集電極,，兩極不能接觸,，若指針擺動(dòng)幅度大，而把兩極對(duì)調(diào)后指針擺動(dòng)小,，則說明假設(shè)是正確的,，從而確定集電極和發(fā)射極。

3、電流放大系數(shù)β的估算

選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔,，對(duì)NPN型管,，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極,，測(cè)量時(shí),，只要比較用手捏住基極和集電極（兩極不能接觸），和把手放開兩種情況小指針擺動(dòng)的大小,，擺動(dòng)越大,，β值越高。

七,、 代換原則：

晶體管的置換原則可概括為三條：即類型相同,、特性相近、外形相似,。

一,、類型相同

1．材料相同。即鍺管置換鍺管,，硅管置換硅管,。

2．極性相同,。即npn型管置換npn型管,，pnp型管置換pnp型管。

二,、特性相近

用于置換的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性相近,，它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多。晶體管的主要參數(shù)近20個(gè),，要求所有這些參數(shù)都相近,，不但困難，而且沒有必要,。一般來說,，只要下述主要參數(shù)相近，即可滿足置換要求,。

1．集電板最大直流耗散功率(pcm)

一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換,。但經(jīng)過計(jì)算或測(cè)試，如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其pcm,，則可以用pcm較小的晶體管置換,。

2．集電極最大允許直流電流(icm)

一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換。

3．擊穿電壓

用于置換的晶體管,，必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓,；

來源：輸配電設(shè)備網(wǎng)

4．頻率特性

晶體管頻率特性參數(shù)，常用的有以下2個(gè)：

(1)特征頻率ft：它是指在測(cè)試頻率足夠高時(shí)，使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)時(shí)的頻率,。

(2)截止頻率fb：

在置換晶體管時(shí),，主要考慮ft與fb。通常要求用于置換的晶體管,，其ft與fb,，應(yīng)不小于原晶體管對(duì)應(yīng)的ft與fb。

5．其他參數(shù)

除以上主要參數(shù)外,，對(duì)于一些特殊的晶體管,，在置換時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù)：

(1)對(duì)于低噪聲晶體管，在置換時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管,。

(2)對(duì)于具有自動(dòng)增益控制性能的晶體管,，在置換時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。

(3)對(duì)于開關(guān)管,，在置換時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù),。

三、外形相似

小功率晶體管一般外形均相似,，只要各個(gè)電極引出線標(biāo)志明確,，且引出線排列順序與待換管一致，即可進(jìn)行更換,。大功率晶體管的外形差異較大,，置換時(shí)應(yīng)選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,，以便安裝和保持正常的散熱條件,。